?
Исследование монокристаллического кремния методом рентгеновской топо-томографии в лабораторных условиях
С. 188-195.
Осадчая А. С., Асадчиков В. Е., Бузмаков А. В., Золотов Д. А., Смирнов И. С.
В работе приведены результаты исследования монокристаллов кремния, выполненные развиваемым авторами методом рентгеновской топо- томографии с использованием лабораторных источников. Описаны схема и условия проведения эксперимента. Получено трехмерное распределение дефектных областей в кристалле.
В книге
М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013
Павлова Т. В., Physical Chemistry Chemical Physics 2020 Vol. 22 P. 21851-21857
Добавлено: 2 ноября 2020 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 31-35
Добавлено: 14 марта 2023 г.
М. : МАКС Пресс, 2020
В выпуске представлены тезисы докладов XIII Международной конференции «Кремний – 2020» и XII Школы молодых ученых по актуальным проблемам физики и технологии кремниевой электроники и нанометровых приборов, освещающие актуальные темы разработки процессов создания перспективной элементной базы и новых путей её использования. Кроме традиционных тем исследования процессов в объёме кремния, на поверхности и на границах раздела, ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V.M., Andryushechkin B. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 23 P. 235410-235410
Добавлено: 16 ноября 2020 г.
Vladimir M. Shevlyuga, Vorontsova Y., Tatiana V. Pavlova, Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 19 P. 8978-8983
Добавлено: 29 мая 2023 г.
Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells
Baidakova N. A., Вербус В. А., Morozova E. E. и др., Semiconductors 2017 Vol. 51 No. 12 P. 1542-1546
Добавлено: 16 февраля 2018 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г., В кн. : Материалы V международного научного семинара "Современные методы анализа дифракционных данных". : Великий Новгород : Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики, 2011. С. 70-72.
В докладе приведены результаты изучения процессов релаксации радиационных дефектов, возникающих при ионной имплантации Si ионами H+, в ходе термической обработки. Измерения проведены методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД). ...
Добавлено: 28 марта 2013 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3-6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Мезенцев А. С., Ясницкий Л. Н., Прикладная информатика 2022 Т. 17 № 6 С. 56-67
В настоящее время появляются работы, посвященные применению методов машинного обучения для решения различных производственных задач, в частности – задачи диагностики и прогнозирования дефектов серийно выпускаемых изделий. Цель настоящей работы состоит в том, чтобы показать, что методы машинного обучения, помимо задач диагностики и прогнозирования дефектов, позволяют решать задачу определения регламента на параметры технологических процессов и применяемых ...
Добавлено: 31 января 2023 г.
Представлены результаты измерений деформации изделий, изготовленных методами аддитивных
технологий. Показан процесс поиска и определения подповерхностных дефектов расслоения и несплошности бесконтактным оптическим методом, основанным на шерографии. Указанный метод
работает на принципах интерферометрии и голографии. С его помощью можно регистрировать малейшие перемещения поверхности с точностью порядка длины волны света. аДля настройки шерографа использовано градуировочное устройство, воспроизводящее деформацию поверхности. Результаты ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260-264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153-157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Мкртчян Т. Р., Известия высших учебных заведений. Технология легкой промышленности 2014 Т. 23 № 1
Сегодня для предприятий легкой промышленности особую значимость приобретает процесс всеобщего управления качеством. В статье на примере конкретного предприятия описан процесс разработки интегрального показателя эффективности функционирования предприятия отрасли с учетом специфики производственного процесса и характерных для данного вида деятельности разновидностей дефектов и несоответствий продуктов и процессов, возникающих в ходе производства. В результате проведенного исследования разрабатываются рекомендации ...
Добавлено: 22 апреля 2013 г.
Reznik R., Ilkiv I., Kotlyar K. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2022 Vol. 16 No. 7 Article 2200056
Комбинации нитевыдных нанокристаллов (ННК) AIIIBV с квантовыми точками (КТ) являются многообещающими материалами для квантовых источников света. В настоящей работе впервые показаны результаты выращивания ННК AlGaAs с КТ InGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Определена оптимальная температура роста и исследованы физические свойства выращенных наноструктур. Показано, что выращенные наноструктуры проявляют сигнал фотолюминесценции (ФЛ) вплоть до комнатной температуры в широком ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Смирнов И. С., Монахов И. С., Егоров А. А. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 1 С. 34-37
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования – in-situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. В статье описываются возможности метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования.Приведены результаты экспериментов ...
Добавлено: 19 марта 2013 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Монахов И. С. и др., Russian Microelectronics 2014 Vol. 43 No. 8 P. 587-589
The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining ...
Добавлено: 11 марта 2015 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Шалеев М. В., Новиков А. В., Юрасов Д. В. и др., В кн. : Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 2018 г., Нижний Новгород. Т. 2: секция 3.: Н. Новгород : Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018. С. 815-816.
Развит оригинальный метод нанотекстурирования поверхности кристаллического кремния, основанного на использовании GeSi самофокусирующихся наноостровков в качестве маски для анизотропного травления Si. Развитый метод характеризуется малой толщиной удаляемого кремния и позволяет в широком спектральном диапазоне значительно уменьшить отражение от поверхности кремния и увеличить поглощение излучения ближнего и среднего ИК диапазона. Это делает перспективным применение этого метода нанотекстурирования ...
Добавлено: 25 октября 2019 г.
Starikov S., Gordeev I., Lysogorskiy Y. и др., Computational Materials Science 2020 Vol. 184 Article 109891
Добавлено: 28 января 2022 г.
Cтруктурные особенности кристаллов кремния, подвергнутых облучению протонами и термической обработке
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г., В кн. : Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 211-215.
Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследована структура кристаллов кремния, имплантированных протонами. Проанализировано распределение деформации в нарушенных слоях. ...
Добавлено: 20 февраля 2014 г.
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
Skorokhodov E., Zhidomirov G.M., Eltsov K.N. и др., Journal of Physical Chemistry C 2019 Vol. 123 No. 32 P. 19806-19811
Добавлено: 25 октября 2019 г.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
Zelenina A. I., Gordeev I. S., Колотова Л. Н., Journal of Non-Crystalline Solids 2023 Vol. 606 Article 122215
Добавлено: 28 июня 2023 г.