• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Enhancing the reactivity of Si(100)–Cl toward PBr3 by charging Si dangling bonds
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Enhancing the reactivity of Si(100)–Cl toward PBr3 by charging Si dangling bonds

Journal of Chemical Physics. 2023. Vol. 159. No. 21. Article 214701.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga
Научное направление: Физика
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: адсорбцияповерхностькремнийsiliconSurfaceadsorption
Похожие публикации
Wave propagation and transformation in the frame of magnetohydrodynamics with a vortex electric field
Bisnovatyi-Kogan G., Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., International Journal of Modern Physics A 2025 Vol. 40 No. 7 Article 2550018
Добавлено: 11 мая 2026 г.
MHD Simulations of Magnetized Rotating Jets
Торопина О. Д., Бисноватый-Коган Г. С., Моисеенко С. Г., Astronomy Reports 2025 Vol. 69 No. Suppl. 1 P. 80–90
Представлены результаты МГД-моделирования сверхзвуковых астрофизических и лабораторных струй во внешнем полоидальном магнитном поле (Br,Bz) с учетом вращения вещества. Выброшенное вещество коллимируется магнитным полем, степень коллимации и структура потока зависят от соотношения между индукцией магнитного поля и угловой скоростью вещества. При сильном магнитном поле и умеренном вращении образуется бочкообразная структура вытянутой формы, оставляющая после себя стабильный ...
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Impact on Aluminum Alloy B95 by Powerful Pulsed Ion-Plasma and Electron Flows in the Plasma Focus Device
Morozov E. V., Demin A. S., Borovitskaya I. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 3 P. 619–626
Добавлено: 4 мая 2026 г.
An Approximate Method for Calculating Kinetic Coefficients of Heavy Ions in He-Containing Mixtures in a Strong Electric Field
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Influence of the Normal Magnetic Component to Magnetotail Current Sheet Forma
Domrin V. I., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Cosmic Research 2026 Vol. 64 No. 2 P. 238–252
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Asymmetric Equilibrium Structures of Superthin Current Sheets: The Asymmetry of Plasma Sources
Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Особенности генерации квазипериодических ОНЧ-излучений с существенной частотной динамикой внутри плазмосферы
П.А.Беспалов, О.Н. Савина, Геомагнетизм и аэрономия 2025 Т. 65 № 5 С. 620–628
Рассмотрены несколько базовых моделей частотной динамики в квазипериодических ОНЧ-излучениях с периодами повторения спектральных форм от 10 до 300 с. Во всех случаях речь идет о проявлениях циклотронной неустойчивости электронных радиационных поясов, которые хорошо описываются в рамках теории плазменного магнитосферного мазера, основанной на усредненной самосогласованной системе квазилинейных уравнений для частиц и волн. Не очень четкие спектральные элементы характерны для QP-всплесков, представляющих ...
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Modeling of Influence of a Thin Dielectric Film at a Fraction of Cathode Surface on Transition of a Glow Gas Discharge into an Arc Discharge
Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2026 Vol. 90 No. 4 P. 572–576
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Stable Multi-Wavelength Resonant Metal-dielectric Hybrid Nanostructure in the Infrared Range
Lu X., Tognazzi A., Klimov V. и др., Plasmonics 2026 Vol. 21 P. 1503–1512
Добавлено: 22 апреля 2026 г.
Cross-influence of two societies in deterministic evolutionary game
Щур Л. Н., Antonov D., Burovski E., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2026 P. 1–9
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices
Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Electric Double Layer: From Classical Stern-like Models to Advanced Continuum Theories
Doronin S. V., Будков Ю. А., Current Opinion in Electrochemistry 2026 Vol. 57 Article 101853
Добавлено: 19 апреля 2026 г.
Theory of capillary-induced self-coacervation in zwitterionic polymer solutions
Nikolai N. Kalikin, Petr E. Brandyshev, Yury A. Budkov, Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 164 No. 15 Article 154904
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
UV-C microdisk lasers based on AlGaN heterostructures on sapphire
Моисеев Э. И., D.A. Masyutin, I.A. Melnichenko и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 201 No. 115289 Article 115289
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
Asymptotic expansion of self-consistent energy levels of hydrogen atom in ortogonal electric and magnetic fields
A. V. Pereskokov, Theoretical and Mathematical Physics 2026 Vol. 226 No. 3 P. 470–484
Добавлено: 12 апреля 2026 г.
Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment
Shandyba N. A., Eremenko M. M., Dukhan D. D. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 19–22
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
Нелинейная генерация течений волнами на поверхности жидкости
Вергелес С. С., Левченко А. А., Парфеньев В. М., Успехи физических наук 2025 Т. 195 № 11 С. 1199–1220
Затухание поверхностных волн из-за вязкой диссипации сопровождается возбуждением медленных вихревых течений благодаря сохранению полного импульса. Мы представляем теоретическую модель для волн малой амплитуды, объясняющую эксперименты по генерации вихревых течений скрещенными волнами. Особое внимание уделено влиянию поверхностных загрязнений, которое учтено в рамках модели тонкой жидкой эластичной пленки, приводящей к усилению диссипации волн и интенсификации вихревых течений. ...
Добавлено: 9 ноября 2025 г.
Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427
Добавлено: 20 октября 2025 г.
Синтез Fe-ZIF и особенности сорбции ионов цинка и меди на его поверхности
Вашурин А. С., Карасева А. А., Филиппов Д. В., Журнал неорганической химии 2023 Т. 68 № 7 С. 939–945
Предложен метод синтеза цеолитного имидазолатного каркаса на основе Fe(III) при различных соотношениях металл/линкер, который используется в качестве сорбента для извлечения ионов цинка(II) и меди(II). Для полученных материалов установлено, что частицы имеют гексагональную структуру и представляют собой микрогетерогенную систему со средним размером частиц 0.05–0.1 мкм. Получены изотермы адсорбции азота в порах Fe-ZIF. В результате их обработки ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.
Calculations of pathways of precise P incorporation into chlorinated Si(100) surface
T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701
Добавлено: 27 июня 2025 г.
Идентификация парамагнитных центров спин-зависимой рекомбинации на поверхности пластин кремния
Власенко Л. С., Федосов И. С., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 9 С. 3–5
Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости зарегистрированы и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров на поверхности пластин кремния с ориентациями (111), (110) и (100), не подвергнутых термическому окислению, после их естественного окисления на воздухе. Обсуждены оптимальные экспериментальные условия регистрации спектров с чувствительностью на порядок больше, чем в случае обычного метода электронного парамагнитного ...
Добавлено: 12 мая 2025 г.
Surface Tension and Adsorption at the Vapor–Liquid Interface in a Methane–Ethane System
Lenev D. Y., Zakharov S. A., V. V. Pisarev, Russian Journal of Physical Chemistry A 2024 Vol. 98 No. 12 P. 2816–2822
Добавлено: 15 ноября 2024 г.
PBr3 adsorption on a chlorinated Si(100) surface with mono- and bivacancies
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 160 No. 5 Article 054701
For the most precise incorporation of single impurities in silicon, which is utilized to create quantum devices, a monolayer of adatoms on the Si(100) surface and a dopant-containing molecule are used. Here we studied the interaction of a phosphorus tribromide with a chlorine monolayer with mono- and bivacancies in a scanning tunneling microscope (STM) at ...
Добавлено: 2 июля 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору