• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
5 июня 2026 г.
Аспирантка НИУ ВШЭ открыла «невидимую» планировку античного Париона
Исследовательница из НИУ ВШЭ Идиль Малгиль изучила с помощью дрона с лазерным сканером сверхвысокого разрешения древнеримский город Парион, расположенный на территории современной Турции. Благодаря высокой плотности сканирования удалось зафиксировать крошечные неровности рельефа, скрытые под землей и растительностью. Обнаружены следы целых кварталов, террасных систем и стен, которые невозможно было различить ни при обычных раскопках, ни с помощью аэрофотосъемки. Результаты исследованияо публикованы в международном научном журнале Ancient Civilizations from Scythia to Siberia.
2 июня 2026 г.
От Волги до Янцзы: математики из Нижнего Новгорода и Шанхая изучают устойчивость систем
Математики НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде совместно с коллегами из шанхайского Университета Тунцзи исследуют фундаментальные причины структурной устойчивости систем и механизмы их нарушения. О развитии проекта Qualitative Theory of Systems of Ordinary and Partial Differential Equations в рамках программы НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» «Вышке.Главное» рассказала его руководитель, профессор Ольга Починка, заведующая Международной лабораторией динамических систем и приложений НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде.

4 июня 2026 г.
«Я хочу, чтобы люди больше доверяли науке»
Выбирая специальность «фундаментальная и прикладная лингвистика», Татьяна Еремичева думала, что это про изучение языков, а оказалось — про помощь людям. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о науке как инструменте приятия этого мира, бильярде как варианте тимбилдинга и о том, как иногда непросто научиться читать.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии

Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 5. С. 3–6.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Караборчев А. А., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Жуков А. Е.

С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 μm. Ключевые слова: наноструктуры А3В5, интеграция InAsP в кремний, InAsP/InP.

Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: русский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: наноструктурыкремнийsiliconnanostructuresA3B5A3B5
Похожие публикации
Signatures of Reconnection and a Split Heliospheric Tail in High-energy Energetic Neutral Atoms
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 P. 1–18
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Two-dimensional hexagonal boron nitride-ferrofluid hybrids enable efficient magnetic cooling
Карцев А. И., Nishant T., Saswata G. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Article -
Добавлено: 2 июня 2026 г.
The critical role of shear antiphase boundaries in τ-Mn(Al,Ga) rapidly quenched alloy
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Combined Experimental and Ab Initio Study of Sc Doping in MgB2: Decoupling Electronic and Microstructural Effects on Superconductivity
Dikhtievskaya K., Argunov E., Карцев А. И. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Численное моделирование полевой эмиссии из полупроводникового катода в вакуум
Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84
Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...
Добавлено: 29 мая 2026 г.
Электростатически управляемый контроль диссипации в двумерном наноэлектромеханическом резонаторе через напряжение-амплитудный антагонизм с рекордной 928% подстройкой добротности.
Арутюнов К. Ю., JIANG1 Q., FANG J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 P. 1–11
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Enhanced Terahertz Thermoelectricity Via Engineered Van Hove Singularities and Nernst Effect in Moiré Superlattices
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Non-linear in-band interference cancellation on base of conjugate gradients method
Degtyarev A., Bakhurin S., Юдин Н. Е., DSPA 2026 P. 1–6
Добавлено: 26 мая 2026 г.
Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices
Qian X., Deng Y., Lev N. Shchur и др., Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 2026 Vol. 696 Article 131679
Добавлено: 24 мая 2026 г.
Оптические методы детектирования единичных биомолекул: визуализация, сенсорика, секвенирование молекул ДНК
Мелентьев П. Н., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Успехи физических наук 2024 Т. 194 № 11 С. 1130–1145
Представлен краткий обзор достигнутого уровня оптических методов детектирования единичных молекул в биомедицинских приложениях. Показано, что регистрация флуоресценции единичных молекул красителей, ковалентно связанных с антителами (биомолекулами), совместно с использованием современных методов нанофотоники может быть применена для решения различных задач в биологии и медицине: визуализации биомолекул, токсинов, вирусных частиц, определения ультранизких концентраций аналитов напрямую во взятой пробе, ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
VACUUM DISCHARGE DRIVEN BY STRIPE LINE STORAGE AS A SOURCE OF EUV RADIATION
Antsiferov P.S., Stepanov L.V., Matiukhin N. D., Review of Scientific Instruments 2025 Vol. 96 No. 12 Article 123506
Добавлено: 20 мая 2026 г.
Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment
Shandyba N. A., Eremenko M. M., Dukhan D. D. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 19–22
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
BOOK of ABSTRACTS 12-th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
-, 2025.
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427
Добавлено: 20 октября 2025 г.
Calculations of pathways of precise P incorporation into chlorinated Si(100) surface
T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701
Добавлено: 27 июня 2025 г.
Идентификация парамагнитных центров спин-зависимой рекомбинации на поверхности пластин кремния
Власенко Л. С., Федосов И. С., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 9 С. 3–5
Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости зарегистрированы и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров на поверхности пластин кремния с ориентациями (111), (110) и (100), не подвергнутых термическому окислению, после их естественного окисления на воздухе. Обсуждены оптимальные экспериментальные условия регистрации спектров с чувствительностью на порядок больше, чем в случае обычного метода электронного парамагнитного ...
Добавлено: 12 мая 2025 г.
Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
On the impact of using alumina nanoparticles and initial aging on the microstructure and mechanical properties of the AA1050/AA2024 nanostructure composite, created by accumulative roll bonding (ARB) method
Roghani H., Borhani E., Jafarian H. R. и др., Wear 2023 Vol. 526-527 Article 204895
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
PBr3 adsorption on a chlorinated Si(100) surface with mono- and bivacancies
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 160 No. 5 Article 054701
For the most precise incorporation of single impurities in silicon, which is utilized to create quantum devices, a monolayer of adatoms on the Si(100) surface and a dopant-containing molecule are used. Here we studied the interaction of a phosphorus tribromide with a chlorine monolayer with mono- and bivacancies in a scanning tunneling microscope (STM) at ...
Добавлено: 2 июля 2024 г.
Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
Гридчин В. О., Сошников И. П., Резник Р. Р. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 32–35
Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза. ...
Добавлено: 20 мая 2024 г.
On the Growth of InGaN Nanowires by Molecular-Beam Epitaxy: Influence of the III/V Flux Ratio on the Structural and Optical Properties
Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2024 Vol. 18 No. 2 P. 408–412
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Study of InAs/GaAs quantum dots formation in subcritical growth modes on patterned substrates
Chernenko N. E., Махов И. С., Balakirev S. V. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 3.1 P. 64–68
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Enhancing the reactivity of Si(100)–Cl toward PBr3 by charging Si dangling bonds
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору