• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers

P. 56–60.
Петросянц К. О., Попов Д. А.
Язык: английский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: thermal conductivityКНИ МОПТсаморазогревтеплопроводностьSOI MOSFETsself-heatingburied oxideскрытый оксидpower dissipationрассеяние мощности
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения (2019)

В книге

2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM)
IEEE, 2020.
Похожие публикации
Evidence for spin droplets (ferrons) formation in the heavy fermion metal CeB6 with dynamic charge stripes
Azarevich A. N., Khrykina O. N., Bolotina N. B. и др., Solid State Sciences 2025 Vol. 167 Article 107990
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
TCAD Electrothermal Analysis of 3D GAAFET Structures for Future VLSI Circuits
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Stabilizing digenite supercells amid Ni-doped off-stoichiometric bornite nanoparticles as a new approach for achieving ultra-low thermal conductivity
Lashkari A. H., Остовари М. А., Shokuhfar A., Applied Physics A: Materials Science and Processing 2023 Vol. 129 Article 373
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
Определение коэффициента теплопроводности металлов доступными средствами
Петрова Е. Б., Чулкова Г. М., Физика в школе 2024 № 1 С. 46–51
В статье описана лабораторная работа по определению теплопроводности металлов. Для создания экспериментальной установки авторами использовано простое и доступное оборудование. Рассмотрены возможности использования предложенного эксперимента как для лабораторного практикума, так и для ученической проектной работы. ...
Добавлено: 5 декабря 2024 г.
Measurement of the Thermal Conductivity of Carbon Nanowalls by the 3ω Method
Chernodubov D. A., Bondareva J., Shibalov M. V. и др., JETP Letters 2023 No. 117 P. 449–455
Добавлено: 5 мая 2023 г.
Composites based on neat and modified asphaltenes and paraffin: Structure, rheology and heat conductivity
Makarova V. V., Gorbacheva S. N., Kostyuk A. V. и др., Journal of Energy Storage 2022 Vol. 47 Article 103595
Добавлено: 29 января 2023 г.
К вопросу о возможности радикального повышения теплопроводности сред введением дисперсных частиц (обзор)
Макарова В. В., Горбачева С. Н., Антонов С.В. и др., Журнал прикладной химии 2020 Т. 93 № 12 С. 1696–1715
Рассмотрены теоретические аспекты и экспериментальные данные о влиянии добавок твердых микро- и наноразмерных частиц на теплопроводность жидких сред (наножидкостей). Согласно теоретическим расчетам, кратное увеличение теплопроводности возможно только для покоящихся сред при условии формирования в них перколяционных структур из наночастиц модификатора, тогда как в случае циркулирующего теплоносителя и (или) хаотичного распределения частиц в его среде прирост ...
Добавлено: 29 января 2023 г.
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Thermal properties of sediments in the East Siberian Arctic Seas: A case study in the Buor-Khaya Bay
Chuvilin E., Bukhanov B., Grebenkin S. и др., Marine and Petroleum Geology 2021 Vol. 123 Article 104672
Добавлено: 5 октября 2021 г.
Thermal Relaxation in Metal Films Limited by Diffuson Lattice Excitations of Amorphous Substrates
Баева Э. М., Titova N. A., Veyrat L. и др., Physical Review Applied 2021 Vol. 15 No. 5 Article 054014
Добавлено: 14 июня 2021 г.
Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
TCAD-моделирование субмикронных и нанометровых МОПТ КНИ структур с учётом температуры и радиации
Попов Д. А., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 270–277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору