• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Влияние заряженных центров на транспорт дырок в молекулярно допированных полимерах
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Влияние заряженных центров на транспорт дырок в молекулярно допированных полимерах

С. 196–199.
Грач Е. П., Тютнев А. П., Нерето М. О.

Электронный транспорт в молекулярно допированных полимерах с энергией беспорядка более 0,09 эВ является неравновесным при комнатной температуре, что связано с более низкой подвижностью носителей заряда в приповерхностном слое, чем в основном слое. Выполнено численное решение уравнений модели многократного захвата с гауссовым распределением ловушек по энергии. Для получения плато найдено, что толщина дефектного слоя должна быть 0,55 мкм при подвижности дырок в нем в 18 раз более низкой, чем в объеме при толщине образцов около 23 мкм.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: электронный транспортмолекулярно допированный полимер
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Влияние полярности среды на электронный транспорт в полимерах (2012)

В книге

Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013)
Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013)
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013.
Похожие публикации
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Различные режимы электронного транспорта в допированных нанопроволоках InAs
Жуков А. А., И. E. Батов, Журнал экспериментальной и теоретической физики 2024 Т. 165 № 3 С. 424–437
Представлены результаты измерения магнитотранспорта в допированных кремнием нанопроволоках InAs в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа, так называемая техника scanning gate microscopy (SGM). Увеличивая концентрацию носителей в нанопроволоке путем прикладывания положительного напряжения на нижний затвор, удалось последовательно провести транспорт в нанопроволоке через четыре различных режима, а именно, остаточный режим кулоновской блокады, резонансный нелинейный и линейный режимы и, наконец, режим ...
Добавлено: 14 апреля 2024 г.
Microwave response of a chiral Majorana interferometer
Shapiro D., Mirlin A., Shnirman A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 3 Article 035434
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Вынужденная диффузия скоррелированных примесей в пайерлсовском проводнике o-TaS3
Минакова В. Е., Никитина А. М., Зайцев-Зотов С. В., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 112 № 6 С. 367–373
Показано, что в ромбическом TaS3 с дефектами закалки при изменении температуры в области ниже температуры пайерлсовского перехода T < TP возникает вынужденная диффузия дефектов, обусловленная их сильным взаимодействием с волной зарядовой плотности (ВЗП). Определены взаимосвязи между концентрацией дефектов закалки n и пороговым полем начала скольжения ВЗП ET , а также сдвигом TP , вызванным внесением дефектов: ET ∝ n и ∆TP ∝ n. Такой набор законов соответствует скоррелированному с ВЗП расположению ...
Добавлено: 28 октября 2021 г.
Магнетосопротивление квазиодномерного вейлевского полуметалла (TaSe4)2I
Кон И. А., Зыбцев С. Г., Орлов А. П. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 112 № 2 С. 93–100
Изучено влияние магнитного поля на линейную и нелинейную проводимость квазиодномерного по- луметалла Вейля с волной зарядовой плотности (ВЗП) (TaSe4)2I. Продольное магнетосопротивление во всех известных режимах движения ВЗП (линейная проводимость, крип, скольжение, “сверхпрово- димость Фрелиха”) положительно и не превышает доли процента. Аналогичные магнетотранспортные измерения были выполнены в образцах, профилированных сфокусированными ионными пучками та- ким образом, что ...
Добавлено: 28 октября 2021 г.
Новый политип NbS3, квазиодномерного проводника с высокотемпературной волной зарядовой плотности
Зыбцев С. Г., Табачкова Н. Ю., Покровский В. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2021 Т. 114 № 1 С. 36–40
Синтезирован новый политип NbS3-квазиодномерного проводника с высокотемпературными волна- ми зарядовой плотности (ВЗП). Исследования в просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) при комнатной температуре показали, что из двух сверхструктур, существующих в изученной ранее моно- клинной фазе, наблюдается лишь одна, с периодом вдоль цепочек, близким к (1/0.352)b. Помимо этого, наблюдается новое несоизмеримое искажение решетки с периодом, близким к 2b. Транспортные свой- ...
Добавлено: 28 октября 2021 г.
Magnetic and magnetotransport properties of Bi2Se3 thin films doped by Eu
Aronzon B. A., Oveshnikov L. N., Prudkoglyad V.A. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2018 Vol. 459 No. 1 P. 331–334
Добавлено: 13 июля 2018 г.
Bulk and surface electron transport in topological insulator candidate YbB6–δ
Глушков В. В., Божко А. Д., Богач А. В. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2016 Vol. 10 No. 4 P. 320–323
Добавлено: 25 февраля 2017 г.
The Nature of the Field Dependence of Drift Mobility in Molecularly Doped Polymers
A. P. Tyutnev, V.S. Saenko, A.E. Abrameshin, Polymer Science - Series A 2016 Vol. 58 No. 5 P. 818–824
Добавлено: 3 июня 2016 г.
Hole Transport in Bisphenol‑A Polycarbonate Doped with N,N′‑Diphenyl‑N,N′‑bis(3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl]-4,4′-diamine
Weiss D., Andrey P. Tyutnev, Evgenii D. Pozhidaev, Journal of Physical Chemistry 2015 Vol. 119 No. 3 P. 5334–5340
Добавлено: 24 мая 2015 г.
Радиационная электропроводность и электронный транспорт в полистироле
Тютнев А. П., Садовничий Д. Н., Саенко В. С. и др., Высокомолекулярные соединения. Серия А 2005 Т. 47 № 11 С. 1971–1978
Проведено исследование временной зависимости переходного тока в ПС в режиме малого сигнала как на этапе его возгорания, так и на этапе спада при нескольких значениях напряженности приложенного электрического поля и дозы предварительного облучения. Показано, что хотя радиационная электропроводность ПС и определяется в значительной степени свободными носителями заряда, но учет затянутости процесса термополевой диссоциации геминальных пар ...
Добавлено: 23 января 2014 г.
Электронный транспорт в молекулярно допированных полимерах в присутствии заряженных центров
Тютнев А. П., Саенко В. С., Колесников В. А. и др., Химическая физика 2005 Т. 24 № 6 С. 78–84
Показано, что при комнатной температуре дисперсионный транспорт дырок в поликарбонате, до-пированном 30 мас. % ароматического гидразона ДЭШ, в интервале времен наблюдения до 1с не зависит от присутствия в его объеме заряженных центров в концентрации 6 1017-6 1019 м-3. Влияние дозы излучения за импульс на времяпролетную кривую обусловлено протеканием бимолекулярной рекомбинации. Оба этих результата полностью согласуются ...
Добавлено: 16 января 2014 г.
Электронный транспорт в молекулярно допированных полимерах при наличии заряженных центров
Грач Е. П., Величко А. В., Нерето М. О., В кн.: Труды ХХII Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 9-14 июля 2012 г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2012. С. 237–242.
Исследовано влияние предварительного излучения на форму переходного тока при времяпролетном эксперименте. Показано, что имеются существенные различия в форме кривых и уровнях токов для случая предварительного облучения образцов с приложенным напряжением и без него. При переходе к более тонким образцам сохраняются практически все результаты, полученные для более толстых образцов, но интенсивность несколько снижается. В этом случае ...
Добавлено: 21 ноября 2012 г.
О природе дефектного слоя в образцах молекулярно допированных полимеров
Тютнев А. П., Абрамешин А. Е., Грач Е. П. и др., Высокомолекулярные соединения. Серия А 2012 Т. 54 № 12 С. 1743–1747
Проанализирована форма времяпролетных кривых в режиме приповерхностного облучения образца электронами низких энергий для свободных пленок типичного молекулярно допированного полимера различной толщины (11–45 мкм). Особое внимание уделено сравнению кривых, регистрируемых для разных сторон образца. Полученные данные подтверждают гипотезу, согласно которой дефектный слой образуется за счет выпаривания молекул допанта на этапе приготовления образцов, и находятся в качественном ...
Добавлено: 21 ноября 2012 г.
Влияние дефектного слоя на подвижность носителей в молекулярно допированных полимерах
Грач Е. П., Величко А. В., Доронин А. Н., В кн.: Труды ХХII Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 9-14 июля 2012 г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2012. С. 229–236.
Исследовано влияние дефектного приповерхностного слоя в молекулярно допированных полимерах. Этот слой является обедненным слоем, образующимся за счет выпаривания молекул допананта на этапе приготовления пленки. Проведено сравнение экспериментальных времяпролетные кривых, относящихся к облучению образцов различной толщины электронами низкой энергии с обеих сторон свободных пленок типичного молекулярно допированного полимера. Наблюдается значительный (до 20%) разброс времени пролета, определенных ...
Добавлено: 21 ноября 2012 г.
Теоретическое описание электронного транспорта в гомо- и молекулярно допированных полимерах
Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С. и др., Химия высоких энергий 2011 Т. 45 № 5 С. 437–444
Рассмотрены общие вопросы электронного транспорта в неупорядоченных органических средах (полимеры, органические стекла, молекулярно допированные полимеры). Дан критический анализ экспериментальных результатов, их интерпретации в рамках основных теоретических моделей, а также экспериментальных методов, применяемых при проведении исследований в этой области. Особое внимание уделено сравнительному анализу данных, полученных времяпролетным методом и в ходе изучения радиационной электропроводности полимеров, в ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору