Глава
SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures
В книге
Представлены результаты экспериментального исследования термообработки базальтового картона с применением микроволнового излучения. Приведены зависимости изменения массы образцов картона в процессе его сушки. Показаны изменения распределения температуры на поверхности и внутри объёма образцов в зависимости от связующего вещества. Приведены рекомендации по улучшению параметров процесса.
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.
В работе представлены SPICE Low-T модели субмикронных КМОП транзисторов, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне криогенной температуры (до 4 К). Разработана процедура экстракции SPICE-параметров Low-T моделей на основе результатов измерений или TCAD-моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в криогенном диапазоне температуры.
Разработана математическая модель для расчета тепловых режимов сенсоров температуры интегральных схем. Проблема размещения сенсоров решается с помощью совместного решения уравнения теплопроводности и плотности тока. Показано, что необходимо учитывать паразитный эффект вытеснения эмиттерного тока и генерацию фотоЭДС, обусловленную наличием градиента температуры. (эффект Зеебека). С этой целью в модель введено специальное дифференциальное уравнение. Приведены примеры моделирования точечных и линейных температурных сенсоров для мощных биполярных транзисторов и ИС.
These proceedings contain 43 papers as well as 18 posters presented at this IIR international conference, held in Prague, République tchèque. The conference deal with problems of the equipment and technologies with temperatures below 120 K (-153°C), as well as with other devices and technologies related to the topic.
Рассмотрены вопросы создания равномерного распределения температуры в объемном материале, находящемся в СВЧ-устройстве лучевого типа. Представлены результаты экспериментальных исследований распределения температуры в зависимости от типа антенны, обеспечивающей перпендикулярное или параллельное направление силовых линий вектора напряженности электрического поля относительно поверхности материала. Показано, что разброс температуры составляет не более 5 °С при нагреве материала до 80 °С.