?
Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
IEEE Transactions on Nuclear Science. 2021. Vol. 68. No. 8. P. 1660-1667.
Wang Y., Liu F., Li B., Li B., Huang Y., Yang C., Zhang J., Wang G., Luo J., Han Z., Петросянц К. О.
Бондаренко Г. Г., Фишер М. Р., Кристя В. И., Journal of Physics: Conference Series 2012 Vol. 406 No. 012031 P. 1-6
Выполнено моделирование кинетики транспорта и взаимодействия электронов, ионов и метастабильных возбужденных атомов в слаботочном разряде в смеси аргон-ртуть между плоскими электродами газоразрядного прибора и исследовано влияние температуры газа на концентрацию и плотность потока частиц. Получены распределения плотностей заряженных и возбужденных частиц между электродами при различных значениях температуры. Их них следует, что главным механизмом образования ионов ...
Добавлено: 17 января 2013 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Разработана математическая модель многоканального узла сенсоров на основе алмазных чувствительных элементов для модуля контроля параметров потоков космического излучения. Проведено моделирование формирования выходных сигналов многоканального узла сенсоров при регистрации ионизирующего излучения космического пространства для различных орбит космических аппаратов и различной активности Солнца. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (уникальный идентификатор RFMEFI 60514Х0001). ...
Добавлено: 11 января 2016 г.
Pimenov V. N., Borovitskaya I. V., Demin A. S. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2022 Vol. 13 No. 3 P. 687-695
Добавлено: 31 мая 2022 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Известия высших учебных заведений. Электроника 2017 Т. 22 № 6 С. 569-581
В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. ...
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Добавлено: 17 октября 2014 г.
Kuznetsov V., Kechiev L., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947-954
Добавлено: 1 января 2016 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 402-403
Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300°C) и низких (до –200°C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц). ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Бондаренко Г. Г., Фишер М. Р., Кристя В. И., Bulletin of the American Physical Society 2010 Vol. 55 No. 7 P. 50-50
В работе проведено моделирование переноса и взаимодействия электронов, ионов и метастабильных возбужденных атомов в межэлектродном промежутке слаботочного разряда в смеси аргон-ртуть, а также рассчитан коэффициент ионизации смеси и напряжение зажигания разряда. ...
Добавлено: 13 мая 2013 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in : 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). : Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Захарченко К. В., Каперко А. Ф., Колюбин В. А. и др., Measurement Techniques 2016 Vol. 59 No. 8 P. 884-891
Добавлено: 30 ноября 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Mäkitalo N., Омётов А. Я., Kannisto J. и др., IEEE Software 2018 Vol. 35 No. 1 P. 30-37
Добавлено: 13 марта 2018 г.
Реконфигурируемые интеллектуальные поверхности (RIS) — перспективные устройства, способные увеличить пропускную способность и область покрытия новых и уже существующих беспроводных сетей. На сегодняшний день большая часть RIS представлена в виде прототипов, которые не обладают защитой от воздействий внешней среды и не приспособлены для внедрения в реальные системы связи. Однако, защитное покрытие может значительно повлиять на характеристики ...
Добавлено: 17 января 2024 г.
Barcelona : IEEE, 2017
Добавлено: 17 января 2018 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Прокопенко Н. Н. и др., Журнал радиоэлектроники 2018 № 4 С. 7
Обсуждается применение оптимизационных методов для решения задачи определения параметров аналоговых микросхем (АМ) в процессе их проектирования. Приводятся постановки оптимизационной задачи и методики ее решения для двух классов АМ – быстродействующих операционных усилителей и линейных компенсационных стабилизаторов напряжения с непрерывным регулированием (КСН). Выбор данных классов АМ обусловлен их широким распространением, наличием противоречивых проектных требований, которые влияют ...
Добавлено: 12 июля 2018 г.
Кравченко Н. П., Мухин С. В., Пресняков С. А., Journal of Communications Technology and Electronics 2017 Vol. 62 No. 7 P. 800-808
Добавлено: 24 октября 2017 г.
Мамонтов А. В., Нефедов В. Н., Симонов В. П., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2014 Т. 8 № 10 С. 53-55
Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований в области высокоэффективных микроволновых технологий термообработки стержневых материалов с малой теплопроводностью. Стержни из поли мерных композитных материалов используются в качестве арматуры в строительной индустрии. Предложен ми кроволновый метод равномерного нагрева диэлектрического стержня по всему объёму и снимает внутренние тер мические напряжения в процессе реакции полимеризации. Объемный характер нагрева диэлектрических ...
Добавлено: 13 февраля 2015 г.
Туманов М. П., Системный администратор 2017 № 2 С. 1-8
Исследовано влияние переменного запздвания а качесво процессов управления. ...
Добавлено: 26 октября 2017 г.
Мамонтов А. В., Нефедов В. Н., Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника 2013 № 4 С. 209-217
Рассмотрено СВЧ – устройство для формирования равномерного распределения температуры в листовых диэлектрических материалах с различными электрофизическими параметрами. СВЧ – устройство построено на основе сочетания систем волноводного типа и замедляющих систем. Приведены результаты измерений распределения температуры по ширине и толщине листовых материалов в СВЧ – устройствах типа бегущей волны на частоте колебаний электромагнитного поля 2450 МГц. ...
Добавлено: 29 января 2014 г.
Зеленоград : МИЭТ, 2013
В сборнике тезисов докладов 20-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика 2013", которая проводится в год 55-летия образования г. Зеленограда, признанного в стране и мире центра микроэлектроники и нанотехнологий, представлены результаты научных исследований студентов, аспирантов и молодых ученых зеленоградских предприятий и вузов России по следующим приоритетным направлениям развития науки и техники микро- и наноэлектроника, ...
Добавлено: 31 мая 2013 г.
Garces A., Azhmyakov V., IFAC-PapersOnLine 2020 Vol. 53 No. 2 P. 13173-13177
Добавлено: 30 октября 2021 г.