• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
May 22, 2026
HSE Graduates AI Project Wins at TECH & AI Awards
Daria Davydova, graduate of the HSE Graduate School of Business and Head of the AI Implementation Unit at the Artificial Intelligence Department of Alfa-Bank, received a prize at the TECH & AI Awards. She was awarded for the best AI solution for optimising business processes. The winners were determined as part of the VII Russian Summit and Awards on Digital Transformation (CDO/CDTO Summit & Awards).
May 20, 2026
HSE University Opens First Representative Office of Satellite Laboratory in Brazil
HSE University-St Petersburg opened a representative office of the Satellite Laboratory on Social Entrepreneurship at the University of Campinas in Brazil. The platform is going to unite research and educational projects in the spheres of sustainable development, communications and social innovations.
May 18, 2026
The 'Second Shift' Is Not Why Women Avoid News
Women are more likely than men to avoid political and economic news, but the reasons for this behaviour are linked less to structural inequality or family-related stress than to personal attitudes and the emotional perception of news content. This conclusion was reached by HSE researchers after analysing data from a large-scale survey of more than 10,000 residents across 61 regions of Russia. The study findings have been published in Woman in Russian Society.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения

С. 424–431.
Petrosyants K. O., Popov D.
Language: Russian
Full text
Keywords: TCADМОП-транзисторgamma-radiationгамма-излучениеMOSFETTCADhigh-k dielectrichigh-k диэлектрик
Publication based on the results of:
Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты (2015)

In book

Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.)
Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.)
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015.
Similar publications
TCAD Electrothermal Analysis of 3D GAAFET Structures for Future VLSI Circuits
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Added: November 6, 2025
Электротепловое моделирование мощных схем с использованием ПО Python SPICE
Зубкова А. И., Kharitonov I. A., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 871–879
The paper considers electrothermal simulation of MOSFET power circuits realized using Python Spice software. Besides, it presents an algorithm for accelerating the process of electro-thermal characteristics estimation for power circuits using Python software, as well as the results of electro-thermal calculations with the accelerated process features and with conventional electro-thermal SPICE simulations for two power ...
Added: November 5, 2025
Моделирование субмикронных МОП-транзисторов с использованием нейронных сетей
Popov D., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709
В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...
Added: April 13, 2025
Высокочастотная модель транзистора со статической индукцией
Максименко Ю. Н., Petrosyants K. O., Силкин Д. С. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786
Physical and mathematical model of a transistor with static induction makes it possible to calculate the main current-voltage characteristics and to analyze the design of devices for static mode in bipolar operation of transistor, and also to understand the possibilities of crystal design improvement. However, this model does not allow analyzing the operation of devices ...
Added: February 14, 2025
Реализация цифровых двойников для мощных МОП-транзисторов с помощью ПО Python
Зубкова А. И., Kharitonov I. A., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 745–751
The study presents the Python program which implements digital twins for powerful MOSFET transistors. The program possibilities, structure, interface have been described and demonstrated. The examples of program generated MOSFET characteristics have been presented for domestic power MOSFET transistors 2P829D and 2P782G1. ...
Added: September 3, 2024
Оценка средствами TCAD стойкости ячеек памяти СОЗУ к воздействию ОЯЧ при уменьшении проектных норм до 28 нм
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Силкин Д. С. et al., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
The paper considers qualitative estimations of CMOS SRAM Cells sensitivity to SEU performed for technological nodes varying from 90 nm up to 28 nm using verified TCAD-SPICE software tools and models. The process and results of simulations have been presented. The estimations of CMOS SRAM cells hardness to SEU have been confirmed using SRAM measurement ...
Added: September 3, 2024
Verifying a Two-Dimensional Model Simulating Attenuation of Neutron and Photon Radiation from Nuclear Reactors Having Metal Hydride Composite Protection
Yastrebinsky R. N., Bondarenko G.G., Pavlenko V. I. et al., Inorganic Materials: Applied Research 2024 Vol. 15 No. 2 P. 319–327
The paper presents experimental studies of the attenuation of neutron and photon radiation of a nuclear reactor by a radiationprotective metal hydride composite, as well as the distribution of dose and spatial-energy characteristics of primary and secondary gamma radiation in the material. It is shown that the formation of the gamma radiation dose rate behind the protection ...
Added: May 25, 2024
Моделирование электротепловых переходных процессов в мощных электронных схемах на печатных платах с использованием программного обеспечения Comsol, Spice, «Асоника-ТМ»
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Тегин М. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 1 С. 65–78
Большие скачки температуры в структурах мощных полупроводниковых приборов при их включении и выключении существенно снижают надежность работы силовых схем. Широко используемые маршруты электротеплового моделирования тепловых схем имеют ряд недостатков: использование взаимосвязанных Spice-симуляторов электрических цепей и пакета 3D численного моделирования тепловых полей требует детального описания 3D-конструкций и больших затрат компьютерного времени; использование только Spice-подобных симуляторов электрических ...
Added: May 7, 2024
Разработка спектрометра гамма-излучений
Polesskiy S., Сетдиков Р. М., Tuv A. et al., В кн.: Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIХ Международной научно-практической конференции, 15–17 ноября 2023 г. В 2 частях, часть 1.Ч. 1.: Томск: В-Спектр, 2023. С. 128–131.
Gamma ray spectrometers are devices designed to measure energy and intensity gamma quanta in various samples of substances or materials. They are used in many fields of science and techniques, including nuclear physics, medical diagnostics, radiochemical research and control of environmental safety. The design of a gamma-ray spectrometer and its principles are considered. type of work. The possibility of ...
Added: February 26, 2024
Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Added: January 11, 2024
Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling
Petrosyants K. O., Denis S. Silkin, Popov D., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293
A complete comparison for 14 nm FinFET and NWFET with stacked nanowires was carried out. The electrical and thermal performances in two device structures were analyzed based on TCAD simulation results. The electro-thermal TCAD models were calibrated to data measured on 30–7 nm FinFETs and NWFETs. The full set of output electrical device parameters Ion, ...
Added: October 30, 2022
Многогрупповое моделирование защиты от нейтронного и гамма излучения материалами на основе гидрида титана
Ястребинский Р. Н., Bondarenko G., Карнаухов А. А. et al., Перспективные материалы 2022 № 6 С. 25–36
В работе представлены расчётные данные по сравнительной оценке радиационно-защитных свойств материалов на основе гидрида титана, полученные методом многогруппового моделирования защиты от нейтронного и гамма излучения. Рассмотрено два типа композиций за стальным корпусом реактора и свинцовой защитой. Показано, что гамма-излучение за защитой из гидрида титана формируется захватным излучением, возникающим в начальных слоях защиты. Вторичное гамма-излучение, образующееся ...
Added: August 27, 2022
Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells
K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov et al., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Added: July 13, 2022
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Added: October 31, 2021
Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
Wang Y., Liu F., Li B. et al., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667
The dependence of temperature and back-gate bias on single-event upset (SEU) sensitivity is investigated based on a 0.2- μm double silicon-on-insulator (DSOI) technology. At room temperature, an obvious decrease in SEU cross section with the negative back-gate bias is experimentally observed for a DSOI static random access memory (SRAM). The physical mechanism of single-event effect ...
Added: September 26, 2021
SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures
Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M. et al., , in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2020. P. 97–103.
A set of modified compact SPICE models of various flavours of MOSFETs (fabricated by bulk, SOI and SOS technologies) is presented for circuit simulation in the deep-cryogenic temperature range down to 4 K, which is important for space applications and development of scalable quantum computers. All models are constructed using the approach combining macromodeling based ...
Added: June 5, 2021
Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
The unified Si BT/SiGe HBT SPICE-model is presented, which allows performing SPICE simulation of integrated circuits that considering the radiation effect. The results of measurements and modeling of electrical characteristics of bipolar transistors before and after exposure to various radiation types are presented. ...
Added: December 5, 2020
TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade et al., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Two types of the MOSFET models available in commercial versions of TCAD and SPICE simulators are completed with additional equations taking into account radiation effects. The adequacy of the models is demonstrated on two examples 1) 0.2 um and 0.24 um SOI/DSOI MOSFETs considering TID effects and single heavy ion impact, and 2) 28 nm bulk MOSFET, 45 nm and 28 nm ...
Added: December 5, 2020
Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide
Petrosyants K. O., Popov D., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
SOI MOSFETs have the worst properties of heat removal from an active region, which negatively affects the reliability and efficiency of integrated circuits. Using TCAD modeling, we investigate the self-heating effect in the following structures of deeply submicron MOSFETs with different configurations of buried oxide: traditional bulk MOSFET, SOI structure, SELBOX structure, partial SOI structure, thin-BOX SOI structure, UTBB ...
Added: March 24, 2020
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit