?
Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС
С. 232–235.
На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., , in: 2025 31st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 24-26 Sept. 2025.: IEEE, 2025. P. 1–4.
Добавлено: 5 ноября 2025 г.
Новиков К. В., В кн.: «Фундаментальные, поисковые, прикладные исследования и инновационные проекты». Сборник трудов Национальной научно-практической конференции.: М.: РТУ МИРЭА, 2022. С. 261–264.
Создание сенсора однофазных замыканий в воздушной линии электропередач с учётом жёстких ограничений по массе, габаритам, потребляемой электроэнергии и взаимному расположению сенсора и фазного провода является нетривиальной задачей. Традиционно для этих целей применяют пояс Роговского, снабжённый либо активным (с высоким энергопотреблением), либо пассивным (уступающим по массогабаритным параметрам) полосовым фильтром. В данной работе предлагается вариант реализации подобного ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 15 декабря 2022 г.
Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.
Добавлено: 26 июля 2022 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
Тихонов Е. О., Sneps-Sneppe M., International Journal of Open Information Technologies 2019 Vol. 7 No. 7 P. 13–26
В статье представлены теоретические основы современного метода хранения, передачи и обработки сигналов: цифровой обработки. Это способ использовать относительно небольшое количество информации (данных) вместо непрерывного реального сигнала.
Например, при передаче информации в телефонии речь сосредоточена в полосе частот до 4 кГц. Но нужна удвоенная частота дискретизации 8 кГц в цифровом виде. Это фундаментальное требование.
Причина в том, что дискретизированный ...
Добавлено: 9 апреля 2022 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Харитонов И. А., Куликов Н. А., Звягинцев Д. В., В кн.: Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.: Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020. Гл. 2 С. 10–16.
Приведено исследование характеристик и разработка SPICE моделей микросхем IN74AC04, содержащих в одном корпусе по четыре инвертора, для условий низкоинтенсивного гамма-излучения ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Елизаров А. А., Назаров И. В., Скуридин А. А., , in: 14th European Conference on Antennas and Propagation (EuCAP 2020), 15 - 20 March 2020 Copenhagen, Denmark. Catalog number: CFP2077B-ART. ISBN:978-88-31299-00-8.: IEEE, 2020. P. 1–4.
Добавлено: 20 августа 2020 г.
Харитонов И. А., В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули"Т. 1. Вып. 96.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 300–307.
Рассмотрены и проанализированы схемотехнические (SPICE) модели МОП-транзисторов для учета эффектов старения (временнОй деградации) их параметров, обусловленных попаданием «горячих» носителей в подзатворный окисел вследствие сильных электрических полей в структурах МОПТ. Рассмотрены модели, используемые в коммерческих пакетах проектирования схем, предложенные другими авторами и разработанная автором макромодель МОПТ, учитывающая указанные эффекты старения. ...
Добавлено: 26 июня 2020 г.
Gourary M. M., Rusakov S. G., Ульянов С. Л. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. P. 1–4.
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Gourary M. M., Rusakov S. G., Ульянов С. Л. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018).: IEEE Computer Society, 2018. P. 123–128.
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 410–411
В работе рассмотрены проблемы построения алгоритмов моделирования переходного процесса и периодического установившегося режима интегральных схем с помощью методов огибающих. Предложены алгоритмы огибающих на базе применения одношаговых методов высокого порядка для решения обыкновенных дифференциальных уравнений (ОДУ). ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.