Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы

Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 5. С. 420–426.

Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Вербус В. А., Гусев Н. С., Морозова Е. Е., Шенгуров Д. В., Яблонский А. Н., Новиков А. В.

Представлены результаты формирования на SOI подложках локально растянутых Ge микроструктур (микромостиков), встроенных в резонаторы, и исследования их оптических свойств. Был рассчитан дизайн резонаторов, совместимый с геометрией локально растянутой активной области, при использовании которого, с одной стороны, наблюдалась бы эффективная локализация электромагнитного поля в активной области структуры, а с другой - минимизировалось бы влияние резонатора на величину и распределение упругих деформаций в ней. Измерения спектров микрофотолюминесценции продемонстрировали значительное возрастание интенсивности сигнала в растянутых областях Ge микроструктур по сравнению с исходной Ge пленкой. Было показано, что формирование резонаторов приводит к уменьшению деформаций в Ge микромостиках, однако способствует увеличению интенсивности ФЛ исследуемых структур. Ключевые слова: SiGe-структуры, деформация, растянутый Ge, резонатор, фотолюминесценция, теплоотвод.

Ключевые слова: деформация, deformation, кремний, германий, Si, Ge