?
Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature
Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6.
Научное направление:
Электроника и электротехника
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. и др., IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 2021 Vol. 40 No. 4 P. 708-722
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Известия высших учебных заведений. Электроника 2019 Т. 24 № 2 С. 174-184
Компактные модели JFET-транзисторов, используемые в коммерческих версиях SPICE-подобных программ, ориентированы только на стандартный диапазон температур от –60 до +150 °С и не пригодны для расчета электронных схем в диапазоне криогенных температур (ниже –120 °С). В работе представлена Low-T SPICE-модель JFET для расчета схем в расширенном диапазоне температур, в том числе криогенных (от –200 до +110 °С). Модель учитывает ...
Добавлено: 5 июня 2019 г.
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40-47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386-392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Russian Microelectronics 2020 Vol. 49 No. 7 P. 501-506
Добавлено: 31 января 2021 г.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov и др., Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA) 2017 Vol. 33 No. 1 P. 37-51
Добавлено: 16 февраля 2017 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Кожевников А. М., Надежность 2008 № 1 С. 64-71
Рассматривается методология автоматизированного проектирования бортовых радиоэлектронных средств на основе иерархического комплексного системного моделирования. Методология позволяет принимать минимальные по стоимости проектные решения по синтезу допусков и номинальных значений параметров, электрических и тепловых нагрузочных режимов электронных элементов и параметров элементов обеспечения их температурного режима, синтезу систем вибрационной и ударной защиты. Основой методологии являются методы анализа и синтеза ...
Добавлено: 15 октября 2013 г.
Petrov V., M. Komarov, D. Moltchanov и др., IEEE Transactions on Wireless Communications 2017 Vol. 16 No. 3 P. 1791-1808
Добавлено: 12 марта 2018 г.
Barcelona : IEEE, 2017
Добавлено: 17 января 2018 г.
М. : Физический факультет МГУ, 2001
Добавлено: 15 июня 2013 г.
Канавец В. И., Мозговой Ю. Д., Хриткин С. А., Известия РАН. Серия физическая 1999 Т. 63 № 12 С. 2333-2339
Добавлено: 31 января 2013 г.
Востриков А. В., Борисов Н. И., Абрамешин А. Е., Качество. Инновации. Образование 2013 № 8 (99) С. 61-65
В работе проведено исследование численной устойчивости разработанной авторами ранее редуцированной схемы численного интегрирования системы линейных обыкновенных дифференциальных уравнений. Полученное условие численной устойчивости редукционной схемы доказывает возможность использования данной схемы на практике. Работоспособность редуцированной схемы была протестирована на реальной задаче электродинамики, решенной предварительно известными численными методами. Предложенная нами и традиционные и вычислительные схемы дали одинаковый результат ...
Добавлено: 9 сентября 2013 г.
Азов Г. А., Ганеев Э. Р., Хриткин С. А., Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника 2015 № 3 (526) С. 15-21
Представлены краткое описание конструкции и технологии изготовления лампы бегущей волны (ЛБВ), результаты численного моделирования пространства взаимодействия и выходных параметров прибора сантиметрового диапазона длин волн с выходной мощностью 300-400 Вт. Проведено сопоставление результатов моделирования и испытаний опытных образцов изделий. ...
Добавлено: 23 ноября 2015 г.
Кравченко Н. П., Мухин С. В., Пресняков С. А., Journal of Communications Technology and Electronics 2017 Vol. 62 No. 7 P. 800-808
Добавлено: 24 октября 2017 г.
Представлен обзор методов моделирования сетей на кристалле. Разработана высокоуровневая модель сети на кристалле на основе языка программирования Java, что позволило ускорить процесс моделирования на несколько порядков по сравнению с HDL моделями. Представлены результаты моделирования сетей на кристалле на основе регулярных и квазиоптимальных топологий с количеством до 100 узлов. ...
Добавлено: 21 июня 2015 г.
Казанцев Д. В., Казанцева Е. А., Кузнецов Е. В. и др., Известия РАН. Серия физическая 2017 Т. 81 № 12 С. 1709-1714
Описаны принципы работы безапертурного сканирующего микроскопа ближнего оптического поля (ASNOM). Зондом в приборе служит металлизированная игла атомно-силового микроскопа, и оптическое взаимодействие с объектами на поверхности локализовано вблизи ее острия размером в несколько нанометров. Тело иглы имеет длину в несколько микрон, и это обеспечивает высокую эффективность ее электромагнитного взаимодействия с падающими на нее извне и излучаемыми ...
Добавлено: 6 декабря 2020 г.
Зеленоград : МИЭТ, 2013
В сборнике тезисов докладов 20-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика 2013", которая проводится в год 55-летия образования г. Зеленограда, признанного в стране и мире центра микроэлектроники и нанотехнологий, представлены результаты научных исследований студентов, аспирантов и молодых ученых зеленоградских предприятий и вузов России по следующим приоритетным направлениям развития науки и техники микро- и наноэлектроника, ...
Добавлено: 31 мая 2013 г.
М. : National Instruments Russia, 2017
Содержание сборника составляют доклады с результатами оригинальных исследований и технических решений, ранее не публиковавшиеся. Мы надеемся, что предлагаемый сборник окажется полезным для специалистов, работающих в различных областях науки и техники, для широкого круга преподавателей, аспирантов и студентов ВУЗов, а также для преподавателей средних школ и технических колледжей. ...
Добавлено: 10 мая 2017 г.
Саратов : IEEE, 2018
В докладах научно-технической конференции нашли отражение результаты теоретических и экспериментальных исследований в области электродинамики и микроволновой техники, микроволновой электроники, наноэлектроники, силовой электроники, полупроводниковой электроники, электроэнергетики, систем измерительной и медицинской техники. Излагаются результаты исследования резонаторных и замедляющих систем, устройств СВЧ, приборов вакуумной, плазменной и микроэлектроники, технологические вопросы изготовления изделий электронной техники. Сборник состоит из двух томов ...
Добавлено: 16 октября 2018 г.
Рассмотрен метод многоцелевого принятия решений как задача нечеткого программирования. Для выражения уровней желаемости использован способ установления предпочтений критериев и оценки достижимости. ...
Добавлено: 17 октября 2015 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Прокопенко Н. Н. и др., Журнал радиоэлектроники 2018 № 4 С. 7
Обсуждается применение оптимизационных методов для решения задачи определения параметров аналоговых микросхем (АМ) в процессе их проектирования. Приводятся постановки оптимизационной задачи и методики ее решения для двух классов АМ – быстродействующих операционных усилителей и линейных компенсационных стабилизаторов напряжения с непрерывным регулированием (КСН). Выбор данных классов АМ обусловлен их широким распространением, наличием противоречивых проектных требований, которые влияют ...
Добавлено: 12 июля 2018 г.