?
Трансформация радиационных дефектов в кремнии, имплантированном протонами, при низкотемпературной термообработке
С. 362–370.
Дьячкова И. Г., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С.
Изучены особенности образования и трансформации радиационных дефектов в имплантированных ионами водорода слоях кремниевых пластин в процессе термической обработки. Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследована эволюция радиационных дефектов в процессе отжига.
Язык:
русский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2016.
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427
Добавлено: 20 октября 2025 г.
T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701
Добавлено: 27 июня 2025 г.
Власенко Л. С., Федосов И. С., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 9 С. 3–5
Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости зарегистрированы и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров на поверхности пластин кремния с ориентациями (111), (110) и (100), не подвергнутых термическому окислению, после их естественного окисления на воздухе. Обсуждены оптимальные экспериментальные условия регистрации спектров с чувствительностью на порядок больше, чем в случае обычного метода электронного парамагнитного ...
Добавлено: 12 мая 2025 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 160 No. 5 Article 054701
For the most precise incorporation of single impurities in silicon, which is utilized to create quantum devices, a monolayer of adatoms on the Si(100) surface and a dopant-containing molecule are used. Here we studied the interaction of a phosphorus tribromide with a chlorine monolayer with mono- and bivacancies in a scanning tunneling microscope (STM) at ...
Добавлено: 2 июля 2024 г.
Гридчин В. О., Сошников И. П., Резник Р. Р. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 32–35
Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза. ...
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2024 Vol. 18 No. 2 P. 408–412
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153–157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Zelenina A. I., Gordeev I. S., Колотова Л. Н., Journal of Non-Crystalline Solids 2023 Vol. 606 Article 122215
Добавлено: 28 июня 2023 г.
Vladimir M. Shevlyuga, Vorontsova Y., Tatiana V. Pavlova, Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 19 P. 8978–8983
Добавлено: 29 мая 2023 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260–264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 31–35
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Кондраченко Л. А., Рассадин А. Э., Чистяков А. С., Soviet Technical Physics Letters (English Translation of Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki) 2005 Vol. 31 No. 2 P. 101–102
Добавлено: 22 декабря 2022 г.
Dvoretckaia L. N., Gridchin V. O., Mozharov A. M. и др., Nanomaterials 2022 Vol. 12 No. 12 Article 1993
Прямая интеграция эпитаксиальных гетероструктур III-V и III-N на кремниевых подложках является перспективным направлением для разработки оптоэлектронных устройств. Нитевидные нанокристаллы(ННК), благодаря своей уникальной геометрии, позволяют осуществлять прямой синтез полупроводниковых светоизлучающих диодов (LED) на кремниевых подложках с несогласованной кристаллической решеткой. В данной работе, мы представляем молекулярно-пучковую эпитаксию регулярных массивов гетероструктурированных ННК n-GaN/i-InGaN/p-GaN и триподов на подложках Si/SiO2, предварительно нанесенных с использованием экономичной и быстрой ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Reznik R., Ilkiv I., Kotlyar K. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2022 Vol. 16 No. 7 Article 2200056
Комбинации нитевыдных нанокристаллов (ННК) AIIIBV с квантовыми точками (КТ) являются многообещающими материалами для квантовых источников света. В настоящей работе впервые показаны результаты выращивания ННК AlGaAs с КТ InGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Определена оптимальная температура роста и исследованы физические свойства выращенных наноструктур. Показано, что выращенные наноструктуры проявляют сигнал фотолюминесценции (ФЛ) вплоть до комнатной температуры в широком ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Starikov S., Gordeev I., Lysogorskiy Y. и др., Computational Materials Science 2020 Vol. 184 Article 109891
Добавлено: 28 января 2022 г.
Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Вербус В. А. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 5 С. 420–426
Представлены результаты формирования на SOI подложках локально растянутых Ge микроструктур (микромостиков), встроенных в резонаторы, и исследования их оптических свойств. Был рассчитан дизайн резонаторов, совместимый с геометрией локально растянутой активной области, при использовании которого, с одной стороны, наблюдалась бы эффективная локализация электромагнитного поля в активной области структуры, а с другой - минимизировалось бы влияние резонатора на ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Мошарев П. А., Ишханов Б. С., Исупов Е. Л. и др., М.: КДУ, Университетская книга, 2018.
Учебное пособие «Протон» написано на основе курса лекций проф. Б. С. Ишханова «Нуклеосинтез» для студентов 5 курса физического факультета МГУ. Рассматриваются актуальные вопросы образования протонов во Вселенной, характеристики протона, свойства антипротонов, связанные состояния протона, антипротона, возможные каналы распада протона.
Пособие будет полезно при проведении семинарских занятий и для самостоятельной работы студентов физических специальностей. ...
Добавлено: 30 сентября 2021 г.
ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2021.
В Трудах конференции содержатся доклады, посвященные большому спектру вопросов и проблем современной радиационной физики твердого тела, радиационного и космического материаловедения, таким,как модели зарождения и роста кластеров точечных радиационных дефектов, сегрегация дефектов – собственных и примесных - на стоках в результате эффектов «радиационной тряски», радиационно-индуцированной и радиационно-стимулированной сегрегации, эволюция микро- и наноструктуры и структурно-фазовые превращения в различных типах материалов при ...
Добавлено: 22 июля 2021 г.