Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET

К. О. Петросянц; Д. С. Силкин; Д. А. Попов

doi:10.31114/2078-7707-2021-4-2-6

Публикации

?

Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET

Гл. 86. С. 2–6.

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А.

Язык: русский

Полный текст

DOI

Ключевые слова: саморазогрев MOSFET self-heating TCAD simulation TCAD-моделирование FinFET FinFET МОПТ

В книге

Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)

Вып. 4. , М.: ИППМ РАН, 2021.

TCAD Electrothermal Analysis of 3D GAAFET Structures for Future VLSI Circuits

Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.

Добавлено: 6 ноября 2025 г.

Features of TCAD and SPICE Simulation of a Charged Particle Impact into a 6T SRAM Cell Manufactured Using the CMOS 28-nm Technology Node

Petrosyants K. O., Silkin D. S., D. A. Popov и др., Russian Microelectronics 2024 Vol. 53 No. 7 P. 737–743

Добавлено: 6 ноября 2025 г.

Перераспределение примеси на границе поликремний — кремний при моделировании диффузии из поликремния в TCAD при различных моделях диффузии

Федотов А. В., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 859–861

Параметры границы раздела поликремний — кремний при моделировании термических процессов существенно зависят от выбора модели диффузии из имеющихся в TCAD. В данной работе на основе экспериментальных данных проведено сравнение имеющихся в TCAD моделей диффузии в применении к этим материалам и даны рекомендации к выбору модели. ...

Добавлено: 5 ноября 2025 г.

Моделирование субмикронных МОП-транзисторов с использованием нейронных сетей

Попов Д. А., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709

В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...

Добавлено: 13 апреля 2025 г.

Evaluation of the Effect of FinFET Structure Parameters on Electrical Characteristics Using TCAD Modeling Tools

K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 8 P. 644–648

Добавлено: 13 мая 2023 г.

TCAD Modeling of Nanoscale FinFET Structures on Bulk Silicon, Taking into Account the Effects of Radiation

K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov и др., Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 7 P. 545–551

Добавлено: 30 января 2023 г.

Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C)

Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 15 декабря 2022 г.

Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling

Петросянц К. О., Denis S. Silkin, Попов Д. А., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293

Добавлено: 30 октября 2022 г.

Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells

K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 13 июля 2022 г.

Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 120–123.

С помощью TCAD-моделирования исследовано влияние изменения параметров структуры FinFET, таких как размеры слоёв затворного стека, форма ребра или уровни легирования, на электрические характеристики прибора. ...

Добавлено: 31 октября 2021 г.

Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 286–288.

Добавлено: 31 октября 2021 г.

TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2021 Т. 26 № 5 С. 374–386

При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснить зависимость радиационной стойкости структур FinFET от вариаций их физико-топологических параметров и электрических режимов достаточно сложно. В работе разработана радиационная версия TCAD-модели МОП-транзистора со структурой FinFET на объемном ...

Добавлено: 31 октября 2021 г.