Глава
SPICE Simulation of Total Dose and Aging Effects in MOSFET Circuits
В книге
The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented and examined with emphasis on application for radiation hardened electronics systems.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов и инженеров-практиков.
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.