Role of arsenic vapor pressure in transformation of InAs quantum dots during overgrowth by a GaAs capping layer

Balakirev S.; Alexey Nadtochiy; Natalia Kryzhanovskaya; Kirichenko D.; Chernenko N.; Shandyba N.; Sergey Komarov; Anna Dragunova; Alexey Zhukov; Solodovnik M.

doi:10.1016/j.jlumin.2024.120621

?

Role of arsenic vapor pressure in transformation of InAs quantum dots during overgrowth by a GaAs capping layer

Journal of Luminescence. 2024. Vol. 272. Article 120621.

Balakirev S., Alexey Nadtochiy, Natalia Kryzhanovskaya, Kirichenko D., Chernenko N., Shandyba N., Sergey Komarov, Anna Dragunova, Alexey Zhukov, Solodovnik M.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: epitaxy эпитаксия GaAs photoluminescence фотолюминесценция давление мышьяка InAs quantum dots arsenic pressure квантовые точки InAs GaAs

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров (2024)

Программная обработка терагерцовых тепловых изображений лица для выявления стабильных зон активации потовых желез под воздействием стресса

Журин Ю. В., Бакшеева К. А., Ожегов Р. В. и др., Цифровая обработка сигналов 2026 № 3 С. 24–29

В статье представлен программный инструмент, разработанный для обработки терагерцовых тепловых изображений лица человека, полученных в ходе контролируемого психофизиологического эксперимента. В эксперименте однопиксельный детектор с частотой 500 ГГц в сочетании с двухзеркальной сканирующей системой формирует последовательность низкоразрешенных тепловых кадров (700 × 51 пиксель) лица испытуемого в условиях релаксации и стрессовых когнитивных и физических нагрузок. Целью обработки ...

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

First measurement of the masses of the Y_1⁡(1⁢D) and Y_3⁡(1⁢D) states and the energy dependence of the cross sections for e+e- → Y_J⁡(1⁢D)⁢eta and e+e- →Y_J⁡(1⁢D)⁢ pi+pi-

Abumusabh M., Adachi I., Adamczyk K. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 No. 19 Article 191901

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

Observation of the decays B+ → Sigma_c(2455)++ Xi-_c'-bar and B0 → Sigma_c(2455)0 Xi0_c'-bar

Abumusabh M., Aggarwal L., Ahmed H. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 No. 5 Article 052016

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

A search for feebly-interacting particles in B decays with missing energy at Belle

Abumusabh M., Adachi I., Aggarwal L. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 136 No. 23 Article 231802

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

Measurement of inclusive B → X_u ℓν partial branching fractions and |V_ub| at Belle II

Abumusabh M., Adachi I., Adamczyk K. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 113 No. 3 Article 032004

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

Design, construction and operation of the Belle II muon system

Углов Т. В., International Journal of Modern Physics A 2026 P. 2645005–2645013

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

Overview of charm physics at Belle and Belle II

Ясавеев М. И., International Journal of Modern Physics A 2026 Article 2645007

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

A model independent method for measurement of B± and B0 meson production fractions at Υ(4S)

Ясавеев М. И., Пахлов П. Н., Петерс Н. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 7 Article 169

Добавлено: 9 ноября 2026 г.

Open-channel block of human TRPV6 by polyamine spermine

Neuberger A., Veretenenko I. I., Shalygin A. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 P. 1–13

Добавлено: 7 ноября 2026 г.

Visibility function and Stokes parameter analysis for non-ideal quarter-wave plates in a polarization contrast scheme

Kupavskii S. A., Malikov R. O., Dyakov S. A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 161105

Добавлено: 6 ноября 2026 г.

Energy relaxation in superconducting single-crystal TiN films probed by flux-flow instability

Баева Э. М., Titova N. A., Kirsanova M. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 19 Article 194513

Добавлено: 6 ноября 2026 г.

Casimir force screening by a quantum Boltzmann plasma

Брандышев П. Е., Конюшенко М. Н., Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16

Мы разрабатываем теоретико-полевое описание взаимодействия Казимира при конечной температуре между двумя идеально проводящими границами, разделенными промежутком, заполненным двухкомпонентной квантовой больцмановской плазмой, погруженной в однородную диэлектрическую среду. Квантовое движение заряженных частиц представлено в виде мировых линий в мнимом времени, а электромагнитное поле рассматривается в гауссовом приближении. Полученная статистическая сумма содержит отдельные вклады продольных и поперечных откликов, ...

Добавлено: 6 ноября 2026 г.

Spectral structure of the mixed Hessian of the dispersionless Toda τ-function

Алексеев О. В., Letters in Mathematical Physics 2026 Vol. 116 No. 5 Article 132

Добавлено: 5 ноября 2026 г.

Modelling optimal implementation of an arbitrary N-qubit quantum gate within the generalized Bloch vectors formalism

Elena R. Loubenets, Sergey Kuznetsov, Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 358

Добавлено: 3 ноября 2026 г.

Gerstner gravity-capillary waves and their collapse mode

Абрашкин А. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 No. 8 Article 083624

Добавлено: 3 ноября 2026 г.

Vague Stimulating Ideas, Images and Metaphors in Scientific Thinking: Researchers’ Work with Horizons of Unclear Knowledge

Поддьяков А. Н., Integrative Psychological and Behavioral Science 2026 Vol. 60 No. 4 P. 1–50

Добавлено: 3 ноября 2026 г.

Microdisk lasers with a bridge contact pad formed by wet chemical etching

Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Injection edge-emitting microlasers with InGaAs/GaAs quantum dot active region

Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Excitation-dependent photoluminescence and room-temperature whispering gallery mode lasing in InGaN/GaN microdisks on sapphire

Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures

Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Digital InGaAs/InAlAs short-period superlattices intended for 1.3-μm InP-lasers

V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires

Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821

Добавлено: 12 ноября 2025 г.

Whispering gallery mode selection in quantum dot microdisk lasers under spatially inhomogeneous optical pumping

Anna Obraztsova, Ivan Makhov, Ivan Melnichenko и др., Journal of Lightwave Technology 2025 Vol. 43 No. 15 P. 7278–7284

Добавлено: 5 сентября 2025 г.

Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate

Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964

We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...

Добавлено: 17 апреля 2025 г.