On the Growth of InGaN Nanowires by Molecular-Beam Epitaxy: Influence of the III/V Flux Ratio on the Structural and Optical Properties

Gridchin V. O.; Komarov S. D.; Soshnikov I. P.; Shtrom I. V.; Reznik R. R.; Kryzhanovskaya N. V.; Cirlin G. E.

doi:10.1134/S1027451024020289

Публикации

?

On the Growth of InGaN Nanowires by Molecular-Beam Epitaxy: Influence of the III/V Flux Ratio on the Structural and Optical Properties

Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2024. Vol. 18. No. 2. P. 408–412.

Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P., Shtrom I. V., Reznik R. R., Kryzhanovskaya N. V., Cirlin G. E.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: кремний silicon nanowires InGaN molecular-beam epitaxy молекулярно-пучковая эпитаксия photoluminescence нитевидные нанокристаллы фотолюминесценция InGaN

An Approximate Method for Calculating Kinetic Coefficients of Heavy Ions in He-Containing Mixtures in a Strong Electric Field

Пономарев А. А., Александров Н. Л., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378

Добавлено: 27 апреля 2026 г.

Influence of the Normal Magnetic Component to Magnetotail Current Sheet Forma

Domrin V. I., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Cosmic Research 2026 Vol. 64 No. 2 P. 238–252

Добавлено: 27 апреля 2026 г.

Asymmetric Equilibrium Structures of Superthin Current Sheets: The Asymmetry of Plasma Sources

Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185

Добавлено: 27 апреля 2026 г.

Особенности генерации квазипериодических ОНЧ-излучений с существенной частотной динамикой внутри плазмосферы

П.А.Беспалов, О.Н. Савина, Геомагнетизм и аэрономия 2025 Т. 65 № 5 С. 620–628

Рассмотрены несколько базовых моделей частотной динамики в квазипериодических ОНЧ-излучениях с периодами повторения спектральных форм от 10 до 300 с. Во всех случаях речь идет о проявлениях циклотронной неустойчивости электронных радиационных поясов, которые хорошо описываются в рамках теории плазменного магнитосферного мазера, основанной на усредненной самосогласованной системе квазилинейных уравнений для частиц и волн. Не очень четкие спектральные элементы характерны для QP-всплесков, представляющих ...

Добавлено: 25 апреля 2026 г.

Modeling of Influence of a Thin Dielectric Film at a Fraction of Cathode Surface on Transition of a Glow Gas Discharge into an Arc Discharge

Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2026 Vol. 90 No. 4 P. 572–576

Добавлено: 25 апреля 2026 г.

Stable Multi-Wavelength Resonant Metal-dielectric Hybrid Nanostructure in the Infrared Range

Задков В. Н., Plasmonics 2026 Vol. 21 P. 1503–1512

Добавлено: 22 апреля 2026 г.

Cross-influence of two societies in deterministic evolutionary game

Щур Л. Н., Antonov D., Burovski E., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2026 P. 1–9

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices

Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Theory of capillary-induced self-coacervation in zwitterionic polymer solutions

Каликин Н. Н., Брандышев П. Е., Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 164 Article 154904

Добавлено: 18 апреля 2026 г.

UV-C microdisk lasers based on AlGaN heterostructures on sapphire

Моисеев Э. И., Масютин Д. А., Мельниченко И. А. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 201 No. 115289 P. 1–5

Добавлено: 18 апреля 2026 г.

Asymptotic expansion of self-consistent energy levels of hydrogen atom in ortogonal electric and magnetic fields

A. V. Pereskokov, Theoretical and Mathematical Physics 2026 Vol. 226 No. 3 P. 470–484

Добавлено: 12 апреля 2026 г.

Ultra-narrow linewidth blue plasmonic single mode nanolasing from MBE-grown GaN nanowires with embedded InGaN quantum wells

Шугабаев Т., Мельниченко И. А., Кузнецов А. и др., Nanoscale Horizons 2026 P. 1–8

Добавлено: 9 апреля 2026 г.

Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment

Shandyba N. A., Eremenko M. M., Dukhan D. D. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 19–22

Добавлено: 11 декабря 2025 г.

Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires

Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821

Добавлено: 12 ноября 2025 г.

Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption

Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427

Добавлено: 20 октября 2025 г.

Calculations of pathways of precise P incorporation into chlorinated Si(100) surface

T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701

Добавлено: 27 июня 2025 г.

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237

Добавлено: 14 мая 2025 г.

Идентификация парамагнитных центров спин-зависимой рекомбинации на поверхности пластин кремния

Власенко Л. С., Федосов И. С., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 9 С. 3–5

Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости зарегистрированы и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров на поверхности пластин кремния с ориентациями (111), (110) и (100), не подвергнутых термическому окислению, после их естественного окисления на воздухе. Обсуждены оптимальные экспериментальные условия регистрации спектров с чувствительностью на порядок больше, чем в случае обычного метода электронного парамагнитного ...

Добавлено: 12 мая 2025 г.

Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces

Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate

Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964

We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Self-Induced MBE-grown InAsP Nanowires on Si Wafers for SWIR Applications

Kaveev A., Fedorov V., Pavlov A. и др., Journal of Materials Chemistry C 2025 Vol. 13 No. 12 P. 6063–6072

Добавлено: 25 февраля 2025 г.

Correlation and exchange energies of a quantum Hall ferromagnet with 𝜈=1/3 in the strong interaction regime

P. S. Berezhnoy, Koreyev A. S., A. B. Van'kov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 23 Article 235306

Добавлено: 14 января 2025 г.

Phase diagram of magnetoexciton condensate

Koreyev A. S., P.S. Berezhnoy, Gorbunov A. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 16 Article 165417

The phase diagram of the “gas-magnetoexciton condensate” transition of an excited two-dimensional electron system placed in a quantizing magnetic field has been constructed in the “temperature-laser excitation power density” coordinates. Based on the experimental data, we can conclude that the condensate is a collective, incompressible in real space, excited state of a quantum Hall insulator. ...

Добавлено: 10 января 2025 г.