?
Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013)
М. :
ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013.
Научный редактор: Бондаренко Г. Г.
Труды содержат доклады, представленные учеными из России, Украины, Белоруссии, Казахстана,Эстонии, Узбекистана, Германии, Польши, посвященные актуальным проблемам радиационной физики твердого тела (влияние радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влияние факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологические методы получения материалов, в частности наноматериалов, модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, создание и получение экологически чистых материалов с низкой наведенной радиоактивностью и др.).
Главы книги
Эминов П. А., Сезонов Ю. И., Гордеева С. В., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 432–439.
Проведен количественный нализ вклада рассеяния электронов на продольных и изгибных фононахв сопротивление нанотрубки в продольном магнитном поле. Изучена ависимость проводимости наноструктуры от радиуса нанотрубки, поверхностной плотности электронов, температуры и параметра Ааронова-Бома в случае изотропного фононного спектра и с учетом эффекта размерного ограничения заключения фононов. ...
Добавлено: 28 сентября 2013 г.
Четвериков В. М., Смирнов Д. Д., Гузенкова А. С., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 200–209.
Качественная работа космических аппаратов на околоземных орбитах, включая геостационарную орбиту, предполагает применение в составе радиоэлектронных средств этих аппаратов диэлектрических материалов обладающих пониженной электризуемостью. В этом случае, качество работы электронных средств будет существенно выше, за счет отсутствия электростатических разрядов вызываемых электризацией и приводящих к обратимым и необратимым отказам электроники. Для моделирования работы электронных средств в таких ...
Добавлено: 1 октября 2013 г.
Конов К. И., Никеров В. А., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 110–116.
В рамках модели обобщенной диффузии для веществ с зарядовым числом атомов Z от 1 до 82 рассчитан максимальный размер тонкого слоя, торможение электронов с энергией 3-100 кэВ в котором осуществляется без существенного искривления траектории. Показано, что использование формул тонких слоев для пробегов в толстых слоях дает завышенные в корень из (Z/3) значения. При этом ошибка появляется ...
Добавлено: 3 октября 2013 г.
Борисов Н. И., Востриков А. В., Тишкин А. М., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 325–331.
В работе проведена оценка численной устойчивости вычислительной редуцированной схемы, основанной на методах Эйлера. В статье было получено условие численной устойчивости редукционной схемы, которое доказывает возможность использования данной схемы на практике. С помощью тестового примера продемонстрирован расчет по разработанной редуцированной схеме с идентичным результатом , но ускоренный по сравнению традиционными вычислительными схемами. ...
Добавлено: 8 октября 2013 г.
Белик Г. А., Саенко В. С., Абрамешин А. Е., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 440–446.
Описывается новый метод повышения устойчивости бортовой аппаратуры к факторам внутренней электризации путем использования слабопроводящего диалектрика. На примере модельного диэлектрика показана такая возможность. Экспериментально измерены его электрофизические характеристики. По разработанной методике проведена оценка его электризуемости. Обсуждаются полученные результаты. ...
Добавлено: 13 ноября 2013 г.
Никеров А. В., Ихсанов Р. Ш., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 319–324.
Поликарбонат, допированный тритолиламином, относится к группе молекулярно допированных полимеров, электронный транспорт в которых является неравновесным при комнатной температуре. И это несмотря на присутствие горизонтального плато на времяпролетных кривых. Представляет интерес более детальное исследование этого вопроса. ...
Добавлено: 17 ноября 2013 г.
Грач Е. П., Тютнев А. П., Нерето М. О., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 196–199.
Электронный транспорт в молекулярно допированных полимерах с энергией беспорядка более 0,09 эВ является неравновесным при комнатной температуре, что связано с более низкой подвижностью носителей заряда в приповерхностном слое, чем в основном слое. Выполнено численное решение уравнений модели многократного захвата с гауссовым распределением ловушек по энергии. Для получения плато найдено, что толщина дефектного слоя должна быть ...
Добавлено: 17 ноября 2013 г.
Колокольцев В. Н., Боровицкая И. В., Ерискин А. А. и др., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 67–77.
В настоящее время существует много способов нанесения пленок различных материалов на диэлектрические и металлические поверхности [1-4], все они обладают определенными преимуществами и недостатками. Основными способами получения однородных тонких пленок являются способ термического распыления материала, магнетронного распыления и методы химического и электролитического осаждения. Однако после осаждения пленок, для улучшения их адгезии с подложкой часто приходится применять ...
Добавлено: 5 декабря 2013 г.
Cтруктурные особенности кристаллов кремния, подвергнутых облучению протонами и термической обработке
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 211–215.
Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследована структура кристаллов кремния, имплантированных протонами. Проанализировано распределение деформации в нарушенных слоях. ...
Добавлено: 20 февраля 2014 г.
Осадчая А. С., Асадчиков В. Е., Бузмаков А. В. и др., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 188–195.
В работе приведены результаты исследования монокристаллов кремния, выполненные развиваемым авторами методом рентгеновской топо- томографии с использованием лабораторных источников. Описаны схема и условия проведения эксперимента. Получено трехмерное распределение дефектных областей в кристалле. ...
Добавлено: 20 февраля 2014 г.
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Борщевский А. Я., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 9 P. 4793–4803
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.