• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
July 13, 2026
Biologists Discover Unique Properties of MiR-93-5p MicroRNA in Prostate Cancer
Researchers at the International Laboratory of Microphysiological Systems of the HSE Faculty of Biology and Biotechnology investigated how different isoforms of the same microRNA influence gene function in prostate adenocarcinoma. The study found that in some cases, microRNAs can reinforce each other’s effects by targeting and suppressing the same genes. This finding offers a fresh perspective on the molecular mechanisms underlying tumour development and on the search for disease biomarkers. The results have been published in PeerJ.
July 13, 2026
'My Goal Is to Become a Tenured Professor'
Mikhail Samatov focuses on the theoretical study of perovskite solar cells. In this interview for the HSE Young Scientists project, he talks about working on HSE University’s supercomputer, collaborating with Peking University, and making furniture.
July 9, 2026
HSE Economists Use Search Queries to Forecast Birth Rates
Researchers from the HSE Faculty of Economic Sciences have shown that the accuracy of birth rate forecasts for Russia can be improved by almost 50% by incorporating the dynamics of online search queries related to pregnancy and childbirth into forecasting models. In the best-performing models, the forecasting error fell from 4.6% to 3.2%. The findings have been published in Populations and Economics.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов

С. 344–347.
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D.
Language: Russian
Full text
Keywords: TCADBJTрадиационные эффектыМОП-транзисторradiation effectsMOSFETTCADбиполярный транзисторprotonsпротоныphysical modelsфизические модели

In book

Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г.
Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г.
М.: Техносфера, 2017.
Similar publications
Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. & Tegin M.S. Simulation of Electrothermal Transient Responses in Power PCB Modules Using Comsol, Spice, and Asonika-TM.
Kharitonov I. A., Petrosyants K. O., Тегин М. С., Russian Microelectronics 2025 Vol. 25 P. 743–750
Large temperature jumps in the structures of power semiconductor devices when they are turned on and off significantly reduce the reliability of power circuits. The widely used electrothermal modeling approaches for thermal circuits have a number of disadvantages: the use of interconnected Spice simulators and the numerical 3D thermal field modeling tool requires a detailed description of 3D ...
Added: July 10, 2026
TCAD-SPICE Analysis of SEU and Reliability in Space-Grade SRAM from 90 nm to 28 nm
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Denis S. Silkin, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2025, Volume 3Vol. 3.: Springer Publishing Company, 2026. P. 171–184.
The study presents the results of developing a combined TCAD-SPICE model of the behavior of CMOS memory cells under space impact conditions. The study analyzes both degradation from prolonged cosmic radiation and single-event upsets (SEUs) caused by high-energy particle strikes, which can flip memory states in space-based electronics. The dependence of SEU hardness on cell ...
Added: April 7, 2026
TCAD Electrothermal Analysis of 3D GAAFET Structures for Future VLSI Circuits
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Added: November 6, 2025
Электротепловое моделирование мощных схем с использованием ПО Python SPICE
Зубкова А. И., Kharitonov I. A., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 871–879
The paper considers electrothermal simulation of MOSFET power circuits realized using Python Spice software. Besides, it presents an algorithm for accelerating the process of electro-thermal characteristics estimation for power circuits using Python software, as well as the results of electro-thermal calculations with the accelerated process features and with conventional electro-thermal SPICE simulations for two power ...
Added: November 5, 2025
Моделирование субмикронных МОП-транзисторов с использованием нейронных сетей
Popov D., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709
В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...
Added: April 13, 2025
Высокочастотная модель транзистора со статической индукцией
Максименко Ю. Н., Petrosyants K. O., Силкин Д. С. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786
Physical and mathematical model of a transistor with static induction makes it possible to calculate the main current-voltage characteristics and to analyze the design of devices for static mode in bipolar operation of transistor, and also to understand the possibilities of crystal design improvement. However, this model does not allow analyzing the operation of devices ...
Added: February 14, 2025
Реализация цифровых двойников для мощных МОП-транзисторов с помощью ПО Python
Зубкова А. И., Kharitonov I. A., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 745–751
The study presents the Python program which implements digital twins for powerful MOSFET transistors. The program possibilities, structure, interface have been described and demonstrated. The examples of program generated MOSFET characteristics have been presented for domestic power MOSFET transistors 2P829D and 2P782G1. ...
Added: September 3, 2024
Оценка средствами TCAD стойкости ячеек памяти СОЗУ к воздействию ОЯЧ при уменьшении проектных норм до 28 нм
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Силкин Д. С. et al., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
The paper considers qualitative estimations of CMOS SRAM Cells sensitivity to SEU performed for technological nodes varying from 90 nm up to 28 nm using verified TCAD-SPICE software tools and models. The process and results of simulations have been presented. The estimations of CMOS SRAM cells hardness to SEU have been confirmed using SRAM measurement ...
Added: September 3, 2024
Моделирование электротепловых переходных процессов в мощных электронных схемах на печатных платах с использованием программного обеспечения Comsol, Spice, «Асоника-ТМ»
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Тегин М. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 1 С. 65–78
Большие скачки температуры в структурах мощных полупроводниковых приборов при их включении и выключении существенно снижают надежность работы силовых схем. Широко используемые маршруты электротеплового моделирования тепловых схем имеют ряд недостатков: использование взаимосвязанных Spice-симуляторов электрических цепей и пакета 3D численного моделирования тепловых полей требует детального описания 3D-конструкций и больших затрат компьютерного времени; использование только Spice-подобных симуляторов электрических ...
Added: May 7, 2024
Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Added: January 11, 2024
Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling
Petrosyants K. O., Denis S. Silkin, Popov D., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293
A complete comparison for 14 nm FinFET and NWFET with stacked nanowires was carried out. The electrical and thermal performances in two device structures were analyzed based on TCAD simulation results. The electro-thermal TCAD models were calibrated to data measured on 30–7 nm FinFETs and NWFETs. The full set of output electrical device parameters Ion, ...
Added: October 30, 2022
Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells
K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov et al., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Added: July 13, 2022
Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Kozhukhov M. et al., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300°C and aging during long-term operation. ...
Added: July 7, 2022
TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Petrosyants K. O., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Added: November 30, 2021
Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Added: October 31, 2021
Протон
Mosharev P., Ишханов Б. С., Исупов Е. Л. et al., М.: КДУ, Университетская книга, 2018.
Учебное пособие «Протон» написано на основе курса лекций проф. Б. С. Ишханова «Нуклеосинтез» для студентов 5 курса физического факультета МГУ. Рассматриваются актуальные вопросы образования протонов во Вселенной, характеристики протона, свойства антипротонов, связанные состояния протона, антипротона, возможные каналы распада протона. Пособие будет полезно при проведении семинарских занятий и для самостоятельной работы студентов физических специальностей. ...
Added: September 30, 2021
Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
Wang Y., Liu F., Li B. et al., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667
The dependence of temperature and back-gate bias on single-event upset (SEU) sensitivity is investigated based on a 0.2- μm double silicon-on-insulator (DSOI) technology. At room temperature, an obvious decrease in SEU cross section with the negative back-gate bias is experimentally observed for a DSOI static random access memory (SRAM). The physical mechanism of single-event effect ...
Added: September 26, 2021
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit