• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
1 июля 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, кто и почему в России питается вне дома
Около трети населения (31,3%) практически не едят вне дома и не покупают готовую еду. Ядро активных потребителей — тех, кто питается вне дома или покупает готовое почти ежедневно или несколько раз в неделю, — составляет всего около 9%. Таковы результаты исследования, проведенного Институтом социальной политики НИУ ВШЭ. Как отмечают авторы, питание вне дома в России перестало быть маркером высокого статуса.
30 июня 2026 г.
Аспирантка НИУ ВШЭ получила премию за выдающуюся научную статью
Международное научное общество по коллективному выбору и экономике благосостояния — Society for Social Choice and Welfare (SSCW) — присудило награду для молодых исследователей Ангелине Юдиной, аспирантке и преподавателю департамента математики ФЭН, младшему научному сотруднику Международного центра анализа и выбора решений НИУ ВШЭ. Ученые отметили ее статью, посвященную решениям задачи выбора наилучших альтернатив на основании результатов их попарных сравнений.
30 июня 2026 г.
«Я хотела бы, чтобы мои исследования помогали делать мир спокойнее и лучше»
Какую бы задачу ни решала младший научный сотрудник Лаборатории методов анализа больших данных Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН ВШЭ Сараа Али, она думает, какую пользу она может принести людям. О своей большой семье, диагностике трехфазных двигателей и мечте построить на родине детский приют она рассказала проекту «Молодые ученые Вышки».

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers

P. 56–60.
Петросянц К. О., Попов Д. А.
Язык: английский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: thermal conductivityКНИ МОПТсаморазогревтеплопроводностьSOI MOSFETsself-heatingburied oxideскрытый оксидpower dissipationрассеяние мощности
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения (2019)

В книге

2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM)
IEEE, 2020.
Похожие публикации
Evidence for spin droplets (ferrons) formation in the heavy fermion metal CeB6 with dynamic charge stripes
Azarevich A. N., Khrykina O. N., Bolotina N. B. и др., Solid State Sciences 2025 Vol. 167 Article 107990
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
TCAD Electrothermal Analysis of 3D GAAFET Structures for Future VLSI Circuits
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Stabilizing digenite supercells amid Ni-doped off-stoichiometric bornite nanoparticles as a new approach for achieving ultra-low thermal conductivity
Lashkari A. H., Остовари М. А., Shokuhfar A., Applied Physics A: Materials Science and Processing 2023 Vol. 129 Article 373
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
Определение коэффициента теплопроводности металлов доступными средствами
Петрова Е. Б., Чулкова Г. М., Физика в школе 2024 № 1 С. 46–51
В статье описана лабораторная работа по определению теплопроводности металлов. Для создания экспериментальной установки авторами использовано простое и доступное оборудование. Рассмотрены возможности использования предложенного эксперимента как для лабораторного практикума, так и для ученической проектной работы. ...
Добавлено: 5 декабря 2024 г.
Measurement of the Thermal Conductivity of Carbon Nanowalls by the 3ω Method
Chernodubov D. A., Bondareva J., Shibalov M. V. и др., JETP Letters 2023 No. 117 P. 449–455
Добавлено: 5 мая 2023 г.
Composites based on neat and modified asphaltenes and paraffin: Structure, rheology and heat conductivity
Makarova V. V., Gorbacheva S. N., Kostyuk A. V. и др., Journal of Energy Storage 2022 Vol. 47 Article 103595
Добавлено: 29 января 2023 г.
К вопросу о возможности радикального повышения теплопроводности сред введением дисперсных частиц (обзор)
Макарова В. В., Горбачева С. Н., Антонов С.В. и др., Журнал прикладной химии 2020 Т. 93 № 12 С. 1696–1715
Рассмотрены теоретические аспекты и экспериментальные данные о влиянии добавок твердых микро- и наноразмерных частиц на теплопроводность жидких сред (наножидкостей). Согласно теоретическим расчетам, кратное увеличение теплопроводности возможно только для покоящихся сред при условии формирования в них перколяционных структур из наночастиц модификатора, тогда как в случае циркулирующего теплоносителя и (или) хаотичного распределения частиц в его среде прирост ...
Добавлено: 29 января 2023 г.
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Thermal properties of sediments in the East Siberian Arctic Seas: A case study in the Buor-Khaya Bay
Chuvilin E., Bukhanov B., Grebenkin S. и др., Marine and Petroleum Geology 2021 Vol. 123 Article 104672
Добавлено: 5 октября 2021 г.
Thermal Relaxation in Metal Films Limited by Diffuson Lattice Excitations of Amorphous Substrates
Баева Э. М., Titova N. A., Veyrat L. и др., Physical Review Applied 2021 Vol. 15 No. 5 Article 054014
Добавлено: 14 июня 2021 г.
Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
TCAD-моделирование субмикронных и нанометровых МОПТ КНИ структур с учётом температуры и радиации
Попов Д. А., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 270–277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору