?
Протон
М. :
КДУ, Университетская книга, 2018.
Мошарев П. А., Ишханов Б. С., Исупов Е. Л., Клименко В. А.
Под общей редакцией: Б. С. Ишханов
Учебное пособие «Протон» написано на основе курса лекций проф. Б. С. Ишханова «Нуклеосинтез» для студентов 5 курса физического факультета МГУ. Рассматриваются актуальные вопросы образования протонов во Вселенной, характеристики протона, свойства антипротонов, связанные состояния протона, антипротона, возможные каналы распада протона.
Пособие будет полезно при проведении семинарских занятий и для самостоятельной работы студентов физических специальностей.
Singapore: Springer Singapore, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93
Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Осипова А. М., Пилипенко С. В., Novikov D. I. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 063522
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Gribova N. I., Osmanov S. V., Lyashko S. D. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 No. 614 P. 1–8
Добавлено: 4 октября 2026 г.
Seleznev G., Fominov Yakov V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074505
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 04 Article 101
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article L051102
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 136 No. 23 Article 231801
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Попов Д. А., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 270–277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
, M.V. Kozhukhov, , in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base* Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M.: ., 2017. Ch. 1 P. 2–10.
Представлены новые приборно-технологические и схемотехнические модели кремниевых и кремний германиевых биполярных транзисторов, учитывающие влияние облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами. Рассмотрена возможность скозного TCAD и SPICE моделирования в рамках проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Моделировался полный набор I-V, C-V, fT, fmax характеристик БТ / ГБТ до и после облучения. Результаты TCAD моделирования использовались в качестве входных данных для ...
Добавлено: 25 октября 2017 г.