Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects

I. A. Kharitonov

?

Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects

P. 271–274.

Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора.

Язык: английский

Полный текст

Ключевые слова: power BJT power MOSFET thermal effects electro-thermal effects selfheating model parameter extraction SPICE VBIC model мощные МОП транзисторы мощные биполярные транзисторы тепловые эффекты саморазогрев определение параметров моделей VBIC модель дополнительный генератор тока

В книге

Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11)

Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.

Simulation of Electrothermal Transient Responses in Power PCB Modules Using Comsol, Spice, and Asonika-TM

K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, Tegin M. S., Russian Microelectronics 2025 Vol. 54 No. 7 P. 743–750

работе предложена и реализована усовершенствованная схема многоуровневого автоматизированного электротеплового моделирования мощных электронных компонентов с использованием программного обеспечения Comsol на уровне полупроводниковых приборов, Spice-моделирования на уровне принципиальных схем и системы «Асоника-ТМ» на уровне печатных плат. Описаны разработанные дополнительные программные средства для реализации предложенного маршрута, обеспечивающие автоматизацию процессов расчета мощностей компонентов мощных схем, передачи этих значений в ...

Добавлено: 7 июля 2026 г.

Thermal Engineering of Power Electronic Systems

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Рябов Н. И., , in: Proceedings of The 12th International Conference on Power and Energy Systems Engineering. Book Title. Series Title: Lecture Notes in Electrical Engineering, Publisher: Springer Singapore. 2025.: Singapore: Springer, 2025..

Добавлено: 1 июля 2026 г.

TCAD-SPICE Analysis of SEU and Reliability in Space-Grade SRAM from 90 nm to 28 nm

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Denis S. Silkin, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2025, Volume 3Vol. 3.: Springer Publishing Company, 2026. P. 171–184.

Добавлено: 7 апреля 2026 г.

Электротепловое моделирование мощных схем с использованием ПО Python SPICE

Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 871–879

Отработан алгоритм ускоренного получения электротепловых характеристик силовых схем с помощью ПО Python. Приведены результаты электротепловых расчетов для ряда силовых схем с ускоренным процессом получения их тепловых характеристик с использованием стандартного маршрута электротеплового SPICE-анализа. ...

Добавлено: 5 ноября 2025 г.

Сравнительный анализ подходов к определению разброса температурно-зависимых параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов

Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854

Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...

Добавлено: 16 сентября 2025 г.

Реализация цифровых двойников для мощных МОП-транзисторов с помощью ПО Python

Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 745–751

В работе описана программа на языке Python, реализующая цифровые двойники мощных МОП-транзисторов. Описаны структура и интерфейс этой программы, воспроизводимые статические, динамические и тепловые характеристики МОПТ, другие возможности программы. Возможности программы продемонстрированы на примере отечественных мощных МОП-транзисторов 2П829Д и 2П782Ж1. ...

Добавлено: 3 сентября 2024 г.

Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling

Петросянц К. О., Denis S. Silkin, Попов Д. А., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293

Добавлено: 30 октября 2022 г.

Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194

Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...

Добавлено: 7 июля 2022 г.

TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения

Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.

Добавлено: 30 ноября 2021 г.

Оценка эффективности применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОП-транзисторов

Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.

Добавлено: 5 ноября 2021 г.

Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.

Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...

Добавлено: 5 ноября 2021 г.

Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.

Добавлено: 31 октября 2021 г.

Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers

Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.

Добавлено: 14 февраля 2021 г.

TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures

K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.

Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C)

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. и др., IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 2021 Vol. 40 No. 4 P. 708–722

Добавлено: 1 октября 2020 г.

Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Cryogenics 2020 Vol. 108 P. 1–6

Добавлено: 24 апреля 2020 г.

SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур

Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47

Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...

Добавлено: 30 октября 2019 г.

Quasi-3D Thermal Model of Stacked IC-TSV-BGA Package

Петросянц К. О., Nikita I. Ryabov, , in: 25th INTERNATIONAL WORKSHOP on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC 2019).: Milan: IEEE, 2019. Ch. 8923865 P. 1–4.

Добавлено: 29 октября 2019 г.

25th INTERNATIONAL WORKSHOP on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC 2019)

Milan: IEEE, 2019.

Добавлено: 29 октября 2019 г.