Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11)

Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.

Научный редактор: В. Хаханов.

Ответственный редактор: S. Chumachenko, E. Litvinova.

Основная цель IEEE Симпозиума по проектированию и тестированию Восток-Запад в 2011 году - обмен опытом между учеными и технологиями Восточной и Западной Европы, а также Северной Америки и других частей мира в области проектирования, автоматизации проектирования и тестирования электронных схем и устройств. Симпозиум охватывает следующие темы:

• тестирование аналоговых, смешанных и радиочастотных систем,
• анализ и оптимизация,
• средства автоматизированного проектирования и тестирования,
• анализ неисправностей,
• вопросы потребляемой мощности,
• надежность в цифровых системах,
• тепловой, временной анализ систем на кристалле и на платах.

Главы книги

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

Добавлено: 12 апреля 2012

Thermal Analysis of the Ball Grid Array Packages

Petrosyants K., Rjabov N. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 275-278.

Новая квази-3D модель для анализа теплового режима BGA корпуса представлена. Трехмерная задача сведена к набору двумерных уравнений для распределений температуры в слоях конструкции. В результате существенно уменьшена сложность задачи и затраты процессорного времени. Дана результаты теплового моделирования BGA корпуса микросхемы.

Добавлено: 12 апреля 2012

Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects

Kharitonov I. A. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271-274.

Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора.

Добавлено: 12 апреля 2012

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

Petrosyants K. O., Vologdin E., Kozhukhov M. V. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.

Добавлено: 3 июня 2014

TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies

Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.

Представлены результаты сравнения времен задержек переключения МОП транзисторов , со структурой кремний на сапфире и кремний на изоляторе. Была использована двух этапная процедура для расчета времен задержек МОП транзисторов с длинами каналов от 3 до 0.25 мкм, изготовленных по указанным технологиям. Показано, что технология UTSI фирмы Pеregrine обеспечивает уменьшение времен задержек на 220-240% по сравнению с «объемным» кремнием и 20-25% - по с равнению с технологий кремний на изоляторе.

Добавлено: 12 апреля 2012