SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C

С. 111–117.

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А.

Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров модели. Для всех моделей отработана унифицированная автоматизированная процедура экстракции параметров, обеспечивающая приемлемую для практических применений точность учёта электрических и температурных эффектов в диапазоне температуры от комнатной до 200°C.

Ключевые слова: model parameter extraction, полевые транзисторы, МОП-транзисторы, MOSFETs, экстракция параметров модели, compact SPICE models, компактные SPICE-модели, JFETs, field-effect transistors, temperature influence, extreme operating conditions, JFET-транзисторы, температурное воздействие, экстремальные условия работы

В книге

Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)

Вып. 3. , М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018.