?
Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide
P. 24–28.
Язык:
английский
Ключевые слова: приборно-технологическое моделированиеTCADМОП-транзисторMOSFETTCADdevice modelingtemperature degradationтемпературная деградацияburied oxideскрытый оксид
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019.
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования биполярных транзисторов на структуре «кремний - оксид кремния - кремний». Сравнение выходных характеристик моделей и образцов транзисторов показало высокую точность разработанной модели. Для улучшения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом рассмотрены варианты коррекции конструкции. На основе рассчитанного технологического маршрута проведено моделирование топологии двухзатворного полевого транзистора. ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Denis S. Silkin, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2025, Volume 3Vol. 3.: Springer Publishing Company, 2026. P. 171–184.
Добавлено: 7 апреля 2026 г.
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 871–879
Отработан алгоритм ускоренного получения электротепловых характеристик силовых схем с помощью ПО Python. Приведены результаты электротепловых расчетов для ряда силовых схем с ускоренным процессом получения их тепловых характеристик с использованием стандартного маршрута электротеплового SPICE-анализа. ...
Добавлено: 5 ноября 2025 г.
Попов Д. А., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709
В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...
Добавлено: 13 апреля 2025 г.
Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786
Физико-математическая модель транзистора со статической индукцией дает возможность проводить расчет основных ВАХ и анализ конструкции приборов для статического режима при биполярном режиме работы транзистора, а также позволяет понять возможности улучшения конструкции кристалла. Однако данная модель не обеспечивает анализ работы приборов со статической индукцией на высоких частотах, без которого нельзя создать конструкцию прибора с оптимальными параметрами. ...
Добавлено: 14 февраля 2025 г.
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.
Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 745–751
В работе описана программа на языке Python, реализующая цифровые двойники мощных МОП-транзисторов. Описаны структура и интерфейс этой программы, воспроизводимые статические, динамические и тепловые характеристики МОПТ, другие возможности программы. Возможности программы продемонстрированы на примере отечественных мощных МОП-транзисторов 2П829Д и 2П782Ж1. ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
В работе приведены результаты приборно-технологического моделирования электрофизических параметров р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены три варианта конструкции выполнения, возможных при интеграции в составе высоковольтного комплементарного биполярного технологического процесса. На основе полученных данных выбран оптимальный вариант исполнения полевого транзистора по соотношению статических и динамических параметров. ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Тегин М. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 1 С. 65–78
Большие скачки температуры в структурах мощных полупроводниковых приборов при их включении и выключении существенно снижают надежность работы силовых схем. Широко используемые маршруты электротеплового моделирования тепловых схем имеют ряд недостатков: использование взаимосвязанных Spice-симуляторов электрических цепей и пакета 3D численного моделирования тепловых полей требует детального описания 3D-конструкций и больших затрат компьютерного времени; использование только Spice-подобных симуляторов электрических ...
Добавлено: 7 мая 2024 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Добавлено: 30 октября 2022 г.
K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 13 июля 2022 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667
Добавлено: 26 сентября 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., Петросянц К. О., Самбурский Л. М. и др., , in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2020. P. 97–103.
Добавлено: 5 июня 2021 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Рассмотрены методики TCAD и SPICE моделирования для биполярных и МОП-компонентов, изготовленных по базовым технологиям кремниевых ИС/БИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.