?
Cтруктурные особенности кристаллов кремния, подвергнутых облучению протонами и термической обработке
С. 211–215.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г.
Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследована структура кристаллов кремния, имплантированных протонами. Проанализировано распределение деформации в нарушенных слоях.
В книге
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013.
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Shandyba N. A., Eremenko M. M., Dukhan D. D. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 19–22
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427
Добавлено: 20 октября 2025 г.
T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701
Добавлено: 27 июня 2025 г.
Власенко Л. С., Федосов И. С., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 9 С. 3–5
Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости зарегистрированы и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров на поверхности пластин кремния с ориентациями (111), (110) и (100), не подвергнутых термическому окислению, после их естественного окисления на воздухе. Обсуждены оптимальные экспериментальные условия регистрации спектров с чувствительностью на порядок больше, чем в случае обычного метода электронного парамагнитного ...
Добавлено: 12 мая 2025 г.
Batraev I., Dudina D., Rybin D. и др., International Journal of Advanced Manufacturing Technology 2023 Vol. 129 P. 2647–2659
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 160 No. 5 Article 054701
For the most precise incorporation of single impurities in silicon, which is utilized to create quantum devices, a monolayer of adatoms on the Si(100) surface and a dopant-containing molecule are used. Here we studied the interaction of a phosphorus tribromide with a chlorine monolayer with mono- and bivacancies in a scanning tunneling microscope (STM) at ...
Добавлено: 2 июля 2024 г.
Аксенов О. И., Фукс А. А., Абросимова Г. Е. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2023 Vol. 17 No. 5 P. 954–959
Добавлено: 31 мая 2024 г.
Гридчин В. О., Сошников И. П., Резник Р. Р. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 32–35
Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза. ...
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2024 Vol. 18 No. 2 P. 408–412
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153–157
Добавлено: 3 июля 2023 г.