SPICE Modeling of GaN HEMTs in the Wide Temperature Range (−269°C…+500°C)

Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 15 декабря 2022 г.

Extension of the Capabilities of SPICE Analysis Tools for Electro-Thermal Simulation of Power Electronic Circuits

Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.

Добавлено: 26 июля 2022 г.

Влияние эффектов старения на электрические характеристики интегральных КМОП ОУ при уменьшении минимальных размеров транзисторов

Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200

С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...

Добавлено: 7 июля 2022 г.

Расширение возможностей SPICE-подобных программ за счет учета эффектов старения в МОП схемах, обусловленных эффектами горячих носителей, пробоя диэлектрика и электромиграции

Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.

Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...

Добавлено: 8 июня 2022 г.

Методика определения параметров SPICE-моделей для анализа влияния ОЯЧ на КМОП-схемы при уменьшении размеров транзисторов

Харитонов И. А., Попов Д. А., Рахматуллин Б. А., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 379–385

Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...

Добавлено: 16 апреля 2021 г.

SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392

С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...

Добавлено: 11 апреля 2021 г.

Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС

Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 232–235.

На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации

Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.

Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС

Лебедев С. В., Петросянц К. О., Стахин В. Г. и др., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 412–414

Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...

Добавлено: 30 января 2019 г.

Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях

Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 402–403

Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300°C) и низких (до –200°C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц). ...

Добавлено: 30 января 2019 г.

SPICE Simulation of Total Dose and Aging Effects in MOSFET Circuits

Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018).: IEEE Computer Society, 2018. P. 760–765.

Добавлено: 30 октября 2018 г.

Compact SPICE Models of the Standard Layout Fragments in LSI Interconnections

Petrosyants K.O., Ryabov N.I., Batarueva E.I., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018).: IEEE Computer Society, 2018. P. 580–584.

Добавлено: 30 октября 2018 г.

An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В. и др., , in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017).: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1–3.

Добавлено: 16 октября 2017 г.

High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C

Петросянц К. О., Lebedev S., Самбурский Л. М. и др., , in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017.: Denver: IEEE, 2017. P. 229–234.

Добавлено: 9 июня 2017 г.

Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Measurement Techniques 2017 Vol. 59 No. 10 P. 1104–1111

The specific nature of the process of measuring the electrical characteristics of bipolar and metal-oxidesemiconductor (MOS) transistors subjected to the action of neutron, electron, and gamma irradiation is considered. An automated measurement system is developed. Examples illustrating the use of the system for investigations of the radiation hardness of transistors are presented and the parameters ...

Добавлено: 17 апреля 2017 г.

Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие

Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И. и др., М.: Солон-Пресс, 2017.

Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...

Добавлено: 28 февраля 2017 г.

Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Гладышева Е. И., , in: Proceedings of 24-th Telecommunications Forum.: Beograd: IEEE Region 8, Telekom Srbija a.d., 2016. P. 1–4.

Добавлено: 25 ноября 2016 г.

Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 23–26.

Добавлено: 16 февраля 2016 г.

SPICE models of MOS FETS on insulating substrate with account for thermal effects

Харитонов И. А., , in: Science in the modern information society IV: Proceedings of the ConferenceVol. 2.: North Charleston: CreateSpace, 2015. P. 119–121.

Добавлено: 15 февраля 2016 г.