?
Physical properties of InGaAs quantum dots in AlGaAs nanowires synthesized on silicon at different growth temperatures
St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 31-35.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P., Ubyivovk E. V., A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E.
Ключевые слова: квантовые точкикремнийsiliconquantum dotsмолекулярно-пучковая эпитаксияmolecular beam epitaxy
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Reznik R., Ilkiv I., Kotlyar K. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2022 Vol. 16 No. 7 Article 2200056
Комбинации нитевыдных нанокристаллов (ННК) AIIIBV с квантовыми точками (КТ) являются многообещающими материалами для квантовых источников света. В настоящей работе впервые показаны результаты выращивания ННК AlGaAs с КТ InGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Определена оптимальная температура роста и исследованы физические свойства выращенных наноструктур. Показано, что выращенные наноструктуры проявляют сигнал фотолюминесценции (ФЛ) вплоть до комнатной температуры в широком ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Balakirev S., Kirichenko D., Chernenko N. и др., Crystals 2023 Vol. 13 No. 9 Article 1358
Добавлено: 14 сентября 2023 г.
Dvoretckaia L. N., Gridchin V. O., Mozharov A. M. и др., Nanomaterials 2022 Vol. 12 No. 12 Article 1993
Прямая интеграция эпитаксиальных гетероструктур III-V и III-N на кремниевых подложках является перспективным направлением для разработки оптоэлектронных устройств. Нитевидные нанокристаллы(ННК), благодаря своей уникальной геометрии, позволяют осуществлять прямой синтез полупроводниковых светоизлучающих диодов (LED) на кремниевых подложках с несогласованной кристаллической решеткой. В данной работе, мы представляем молекулярно-пучковую эпитаксию регулярных массивов гетероструктурированных ННК n-GaN/i-InGaN/p-GaN и триподов на подложках Si/SiO2, предварительно нанесенных с использованием экономичной и быстрой ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153-157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Надточий А. М., Максимов М. В., Mintairov S. и др., Physica Status Solidi (B): Basic Research 2018 Vol. 255 No. 9 Article 1800123
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 3 С. 256-263
Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур
InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость
коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как
с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения.
В ...
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3-6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Quantum Electronics 2022 Vol. 52 No. 7 P. 593-596
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Khrebtov A. I., Kulagina A. S., Danilov V. V. и др., Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal) 2022 Vol. 89 No. 5 P. 298-301
Предмет исследования. В работе исследована фотолюминесценция гибкой пленочной структуры, представляющей собой массив нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP, внедренных в полимеризованный слой триоктилфосфин оксида с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в зависимости от интенсивности возбуждения в ближнем инфракрасном диапазоне при комнатной температуре. Метод. Нитевидные нанокристаллы были синтезированы на подложке Si (III) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке Compact 21 фирмы ...
Добавлено: 26 сентября 2022 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108
Добавлено: 26 января 2023 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 12 С. 40-43
В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через ...
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Reznik R. и др., Nanotechnology 2021 Vol. 32 No. 33 Article 335604
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 19 С. 30-33
Исследована зависимость спектрального положения линии генерации микродискового лазера с квантовыми
точками InAs/InGaAs/GaAs от показателя преломления водного раствора, в который погружен микролазер.
Для микролазеров диаметром 10 μm, помещенных в водный раствор глюкозы, получена максимальная
величина сдвига резонанса 9.4 nm/RIU. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 9 С. 820-825
На основе анализа скоростных уравнений с помощью численного моделирования и аналитически
исследовано насыщение усиления в оптическом усилителе на основе массива квантовых точек. Показано, что
при умеренном уровне инжекции величина мощности насыщения растет пропорционально плотности тока,
а в дальнейшем достигает своего наибольшего значения, ограниченного скоростью поступления носителей
заряда на основное состояние и количеством квантовых точек, взаимодействующих с фотонами. Предложены
выражения, позволяющие ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Балакирев С. В., Кириченко Д. В., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 4 С. 276-281
Представлены результаты экспериментальных исследований заращивания квантовых точек InAs низкотемпературным слоем GaAs при различных давлениях паров мышьяка. Обнаружено, что трехкратное уменьшение давления мышьяка при фиксированной скорости осаждения покровного слоя приводит к смене формы спектра фотолюминесценции квантовых точек с одним максимумом на уровне 1.19 эВ на форму спектра с двумя низкоэнергетическими вкладами на уровнях 1.08 и 1.15 ...
Добавлено: 14 сентября 2023 г.
Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 20 С. 3-6
Исследована мощность излучения в непрерывном режиме микродисковых лазеров с квантовыми ямамиточками InGaAs/GaAs, гибридно интегрированных с подложкой кремния эпитаксиальной стороной вниз с помощью термокомпрессионного соединения. Вследствие уменьшения теплового сопротивления и подавления саморазогрева наблюдается рост значений токов, при которых происходит насыщение мощности и гашение лазерной генерации, а также увеличение предельной мощности. В микродисках диаметром 19 µm наибольшая ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.