?
Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии
Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 5. С. 3–6.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Караборчев А. А., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Жуков А. Е.
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 μm. Ключевые слова: наноструктуры А3В5, интеграция InAsP в кремний, InAsP/InP.