?
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2021. Vol. 104. No. 12. Article 125309.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V., Demina P. B., Kabaev K. S., Balanta M. A., Ikawa F., Zvonkov B. N., Dikareva N. V.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Pashin D. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 08 Article 085427
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика твёрдого тела, Российская Федерация 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Kaveev A., Kropotov G., Tsygankova E. и др., Applied Optics 2013 Vol. 52 No. 4 P. B60–B69
Добавлено: 11 июня 2026 г.
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used
during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence
spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the
longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
P. S. Berezhnoy, Koreyev A. S., A. B. Van'kov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 23 Article 235306
Добавлено: 14 января 2025 г.
Koreyev A. S., P.S. Berezhnoy, Gorbunov A. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 16 Article 165417
The phase diagram of the “gas-magnetoexciton condensate” transition of an excited two-dimensional electron
system placed in a quantizing magnetic field has been constructed in the “temperature-laser excitation power
density” coordinates. Based on the experimental data, we can conclude that the condensate is a collective,
incompressible in real space, excited state of a quantum Hall insulator. ...
Добавлено: 10 января 2025 г.
Никитина Е. В., Соболев М. С., Пирогов Е. В. и др., Конденсированные среды и межфазные границы 2024 Т. 26 № 3 С. 490–495
Добавление нескольких процентов азота в GaP или GaPAs позволяют получить твердые растворы GaPNAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с кремниевой подложкой в большом диапазоне значений ширины запрещенной зоны, что дает возможность получения оптоэлектронных кремниевых интегральных схем. Однако материалы с небольшой долей азота являются мало изученными из-за сложности в эпитаксиальном выращивании четверных твердых растворов с тремя ...
Добавлено: 24 ноября 2024 г.
Shalygin V. A., Махов И. С., Adamov R. B. и др., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 No. 19 Article 195703
Добавлено: 23 ноября 2024 г.
Аникеева В. Е., Болдырев Н. Ю., Семенова О. И. и др., Оптика и спектроскопия 2024 Т. 132 № 8 С. 793–799
Представлены результаты исследования температурных зависимостей спектров люминесценции (3.6−120 K) при возбуждении светом с длиной волны 405 nm и бесконтактно измеренной фотопроводимости (3.6−300 K) монокристалла CsPbBr3. В низкотемпературном спектре фотолюминесценции (ФЛ), кроме линии автолокализованного экситона (2.318 eV при 10 K), наблюдаются богатая структура, возможно, относящаяся к экситонно-примесным комплексам, и широкая полоса с максимумом около 2.24 eV, ...
Добавлено: 29 октября 2024 г.
Махов И. С., Крыжановская Н. В., Драгунова А. С. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 276 Article 120819
One drawback of self-organized quantum dots is their low optical gain. The development of new shaping methods that would allow higher gain, for example, due to a higher surface density of the QD array, remains an important task to date. In the present work, arrays of quantum dots have been formed by substituting phosphorous atoms ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222
Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.