?
Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence
P. 244–253.
The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented and examined with emphasis on application for radiation hardened electronics systems.
В книге
* 3. , M.: HSE, 2014.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., , in: 2025 31st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 24-26 Sept. 2025.: IEEE, 2025. P. 1–4.
Добавлено: 5 ноября 2025 г.
Попов Д. А., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709
В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...
Добавлено: 13 апреля 2025 г.
Новиков К. В., В кн.: «Фундаментальные, поисковые, прикладные исследования и инновационные проекты». Сборник трудов Национальной научно-практической конференции.: М.: РТУ МИРЭА, 2022. С. 261–264.
Создание сенсора однофазных замыканий в воздушной линии электропередач с учётом жёстких ограничений по массе, габаритам, потребляемой электроэнергии и взаимному расположению сенсора и фазного провода является нетривиальной задачей. Традиционно для этих целей применяют пояс Роговского, снабжённый либо активным (с высоким энергопотреблением), либо пассивным (уступающим по массогабаритным параметрам) полосовым фильтром. В данной работе предлагается вариант реализации подобного ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 15 декабря 2022 г.
Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.
Добавлено: 26 июля 2022 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
Тихонов Е. О., Sneps-Sneppe M., International Journal of Open Information Technologies 2019 Vol. 7 No. 7 P. 13–26
В статье представлены теоретические основы современного метода хранения, передачи и обработки сигналов: цифровой обработки. Это способ использовать относительно небольшое количество информации (данных) вместо непрерывного реального сигнала.
Например, при передаче информации в телефонии речь сосредоточена в полосе частот до 4 кГц. Но нужна удвоенная частота дискретизации 8 кГц в цифровом виде. Это фундаментальное требование.
Причина в том, что дискретизированный ...
Добавлено: 9 апреля 2022 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667
Добавлено: 26 сентября 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., Петросянц К. О., Самбурский Л. М. и др., , in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2020. P. 97–103.
Добавлено: 5 июня 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 232–235.
На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Wien: DAAAM International Vienna, 2020.
Добавлено: 27 октября 2020 г.
Елизаров А. А., Назаров И. В., Скуридин А. А., , in: 14th European Conference on Antennas and Propagation (EuCAP 2020), 15 - 20 March 2020 Copenhagen, Denmark. Catalog number: CFP2077B-ART. ISBN:978-88-31299-00-8.: IEEE, 2020. P. 1–4.
Добавлено: 20 августа 2020 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Попов Д. А., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 270–277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.