?
SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C)
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722.
Научное направление:
Электроника и электротехника
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
Ключевые слова: model parameter extractionMOSFETsJFETsCompact transistor modelsexperimental I-V- characteristicsSpice-like circuit simulatorslow- and high-temperature electronicsBJTs/HBTsdevice characteristics measurement
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Добавлено: 24 апреля 2020 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Russian Microelectronics 2020 Vol. 49 No. 7 P. 501-506
Добавлено: 31 января 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386-392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov и др., Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA) 2017 Vol. 33 No. 1 P. 37-51
Добавлено: 16 февраля 2017 г.
Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in : 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). : IEEE, 2020. P. 1-7.
Добавлено: 7 мая 2020 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018). Вып. 3.: М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117.
Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40-47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Добавлено: 23 января 2014 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
50584562, Попов Д. А., L. M. Sambursky и др., Russian Microelectronics 2016 Vol. 45 No. 7 P. 460-463
Добавлено: 2 марта 2017 г.
Канавец В. И., Мозговой Ю. Д., Хриткин С. А., Известия РАН. Серия физическая 1999 Т. 63 № 12 С. 2333-2339
Добавлено: 31 января 2013 г.
М. : Физический факультет МГУ, 2001
Добавлено: 15 июня 2013 г.
Кожевников А. М., Надежность 2008 № 1 С. 64-71
Рассматривается методология автоматизированного проектирования бортовых радиоэлектронных средств на основе иерархического комплексного системного моделирования. Методология позволяет принимать минимальные по стоимости проектные решения по синтезу допусков и номинальных значений параметров, электрических и тепловых нагрузочных режимов электронных элементов и параметров элементов обеспечения их температурного режима, синтезу систем вибрационной и ударной защиты. Основой методологии являются методы анализа и синтеза ...
Добавлено: 15 октября 2013 г.
Petrov V., M. Komarov, D. Moltchanov и др., IEEE Transactions on Wireless Communications 2017 Vol. 16 No. 3 P. 1791-1808
Добавлено: 12 марта 2018 г.
Barcelona : IEEE, 2017
Добавлено: 17 января 2018 г.
Востриков А. В., Борисов Н. И., Абрамешин А. Е., Качество. Инновации. Образование 2013 № 8 (99) С. 61-65
В работе проведено исследование численной устойчивости разработанной авторами ранее редуцированной схемы численного интегрирования системы линейных обыкновенных дифференциальных уравнений. Полученное условие численной устойчивости редукционной схемы доказывает возможность использования данной схемы на практике. Работоспособность редуцированной схемы была протестирована на реальной задаче электродинамики, решенной предварительно известными численными методами. Предложенная нами и традиционные и вычислительные схемы дали одинаковый результат ...
Добавлено: 9 сентября 2013 г.
Азов Г. А., Ганеев Э. Р., Хриткин С. А., Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника 2015 № 3 (526) С. 15-21
Представлены краткое описание конструкции и технологии изготовления лампы бегущей волны (ЛБВ), результаты численного моделирования пространства взаимодействия и выходных параметров прибора сантиметрового диапазона длин волн с выходной мощностью 300-400 Вт. Проведено сопоставление результатов моделирования и испытаний опытных образцов изделий. ...
Добавлено: 23 ноября 2015 г.
Саратов : IEEE, 2018
В докладах научно-технической конференции нашли отражение результаты теоретических и экспериментальных исследований в области электродинамики и микроволновой техники, микроволновой электроники, наноэлектроники, силовой электроники, полупроводниковой электроники, электроэнергетики, систем измерительной и медицинской техники. Излагаются результаты исследования резонаторных и замедляющих систем, устройств СВЧ, приборов вакуумной, плазменной и микроэлектроники, технологические вопросы изготовления изделий электронной техники. Сборник состоит из двух томов ...
Добавлено: 16 октября 2018 г.
М. : National Instruments Russia, 2017
Содержание сборника составляют доклады с результатами оригинальных исследований и технических решений, ранее не публиковавшиеся. Мы надеемся, что предлагаемый сборник окажется полезным для специалистов, работающих в различных областях науки и техники, для широкого круга преподавателей, аспирантов и студентов ВУЗов, а также для преподавателей средних школ и технических колледжей. ...
Добавлено: 10 мая 2017 г.
Кравченко Н. П., Мухин С. В., Пресняков С. А., Journal of Communications Technology and Electronics 2017 Vol. 62 No. 7 P. 800-808
Добавлено: 24 октября 2017 г.
Рассмотрен метод многоцелевого принятия решений как задача нечеткого программирования. Для выражения уровней желаемости использован способ установления предпочтений критериев и оценки достижимости. ...
Добавлено: 17 октября 2015 г.
Представлен обзор методов моделирования сетей на кристалле. Разработана высокоуровневая модель сети на кристалле на основе языка программирования Java, что позволило ускорить процесс моделирования на несколько порядков по сравнению с HDL моделями. Представлены результаты моделирования сетей на кристалле на основе регулярных и квазиоптимальных топологий с количеством до 100 узлов. ...
Добавлено: 21 июня 2015 г.