Резонансные явления в люминесцентном отклике одиночных цилиндрических резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si)

Степихова М. В.; В. А. Вербус; Барышникова К. В.; Петров М. И.; Rutckaia V. V.; Перетокин А. В.; Юрасов Д. В.; Шенгуров Д. В.; Новиков А. В.

?

Резонансные явления в люминесцентном отклике одиночных цилиндрических резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si)

С. 1019–1020.

Степихова М. В., Вербус В. А., Барышникова К. В., Петров М. И., Rutckaia V. V., Перетокин А. В., Юрасов Д. В., Шенгуров Д. В., Новиков А. В.

В работе обсуждаются резонансные явления, наблюдаемые в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) одиночных цилиндрических резонаторов и их цепочек, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si). Показана возможность усиления сигнала ФЛ наноостровков в таких структурах более чем на порядок величины.

Язык: русский

Полный текст

Текст на другом сайте

Ключевые слова: photoluminescence фотолюминесценция

В книге

Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума: Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г. В 2 т.

Т. 2. , Н. Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета, 2022.

Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures

Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Digital InGaAs/InAlAs short-period superlattices intended for 1.3-μm InP-lasers

V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires

Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821

Добавлено: 12 ноября 2025 г.

Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate

Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964

We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Correlation and exchange energies of a quantum Hall ferromagnet with 𝜈=1/3 in the strong interaction regime

P. S. Berezhnoy, Koreyev A. S., A. B. Van'kov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 23 Article 235306

Добавлено: 14 января 2025 г.

Phase diagram of magnetoexciton condensate

Koreyev A. S., P.S. Berezhnoy, Gorbunov A. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 16 Article 165417

The phase diagram of the “gas-magnetoexciton condensate” transition of an excited two-dimensional electron system placed in a quantizing magnetic field has been constructed in the “temperature-laser excitation power density” coordinates. Based on the experimental data, we can conclude that the condensate is a collective, incompressible in real space, excited state of a quantum Hall insulator. ...

Добавлено: 10 января 2025 г.

Фотолюминесценция сверхрешеток GaPNAs/GaP(N) и объемных слоев GaPN на подложках GaP

Никитина Е. В., Соболев М. С., Пирогов Е. В. и др., Конденсированные среды и межфазные границы 2024 Т. 26 № 3 С. 490–495

Добавление нескольких процентов азота в GaP или GaPAs позволяют получить твердые растворы GaPNAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с кремниевой подложкой в большом диапазоне значений ширины запрещенной зоны, что дает возможность получения оптоэлектронных кремниевых интегральных схем. Однако материалы с небольшой долей азота являются мало изученными из-за сложности в эпитаксиальном выращивании четверных твердых растворов с тремя ...

Добавлено: 24 ноября 2024 г.

Electric-field-induced polarization anisotropy of interband photoluminescence in GaAs

Shalygin V. A., Махов И. С., Adamov R. B. и др., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 No. 19 Article 195703

Добавлено: 23 ноября 2024 г.

Оптическая спектроскопия монокристаллов неорганического cвинцово-галогенидного перовскита CsPbBr3

Аникеева В. Е., Болдырев Н. Ю., Семенова О. И. и др., Оптика и спектроскопия 2024 Т. 132 № 8 С. 793–799

Представлены результаты исследования температурных зависимостей спектров люминесценции (3.6−120 K) при возбуждении светом с длиной волны 405 nm и бесконтактно измеренной фотопроводимости (3.6−300 K) монокристалла CsPbBr3. В низкотемпературном спектре фотолюминесценции (ФЛ), кроме линии автолокализованного экситона (2.318 eV при 10 K), наблюдаются богатая структура, возможно, относящаяся к экситонно-примесным комплексам, и широкая полоса с максимумом около 2.24 eV, ...

Добавлено: 29 октября 2024 г.

Photoluminescence of dense arrays of InGaPAs/InGaAs quantum dots formed by substitution of group V elements

Махов И. С., Крыжановская Н. В., Драгунова А. С. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 276 Article 120819

One drawback of self-organized quantum dots is their low optical gain. The development of new shaping methods that would allow higher gain, for example, due to a higher surface density of the QD array, remains an important task to date. In the present work, arrays of quantum dots have been formed by substituting phosphorous atoms ...

Добавлено: 27 августа 2024 г.

Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222

Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...

Добавлено: 3 июня 2024 г.

Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

Гридчин В. О., Сошников И. П., Резник Р. Р. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 32–35

Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза. ...

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Role of arsenic vapor pressure in transformation of InAs quantum dots during overgrowth by a GaAs capping layer

Balakirev S., Alexey Nadtochiy, Natalia Kryzhanovskaya и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 272 Article 120621

Добавлено: 20 мая 2024 г.

On the Growth of InGaN Nanowires by Molecular-Beam Epitaxy: Influence of the III/V Flux Ratio on the Structural and Optical Properties

Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2024 Vol. 18 No. 2 P. 408–412

Добавлено: 20 мая 2024 г.