Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

Гридчин В. О.; Сошников И. П.; Резник Р. Р.; С. Д. Комаров; Пирогов Е. В.; Лендяшова В. В.; Котляр К. П.; Н. В. Крыжановская; Цырлин Г. Э.

doi:10.21883/PJTF.2023.05.54668.19452

?

Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 5. С. 32–35.

Гридчин В. О., Сошников И. П., Резник Р. Р., Комаров С. Д., Пирогов Е. В., Лендяшова В. В., Котляр К. П., Крыжановская Н. В., Цырлин Г. Э.

Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: русский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: наноструктуры кремний молекулярно-пучковая эпитаксия фотолюминесценция InGaN плазма азота

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Исследование характеристик микро- и нанолазеров на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 различной квантовой размерности (2023)

Оптические методы детектирования единичных биомолекул: визуализация, сенсорика, секвенирование молекул ДНК

Мелентьев П. Н., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Успехи физических наук 2024 Т. 194 № 11 С. 1130–1145

Представлен краткий обзор достигнутого уровня оптических методов детектирования единичных молекул в биомедицинских приложениях. Показано, что регистрация флуоресценции единичных молекул красителей, ковалентно связанных с антителами (биомолекулами), совместно с использованием современных методов нанофотоники может быть применена для решения различных задач в биологии и медицине: визуализации биомолекул, токсинов, вирусных частиц, определения ультранизких концентраций аналитов напрямую во взятой пробе, ...

Добавлено: 21 мая 2026 г.

VACUUM DISCHARGE DRIVEN BY STRIPE LINE STORAGE AS A SOURCE OF EUV RADIATION

Antsiferov P.S., Stepanov L.V., Matiukhin N. D., Review of Scientific Instruments 2025 Vol. 96 No. 12 Article 123506

Добавлено: 20 мая 2026 г.

Регистрация спектров на 6.65 метровом ВУФ-УФ спектрометре с помощью многоканального детектора

Анциферов П. С., Степанов Л. В., Матюхин Н. Д., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 2 С. 214–218

Сообщено о разработке системы регистрации спектров на ПЗС-линейке для уникального ВУФ спектрометра, построенного на основе сферической дифракционной решетки с радиусом 6.65 m. Была использована линейка HAMAMATSU S11156-2048-02, которая устанавливалась по касательной к окружности Роуланда с возможностью механического перемещения для сканирования спектра. Были получены спектрограммы в диапазоне длин волн 2130-2270 Angstrem. Описана методика сшивки регистрируемых спектральных ...

Добавлено: 20 мая 2026 г.

ML-based Fast Simulation of FARICH Responses

Шипилов Ф. А., Barnyakov A., Ivanov A. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2026.

Добавлено: 19 мая 2026 г.

On a Possible Method for Separating CO Lines from the Spectrum of the Cosmic Microwave Background

Malinovsky A. M., Пилипенко С. В., Mikhalchenko A. O. и др., Astronomy Reports 2026 Vol. 70 P. 1–6

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Broadband photoluminescence of epitaxial bismuth nanowires and planar nanostructures

Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705

Добавлено: 19 мая 2026 г.

STM study of single phosphorus incorporation into silicon by heating PBr3 on Si(100)

Павлова Т. В., V.M. Shevlyuga (Шевлюга В. М., Applied Surface Science 2026 Vol. 736 P. 166813–166813

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Single-photon diamond sources created by nature

Pasternak D., Romshin A., Khmelnitsky Р. и др., Carbon 2026 Vol. 256 Article 121655

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Optical features of nanoplatelets modified with chiral ligands

Смирнов А. М., Kurtina D. A., Saitov S. R. и др., Optical Materials: X 2026 Vol. 30 Article 100441

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Temperature-driven charge transport in annealed CdSe/CdS nanoplatelets film

Смирнов А. М., Mantsevich V. N., Saitov S. R. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 Article 185702

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией

Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30

Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants

The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394

Добавлено: 16 мая 2026 г.

The origin of enhanced photocatalytic performance in titanium dioxide via niobium doping: From experimental assessments to DFT insights

Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830

Добавлено: 16 мая 2026 г.

Perturbation theory for phase correlations of a light wave propagating in a turbulent medium

I. V. Kolokolov, V. V. Lebedev, Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 No. 5 Article 054117

Добавлено: 15 мая 2026 г.

Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires

Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821

Добавлено: 12 ноября 2025 г.

Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption

Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427

Добавлено: 20 октября 2025 г.

Calculations of pathways of precise P incorporation into chlorinated Si(100) surface

T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701

Добавлено: 27 июня 2025 г.

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237

Добавлено: 14 мая 2025 г.

Идентификация парамагнитных центров спин-зависимой рекомбинации на поверхности пластин кремния

Власенко Л. С., Федосов И. С., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 9 С. 3–5

Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости зарегистрированы и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров на поверхности пластин кремния с ориентациями (111), (110) и (100), не подвергнутых термическому окислению, после их естественного окисления на воздухе. Обсуждены оптимальные экспериментальные условия регистрации спектров с чувствительностью на порядок больше, чем в случае обычного метода электронного парамагнитного ...

Добавлено: 12 мая 2025 г.

Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces

Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate

Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964

We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Correlation and exchange energies of a quantum Hall ferromagnet with 𝜈=1/3 in the strong interaction regime

P. S. Berezhnoy, Koreyev A. S., A. B. Van'kov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 23 Article 235306

Добавлено: 14 января 2025 г.

Фотолюминесценция сверхрешеток GaPNAs/GaP(N) и объемных слоев GaPN на подложках GaP

Никитина Е. В., Соболев М. С., Пирогов Е. В. и др., Конденсированные среды и межфазные границы 2024 Т. 26 № 3 С. 490–495

Добавление нескольких процентов азота в GaP или GaPAs позволяют получить твердые растворы GaPNAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с кремниевой подложкой в большом диапазоне значений ширины запрещенной зоны, что дает возможность получения оптоэлектронных кремниевых интегральных схем. Однако материалы с небольшой долей азота являются мало изученными из-за сложности в эпитаксиальном выращивании четверных твердых растворов с тремя ...

Добавлено: 24 ноября 2024 г.

Electric-field-induced polarization anisotropy of interband photoluminescence in GaAs

Shalygin V. A., Махов И. С., Adamov R. B. и др., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 No. 19 Article 195703

Добавлено: 23 ноября 2024 г.