?
Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации
С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие ...
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., , in: 2025 31st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 24-26 Sept. 2025.: IEEE, 2025. P. 1–4.
Добавлено: 5 ноября 2025 г.
Особенности интерпретации радиационно-импульсной электропроводности полимеров при низкой температуре
Исследована радиационно-импульсная электропроводность полиэтилена и полипропилена при низкой (порядка 100 К) температуре при воздействии импульсов электронов с энергией 50 кэВ длительностью 1 мс. Для объяснения полученных результатов использована модель Роуза–Фаулера–Вайсберга. Показано, что при ее использовании необходимо учитывать различие сдвигов носителей в единичном электрическом поле до первого захвата и носителей, двигающихся путем перезахвата по ловушкам . ...
Добавлено: 26 сентября 2025 г.
Yastrebinsky R. N., Bondarenko G.G., Pavlenko V. I. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2024 Vol. 15 No. 2 P. 319–327
Добавлено: 25 мая 2024 г.
Полесский С. Н., Сетдиков Р. М., Тув А. Л. и др., В кн.: Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIХ Международной научно-практической конференции, 15–17 ноября 2023 г. В 2 частях, часть 1.Ч. 1.: Томск: В-Спектр, 2023. С. 128–131.
Спектрометры гамма-излучения – это устройства, предназначенные для измерения энергии и интенсивности
гамма-квантов в различных образцах веществ или материалов. Они используются во многих областях науки и
техники, включая ядерную физику, медицинскую диагностику, радиохимические исследования и контроль за
безопасностью окружающей среды. Рассматриваются конструкция спектрометра гамма-излучения и его принцип работы. Также обсуждается возможность его дальнейшего развития и совершенствования. ...
Добавлено: 26 февраля 2024 г.
Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 15 декабря 2022 г.
Ястребинский Р. Н., Бондаренко Г. Г., Карнаухов А. А. и др., Перспективные материалы 2022 № 6 С. 25–36
В работе представлены расчётные данные по сравнительной оценке радиационно-защитных свойств материалов на основе гидрида титана, полученные методом многогруппового моделирования защиты от нейтронного и гамма излучения. Рассмотрено два типа композиций за стальным корпусом реактора и свинцовой защитой. Показано, что гамма-излучение за защитой из гидрида титана формируется захватным излучением, возникающим в начальных слоях защиты. Вторичное гамма-излучение, образующееся ...
Добавлено: 27 августа 2022 г.
Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.
Добавлено: 26 июля 2022 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020.
Тематика
Внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры
Радиационные и электромагнитные эффекты в изделиях радиоэлектроники, механизмы деградации параметров, отказы, одиночные сбои
Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения
Расчётные методы определения радиационной стойкости изделий
Испытательные установки, дозиметрическое и метрологическое сопровождение испытаний ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Добавлено: 19 декабря 2020 г.
Садовничий Д. Н., А.П. Тютнев, Мелехин Ю. М., Известия Академии наук. Серия химическая 2020 № 9 С. 1607–1613
В обзоре рассмотрено современное состояние вопросов экспериментального и теоретического изучения радиационно-индуцированной электропроводности и электризации полимерных диэлектриков при воздействии пучков электронов. Обсуждается влияние молекулярной подвижности на транспорт избыточных носителей заряда в полимерных материалах. ...
Добавлено: 15 декабря 2020 г.