Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers

Публикации

?

Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers

Journal of Physics: Condensed Matter. 2022. Vol. 34. Article 405302.

Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

DOI

Текст на другом сайте

Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции

Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978

Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers

Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot

Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами

Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554

Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Controllable single-spin evolution at subharmonics of electric dipole spin resonance enhanced by four-level Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interference

Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного спинового резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие

Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178

Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами

Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349

Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg0.3Cd0.7Te

Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342

Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Spin flip locking by the tunneling and relaxation in a driven double quantum dot with spin-orbit coupling

Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Pashin D. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 08 Article 085427

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Управление динамикой спина в двойной полупроводниковой квантовой точке с помощью бигармонического электрического поля

Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика твёрдого тела, Российская Федерация 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648

Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

ЛЗШМ- и ЭДСР-интерферометрии и одноэлектронная динамика в двойной квантовой точке на краю топологического изолятора с магнитными барьерами

Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687

Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn

Хомицкий Д. В., Дорохин М. В., Ведь М. В. и др., Физика твёрдого тела, Российская Федерация 2026 Т. 68 № 8 С. 1325–1332

Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3

Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510

Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...

Добавлено: 11 марта 2026 г.

Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures

Карабасов Т., Бобкова И. В., Pavel M. Marychev и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23

Добавлено: 22 декабря 2025 г.

Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights

Flammini R., Hogan C., Colonna S. и др., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336

Добавлено: 6 сентября 2025 г.

Current flow in topological insulator Josephson junctions due to imperfections

Piasotski K., Lesser O., Reich A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 17 Article 174527

Recent experiments on planar superconductor-topological insulator-superconductor (S-TI-S) junctions, e.g., in the Corbino geometry, have reported low-temperature nonzero Josephson currents in states with integer fluxoid (flux) induced in the junction by a perpendicular magnetic field. This effect was discussed in connection with Majorana zero modes localized in Josephson vortices of such junctions. Here, we provide an ...

Добавлено: 27 мая 2025 г.

Low-threshold surface-emitting whispering-gallery mode microlasers

Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2025 Vol. 31 No. 2 Article 1502808

Добавлено: 9 января 2025 г.

Lasing of Quantum-Dot Micropillar Lasers Under Elevated Temperatures

Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2025 Vol. 31 No. 5 Article 1900208

A comprehensive numerical modelling of microcavity parameters for micropillar lasers with optical pumping was presented. The structure with a hybrid dielectric-semiconductor top mirror has a significantly higher calculated quality-factor (∼65000 for 5 μm pillar) due to better vertical mode confinement. The minimum laser threshold (∼370 μW for 5 μm pillar) coincided with a temperature of ...

Добавлено: 9 января 2025 г.

Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique

Махов И. С., Комаров С. Д., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 2 P. 387–390

Добавлено: 9 января 2025 г.

Study of InAs/GaAs quantum dots formation in subcritical growth modes on patterned substrates

Chernenko N. E., Махов И. С., Balakirev S. V. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 3.1 P. 64–68

Добавлено: 5 февраля 2024 г.

Resource-efficient low-loss four-channel active demultiplexer for single photons

M. Dryazgov, Biriukov Y., Dyakonov I. и др., Optica Quantum 2023 Vol. 1 No. 1 P. 14–18

Добавлено: 30 октября 2023 г.

Half-Ring Microlasers Based on InGaAs Quantum Well-Dots with High Material Gain

Fedor Zubov, Моисеев Э. И., Mikhail Maximov и др., Photonics 2023 Vol. 10 No. 3 Article 290

Добавлено: 27 июня 2023 г.

Topological Josephson junction in transverse magnetic field

Backens S., Shnirman A., Махлин Ю. Г., JETP Letters 2022 Vol. 116 No. 12 P. 891–895

Добавлено: 10 декабря 2022 г.

Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe

Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н. и др., В кн.: XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников.: Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022. С. 153.

Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину. ...

Добавлено: 7 декабря 2022 г.