The Effect of the Gate Material in MIS Structures on the High-Field Charge Degradation in the Gate Dielectric

Andreev D. V.; Kornev S. A.; Bondarenko G.G.; Andreev V. V.

Публикации

?

The Effect of the Gate Material in MIS Structures on the High-Field Charge Degradation in the Gate Dielectric

Inorganic Materials: Applied Research. 2026. Vol. 17. No. 5. P. 1226–1230.

Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G., Andreev V. V.

Научное направление: Технологии материалов Физика

Язык: английский

Полный текст

Ключевые слова: МДП-структуры gate dielectric подзатворный диэлектрик MIS structures high-field charge degradation сильно-полевая зарядовая деградация

Molecular dynamics and machine learning insights into oil-brine interfacial tension: Uncovering roles of dissolved gases and salinity

Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444

Добавлено: 28 октября 2026 г.

Predicting multi-component oil viscosity using machine learning methods

Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616

Добавлено: 28 октября 2026 г.

PARSE: Physical attribute representativity and stationarity evaluator open-source library for 3D images using scalar and vector metrics

Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860

Добавлено: 28 октября 2026 г.

Low-energy collective excitations in a gold monolayer, Vyacheslav Silkin and Maxim Kagan Working papers by Cornell University Series cond-mat other “arxiv org” 2610. 31805 22 Oct. 2026

Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.

Аннотация Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...

Добавлено: 27 октября 2026 г.

From frozen Coulomb decoherence to thermalization: Classical and quantum density-matrix routes to Balescu–Lenard and Landau kinetics

Будков Ю. А., Annals of Physics 2026 Vol. 495 No. 3 Article 170796

Добавлено: 26 октября 2026 г.

On non-Abelian waves repeatedly changing sign at constant phases

Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168

Добавлено: 26 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 23 октября 2026 г.

Stress tensor in fundamental measure theory of hard-sphere fluids: A thermomechanical approach

Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16 Article 164108

Добавлено: 22 октября 2026 г.

Количественный фазовый анализ сплавов системы Al-Cu-Li-Mg

Бецофен С. Я., Осинцев О. Е., Кабанова Ю. А. и др., Вестник Московского авиационного института 2016 Т. 23 № 4 С. 181–188

Методами рентгеноструктурного анализа и механических испытаний на растяжение исследованы особенности формирования анизотропии механических свойств, текстуры и фазового состава тонколистовых сплавов Al–4,3Cu–1,4Li–0,4Mg и Al–1,8Li–1,8Cu–0,9Mg. Установлен различный тип анизотропии прочностных свойств сплавов: нормальный (прочность в долевом направлении выше, чем в поперечном) для сплава Al–4,3Cu–1,4Li–0,4Mg и обратный для сплава Al–1,8Li–1,8Cu–0,9Mg. Показано, что на анизотропию прочностных свойств влияет не ...

Добавлено: 21 октября 2026 г.

Отсутствие отражения фонон-поляритона от края металлической маски на поверхности SiC

Ивченко В. С., Иевлева В. А., Матиенко Д. А. и др., Журнал технической физики 2026 № 9 С. 1738–1749

Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Исследование движения сферического фронта клеток в вязком матриксе: роль клеточных делений и взаимодействия клеток с матриксом при развитии опухолей

Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75

Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате, состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Phase Transitions in the Ni2.14Mn0.81Fe0.05Ga Heusler Alloy under the Influence of a Magnetic Fild and Hydrostatic Pressure

Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Разработка метода модификации поверхности чугуна ВЧ40 с повышенной стойкостью к гидроабразивному износу

Сказочкин А. В., Бондаренко Г.Г., Гайдар А. И. и др., Перспективные материалы 2026 № 11 С. 60–75

Рассмотрены механизмы структурно-фазовой перестройки и физико-химические процессы при формировании износостойких и коррозионно-пассивных покрытий на чугуне ВЧ40 комбинированной технологией, сочетающей ультразвуковое пластическое деформирование и электроискровое легирование (ЭИЛ). Образцы модифицировали ультразвуковым индентором (УЗИ) в среде микрочастиц SiO2 (5 мкм) под давлением 400 МПа с последующим ЭИЛ графитовым и твердосплавным (ВК8) электродом. Структуру, состав и микротвердость изучали методами сканирующий электронный микроскопии совмещенной с энергодисперсионной рентгеновской ...

Добавлено: 16 октября 2026 г.

Structure and conformational dynamics of formamide molecule in the ground and lowest excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of N-methylformamide in ground S0 and excited S1 and T1 electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of acetamide in the ground and lowest excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of N-methylacetamide molecule in the ground and excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Ground state geometry of PPV oligomers

Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Effects of π-spacer and fluorine loading on the optoelectronic and photovoltaic properties of (X-DADAD)n benzodithiophene-based conjugated polymers

Тукачев Н. В., Akkuratov A., Kuznetsov I. и др., Synthetic Metals 2020 Vol. 259 Article 116231

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Влияние материала затвора МДП-структур на процессы сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика

Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др., Перспективные материалы 2026 № 6 С. 5–11

Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока. Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...

Добавлено: 21 мая 2026 г.

Using Injection-Thermal Treatment to Reduce Defectiveness of Dielectric Films of MIS Structures

Andreev D. V., Kornev S. A., G. G. Bondarenko и др., Inorganic Materials: Applied Research 2025 Vol. 16 No. 5 P. 1301–1305

Добавлено: 12 сентября 2025 г.

Использование инжекционно-термической обработки для уменьшения дефектности диэлектрических пленок МДП-структур

Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др., Перспективные материалы 2025 № 5 С. 17–23

Рассмотрена инжекционно-термическая обработка (ИТО) МДП-структур в режиме ступенчато-возрастающей плотности сильнополевого инжекционного тока, ограниченной значением Jb, при которой не происходит заметных процессов необратимой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика и его границы раздела с полупроводником. Плотность заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик при проведении ИТО, должна обеспечивать выявление образцов с внешними дефектами. Установлено, что проведение инжекционно-термической обработки позволяет существенно снизить плотность внешних дефектов в диэлектрической пленке ...

Добавлено: 17 мая 2025 г.

Programmable set to monitor charge state change of MIS devices under high-fields

Andreev D., Gennady G. Bondarenko, Andreev V. и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–3.

Добавлено: 31 августа 2022 г.