• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
May 22, 2026
HSE Graduates AI Project Wins at TECH & AI Awards
Daria Davydova, graduate of the HSE Graduate School of Business and Head of the AI Implementation Unit at the Artificial Intelligence Department of Alfa-Bank, received a prize at the TECH & AI Awards. She was awarded for the best AI solution for optimising business processes. The winners were determined as part of the VII Russian Summit and Awards on Digital Transformation (CDO/CDTO Summit & Awards).
May 20, 2026
HSE University Opens First Representative Office of Satellite Laboratory in Brazil
HSE University-St Petersburg opened a representative office of the Satellite Laboratory on Social Entrepreneurship at the University of Campinas in Brazil. The platform is going to unite research and educational projects in the spheres of sustainable development, communications and social innovations.
May 18, 2026
The 'Second Shift' Is Not Why Women Avoid News
Women are more likely than men to avoid political and economic news, but the reasons for this behaviour are linked less to structural inequality or family-related stress than to personal attitudes and the emotional perception of news content. This conclusion was reached by HSE researchers after analysing data from a large-scale survey of more than 10,000 residents across 61 regions of Russia. The study findings have been published in Woman in Russian Society.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения

С. 262–263.
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M.
Language: Russian
Full text
Keywords: радиационное излучениеэкстракция параметровSPICE-модельпрограммно-аппаратный комплексМОП-транзисторы

In book

Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции
Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции
М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015.
Similar publications
Сравнительный анализ подходов к определению разброса температурно-зависимых параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов
Khlynov P., Sambursky L. M., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Taking into account the variation in the parameters of SPICE models of semiconductor components in the circuit modeling of electronic components is necessary for a more accurate assessment of the limits of their operability during the design of electronic equipment. This is especially important for equipment designed to operate in conditions other than normal or ...
Added: September 16, 2025
Разработка структуры стенда для проведения многофакторных ускоренных испытаний
Urkunov A., Tsvetkov V., Lander L. et al., В кн.: Технологии информационного общества. Сборник трудов XVII Международной отраслевой научно-технической конференции «Технологии информационного общества». (2-3 марта 2023 г. Москва, МТУСИ).: М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2023.
Данная работа посвящена созданию структуры программно-аппаратного комплекса, позволяющего проводить ускоренные испытания для проведения валидации уточненной математической модели оценки основных показателей безотказности электрорадиоизделий (ЭРИ). В работе описана структурная схема разрабатываемого стенда и контрольно-измерительного модуля. Проведен анализ конструктивных особенностей соединительных проводов контрольно-измерительного модуля при проведении ускоренных испытаний. Данная работа проводится в рамках проекта по созданию стенда верификации ...
Added: April 20, 2025
Разработка структуры программно-аппаратного комплекса для проведения ускоренных испытаний
Urkunov A., Tsvetkov V., Lander L. et al., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского 2023.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2023. С. 186–188.
Данная работа посвящена разработке стенда, ко- торый позволит верифицировать основные показате- ли безотказности ЭРИ. В работе приведено описание структуры стенда и контрольно-измерительного мо- дуля для проведения ускоренных испытаний рези- сторов, а также построены их структурные схемы. Данное исследование проводится в рамках выполне- ния проекта по созданию программно-аппаратного комплекса верификации показателей надежности типовых групп резервирования. ...
Added: August 27, 2024
Разработка программно-аппаратного комплекса регистрации вибрации
Опекунова А. А., Старостенко В. И., Tuv A. et al., В кн.: Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIХ Международной научно-практической конференции, 15–17 ноября 2023 г. В 2 частях, часть 1.Ч. 1.: Томск: В-Спектр, 2023. Гл. 1 С. 146–149.
Added: February 10, 2024
Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. et al., Наноиндустрия 2023 Т. 16 № S9-1(119) С. 179–188
The developed hardware-software complex for measuring, device characteristics investigation and determining parameters of SPICE-models for semiconductor devices and VLSI’s components with account for radiation and temperature effects in a wide range is described. ...
Added: May 21, 2023
Оценка эффективности применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОП-транзисторов
Ismail-zade M. R., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Added: November 5, 2021
Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
The possibilities of determining the SPICE model parameters in an extended temperature range were investigated using the three most common commercial extractors IC-CAP, MBP and BSIMProPlus. Comparative estimates of the efficiency of extractors are given on the example of calculating MOSFETs I–V characteristic taking into account the temperatures up to +300°C. ...
Added: November 5, 2021
SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. et al., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
Using a universal approach, SPICE models were developed for sub-100 nm MOSFET structures taking into account radiation and low-temperature effects, as well as a procedure for identifying model parameters based on the results of a full-scale/machine experiment. The approach consists of a combination of macromodeling based on the standard model from the SPICE simulator and ...
Added: April 11, 2021
Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide
Petrosyants K. O., Popov D., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
SOI MOSFETs have the worst properties of heat removal from an active region, which negatively affects the reliability and efficiency of integrated circuits. Using TCAD modeling, we investigate the self-heating effect in the following structures of deeply submicron MOSFETs with different configurations of buried oxide: traditional bulk MOSFET, SOI structure, SELBOX structure, partial SOI structure, thin-BOX SOI structure, UTBB ...
Added: March 24, 2020
Исследование с помощью TCAD быстродействия субмикронных МОП-структур с неравномерным легированием канала
Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия.: НИИСИ РАН, 2019. С. 27–28.
В работе рассматривается использование конструкций КНИ МОПТ с неравномерным легированием канала. С помощью Sentaurus TCAD промоделированы ВАХ КНИ МОПТ с однородным и неравномерным легированием канала (до 50% длины канала), а также зависимость времени задержки КМОП схем на основе исследуемых транзисторов. ...
Added: March 15, 2020
Compact Device Models for BiCMOS VLSIs Simulation in the Extended Temperature Range (from -200°C to +300°C)
Petrosyants K. O., , in: 24th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (2018).: IEEE, 2018. P. 1–6.
The temperature range of SPICE models of bipolar and MOS transistors is extended from –60°C to +150°C (standard commercial level) to –200°C…+300°C for low/high temperature ICs design. This is done by including additional equations for temperature-dependent parameters, and by connecting additional elements to the device equivalent circuit to take into account the thermal effects. The ...
Added: November 22, 2018
SPICE модели элементов БиКМОП СБИС для сверхнизких температур
Petrosyants K. O., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 65–66.
. ...
Added: November 7, 2018
Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
Petrosyants K. O., Popov D., Sambursky L. M. et al., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 67–68.
. ...
Added: November 7, 2018
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. et al., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 111–117.
A set of modified compact spice models of field effect transistors is presented: with isolated gate (MOSFET) and with pn junction control (JFET) for circuit simulation in a temperature range of -200°C, which is important for space applications. All models are constructed using the approach combining macromodeling based on the standard models available in the ...
Added: October 21, 2018
Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., , in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017).: Piscataway: IEEE, 2017. P. 504–511.
In this work features of measurement, processing and analysis of electrical characteristics of MOSFET’s subjected to various kinds of static irradiation (neutron, electron, and 􀈖-rays) and temperature in the extended high/low ranges are analyzed. As a result a unified (with account for radiation and temperature) automated measurement, parameters extraction and modeling system is developed, which ...
Added: October 29, 2017
TCAD моделирование дозовых радиационных эффектов в суб-100 нм high-k МОП-транзисторных структурах
Petrosyants K. O., Popov D., Bykov D., Известия высших учебных заведений. Электроника 2017 Т. 22 № 6 С. 569–581
В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. ...
Added: October 16, 2017
An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. et al., , in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017).: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1–3.
An efficient approach to simulation of various types of radiation effects in bipolar and MOSFET IC’s using non-specialized SPICE simulators is realized using the developed compact SPICE models of Si BJT’s, SiGe HBT’s, SOI/SOS MOSFET’s and verified in real projects of extremal electronics R&D. ...
Added: October 16, 2017
45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects
Petrosyants K. O., Popov D., , in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017).: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1–3.
TID response of 45nm high-k bulk and SOI MOSFETs was of simulated. The set of new physical semi-empirical models accounting for TID dependences trap densities, carrier mobilities, carrier lifetime was developed and introduced into TCAD. Acceptable agreement between simulated results and experimental data was achieved. ...
Added: October 16, 2017
General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation
Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M., , in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017).: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1–3.
Novel TСAD-rad models for the bipolar and MOSFET structures have been developed taking into account the effect of proton radiation on the basic physical parameters (τ, μ, S, Nit). The simulation results are in good agreement with experimental data. ...
Added: October 16, 2017
Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
Kharitonov I. A., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Added: September 13, 2017
Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
Ismail-zade M. R., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282–283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Added: September 8, 2017
Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280–281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-програм­много комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Added: September 8, 2017
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit