• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects

P. 271-274.

Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора.

В книге

Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects
Под науч. редакцией: В. Хаханов. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.