• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
September 21, 2026
Researchers Develop Methodology to Assess the Quality of Legal Representation in Criminal Proceedings
Having a good defence attorney in criminal proceedings can largely determine whether a defendant retains their freedom, health and good name. Researchers at HSE University propose a method for predicting an attorney’s performance based on the outcomes of their previous cases. The methodology takes into account the severity of the charges, the complexity of the cases, and the most likely outcome, drawing on judicial statistics.
September 21, 2026
Algebra, Geometry, and AI: Russian and Vietnamese Mathematicians Discuss Current Research
A delegation of scientists from Hanoi visited the HSE Faculty of Computer Science and then took part in a Russian-Vietnamese conference in St Petersburg. The events were part of the three-year project ‘Flexibility and Computational Methods.’ Over the course of the project, the researchers have prepared joint publications and obtained new mathematical results.
September 18, 2026
When Pictures Hinder Understanding: Illustrations May Impede Learning of Abstract Ideas
Illustrations can help remember specific actions but do not always make abstract ideas easier to learn. Researchers from HSE University and Humboldt University compared how people learn from texts with different levels of abstractness. They found that participants remembered illustrations better and performed better on related tasks after reading a multimedia text about yoga asanas than after reading an abstract text about the Nash equilibrium. The findings could help improve the selection of illustrations for educational and informational materials. The study has been published in Learning and Instruction.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования

С. 73–78.
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Orekhov E. V., Yatmanov A.
Language: Russian
Full text
Keywords: приборно-технологическое моделированиеКНИ МОПТмодель BSIMSOIемкостные параметрыкомплекс экстракции IC CAPSYNOPSYS TCAD

In book

Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).
Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).
М.: НИЯУ МИФИ, 2010.
Similar publications
Моделирование биполярно-полевого технологического процесса с полной диэлектрической изоляцией
Дюканов П. А., Kozhukhov M., Popov D. et al., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
The paper presents the results of device and process modeling of bipolar transistors on a silicon - silicon oxide - silicon structure. A comparison of the output characteristics of the models and transistor samples showed the high accuracy of the developed model. To improve the performance of eld-e ect transistors with a control p-n-junction, design ...
Added: September 17, 2026
Интеграция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в биполярный технологический процесс. Объемный кремний
Дюканов П. А., Kozhukhov M., Popov D. et al., Успехи прикладной физики 2024 Т. 12 № 4 С. 334–342
The paper considers options for the design of an n-channel junction-gate field-effect transistor, integrated into a high-voltage complementary bipolar technological process with isolation by a reverse-biased p-n junction. Criteria for the selection of transistor models according to electrophysical parameters are formulated. Taking into account the criteria, the instrument-technological modeling on bulk silicon substrates was carried ...
Added: September 12, 2024
Анализ конструкции р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Дюканов П. А., Kozhukhov M., Popov D. et al., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 672–678
The paper presents the results of Technology Computer Aided Design (TCAD) modeling of the electrophysical parameters of a p-channel junction field-effect transistor (JFET). Three design options have been considered, which are possible when integrated as part of a high-voltage complementary bipolar technological process. Based on the data obtained, the most optimal version of the field-effect ...
Added: September 3, 2024
Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
Petrosyants K. O., Popov D., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Added: February 14, 2021
Введение в TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС
Petrosyants K. O., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Conventional BJT, MOSFET, JFET, DMOST, IGBT structures fabricated on bulk silicon and SOI/SOS substrates are characterized as the object of modeling. Popular TCAD simulators and SPICE device models libraries are presented. The model parameters extraction strategies for TCAD device and SPICE circuit simulation based on data proceeding of physical and electrical measurements are described. The ...
Added: December 5, 2020
Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide
Petrosyants K. O., Popov D., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
In this work self-heating effect in SOI MOSFETs with various configuration of buried oxide was investigated using TCAD modeling. The basically electro-thermal transport model built-in to Sentaurus Synopsys tool was complemented by the set of new models for the temperature-dependent physical parameters: thermal conductivities λSi(T), λSiO2(T); oxide and trapped charge densities Nox(T), Nit(T) and others ...
Added: June 4, 2019
Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure
Petrosyants K. O., Popov D., Bykov D., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6
Quasi-3D model for calculation of radiation leakage currents in modern submicron SOI MOSFET structures is proposed.  Instead of the fully 3D modeling is proposed to solve two tasks: 2D modeling of the traditional MOSFET cross-section and 3D modeling of the side parasitic transistor. The radiation-induced leakage current simulation in the 0.35 μm SOI MOSFET structure with ...
Added: October 22, 2018
Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., Sensors and Transducers 2018 Vol. 227 No. 11 P. 42–50
The special library of radiation damage models for physical parameters and electrical characteristics of bipolar and MOS transistor and sensor structures taking into account neutron, gamma and proton irradiation is developed and built-into Sentaurus Synopsys software tool. For different BJTs/HBTs, MOSFETs and radiation sensors the good agreement to simulated and experimental electrical characteristics is achieved. ...
Added: October 22, 2018
Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида
Petrosyants K. O., Popov D., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521–525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Added: October 22, 2018
Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
Kharitonov I. A., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. et al., Труды НИИСИ РАН 2017 Т. 7 № 2 С. 41–45
It is shown that BSIM3 standard MOSFET SPICE model does not provide more abrupt MOSFET transconductance dependence on gate voltage at low temperature (up to –200°C) caused by mobility increase. Enhanced MOSFET macro model for low temperature is proposed which accounts for more abrupt MOSFET transconductance dependence on gate voltage. Additional nonlinear voltage-controlled voltage source ...
Added: September 9, 2018
Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. et al., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425
I-V characteristics and reliability parameters for the set of hardened SOIMOSFET'swith special layouts and tungsten metallization to provide additional thermal tolerance for high-temperature SOI CMOS IC's are investigated in the temperature range up to 300 °C. The reliability aspects under test for MOSFET's are threshold voltage shift, subthreshold slope and mobility degradation, gate leakage current ...
Added: February 28, 2018
TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures
Petrosyants K., Popov D., Bykov D., Russian Microelectronics 2018 Vol. 47 No. 7 P. 487–493
The sub-100-nm CMOS process with a high-κ gate dielectric is one of the key technologies for the fabrication of digital, analog, and RF VLSI circuits and on-chip systems. The influence of ionizing radiation on 45-nm MOS transistors with a high-κ dielectric fabricated using the bulk-silicon and SOI technologies is simulated. Effects induced by the substitution of SiO2 with ...
Added: January 30, 2018
TCAD-SPICE Two Level Simulation of Si BJTs and SiGe HBTs Taking into Account Radiation Effects
Petrosyants K., M.V. Kozhukhov, , in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base* Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M.: ., 2017. Ch. 1 P. 2–10.
Novel TCAD and SPICE models of the Si BJTs and the SiGe HBTs taking into account influence of neutrons, protons, and gamma radiation on the device characteristics were developed. The interaction between TCAD and SPICE device models in radiation-hardened IC design flow was considered. The complete set of I-V, C-V, fT, fmax of BJT/HBT characteristics ...
Added: October 25, 2017
TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017.: М., Дубна: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224–226.
С помощью Synopsys TCAD проводилось моделирование тока стока n-канального КНИ МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения и повышении температуры от 27°С до 160°С. Показано, что полный ток утечки стока при повышенной температуре существенно выше суммы теплового тока необлученного транзистора и радиационного тока утечки при комнатной температуре. ...
Added: October 18, 2017
Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
Kharitonov I. A., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. et al., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 66–67.
. ...
Added: September 13, 2017
Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
Sambursky L. M., Ismail-zade M. R., Кузин Е. Ю. et al., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 55–56.
. ...
Added: September 13, 2017
Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
Ismail-zade M. R., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282–283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Added: September 8, 2017
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M. et al., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.
In this work, results of electrical measurements and their analysis are demonstrated for a small-scale 180-nm SOI CMOS technology in the extended temperature range (up to 300°C). Comparison with high temperature electrical characteristics of 0.5 um technology is drawn. Modified model for SOI MOSFETs, based on BSIMSOI model is developed and model parameters are extracted for SPICE simulation ...
Added: November 1, 2016
Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью
Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Added: October 11, 2016
Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов
Петросянц К. О., В кн.: Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015).: М.: Техносфера, 2016. С. 415–431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: April 13, 2016
КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»
Adonin A., Petrosyants K. O., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
TCAD Simulation of Total Ionization Dose Response of 45nm High-K MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrate
Petrosyants K. O., Popov D., , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27–30.
New semi-empirical model accounting for TID dependences of bulk, oxide, HfO2/Si interface trap densities, carrier mobilities, lifetime of device material was developed and introduced into TCAD tool. TID response of 45nm high-k MOSFETs on bulk and SOI substrate was simulated. ...
Added: February 18, 2016
Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648–651
An electro-thermal modeling of modern SiGe and Si bipolar transistor structures using TCAD Sentaurus Synopsys has been carried out. It has been shown that for SiGe heterojunction bipolar transistors, operating at high current density, the internal temperature is higher than for identical Si transistors. As a result a stronger degradation of the device parameters and ...
Added: February 18, 2016
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit