?
SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures
P. 97–103.
Добавлено: 10 декабря 2025 г.
Добавлено: 16 октября 2025 г.
Попов Д. А., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709
В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...
Добавлено: 13 апреля 2025 г.
Tao M., Hao F., Wei L. и др., IEEE Transactions on Computational Social Systems 2024 Vol. 11 No. 6 P. 7373–7385
Добавлено: 25 февраля 2025 г.
Ширнин А. А., Andreev N., Potapova S. и др., IEEE/ACM Transactions on Speech and Language Processing 2024 Vol. 32 P. 2751–2763
We present an approach to evaluate the robustness of pre-trained vision and language (V&L) models to noise in input data. Given a source image/text, we perturb it using standard computer vision (CV) / natural language processing (NLP) techniques and feed it to a V&L model. To track performance changes, we explore the problem of visual ...
Добавлено: 19 июля 2024 г.
Гольцман Г. Н., Александр С., IEEE Transactions on Applied Superconductivity 2023 P. 1–5
Добавлено: 7 мая 2024 г.
Erlygin L., Zholobov V., Бакланова В. С. и др., , in: 2023 IEEE International Conference on Data Mining Workshops (ICDMW) 1–4 December 2023, Shanghai, China.: Shanghai: IEEE Computer Society, 2023. P. 1247–1258.
Добавлено: 20 марта 2024 г.
Стримовская А. В., Barykin S., Волкова Е. М. и др., IFAC-PapersOnLine 2023 Vol. 56 No. 2 P. 1809–1814
Добавлено: 17 января 2024 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Springer, 2023.
Добавлено: 7 ноября 2023 г.
Жеглов С. А., Социология: методология, методы, математическое моделирование 2022 № 54-55 С. 129–187
В большинстве работ, посвященных анализу взаимодействия протестующих и властей, дизайн исследования упускает динамический аспект этого взаимодействия, что представляется методологически неверным. Анализ динамики позволяет выявить роль различных факторов, влияющих на протекание такого конфликта. Многообразие различных динамик численности протестующих и динамик применения репрессий порождает многообразие сценариев развития протестной кампании. В связи с этим в данной работе ставится ...
Добавлено: 29 августа 2023 г.
Korolev N., Ilya Levitsky, Хоров Е. М., IEEE Wireless Communications Letters 2022 Vol. 11 No. 12 P. 2546–2549
Добавлено: 26 октября 2022 г.
Мамонтов А. В., Нефедов В. Н., Хриткин С. А., Измерительная техника 2022 № 6 С. 46–51
Рассмотрена актуальная задача снижения энергетических затрат и ускорения технологического процесса тепловой обработки листового полимерного композитного материала. Показано, что для решения поставленной задачи целесообразно использовать микроволновое излучение в качестве источника тепловой энергии. Описаны основные преимущества микроволнового метода тепловой обработки листового полимерного композитного материала по сравнению с традиционными методами. Разработана конструкция микроволновой установки непрерывного действия, в которой ...
Добавлено: 24 октября 2022 г.
IEEE, 2022.
Добавлено: 20 июля 2022 г.
Сметанин С. И., Комаров М. М., IEEE Access 2022 Vol. 10 P. 18886–18898
Добавлено: 22 февраля 2022 г.
Исмаил-Заде М. Р., Russian Microelectronics 2021 Vol. 50 No. 7 P. 486–490
Добавлено: 14 января 2022 г.
Stella M., Капуза А. В., Cramer C. и др., Journal of Complex Networks 2021 Vol. 9 No. 6 Article cnab020
Добавлено: 21 декабря 2021 г.
Филиппов И. Б., Юрескул Е. А., Стукал Д. К. и др., , in: 2021 14th International Conference Management of large-scale system development (MLSD).: IEEE, 2021. P. 1–5.
Добавлено: 1 декабря 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...
Добавлено: 5 ноября 2021 г.