?
Electric-field-induced polarization anisotropy of interband photoluminescence in GaAs
Journal of Applied Physics. 2024. Vol. 136. No. 19. Article 195703.
Чернышов А. А., Padokhin A. M., Grach S. M. и др., Geophysical Research Letters 2026 Vol. 53 P. 1–11
Добавлено: 31 августа 2026 г.
D. A. Dorofeev, A. A. Chernyshov, Mogilevsky M. M. и др., JOURNAL OF GEOPHYSICAL RESEARCH-SPACE PHYSICS 2025 Vol. 130 Article e2025JA033900
Добавлено: 31 августа 2026 г.
Добавлено: 31 августа 2026 г.
Kobtsev Danil, Albert J., Nitzan M. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2026 Vol. 16 No. 17 Article 8577
Добавлено: 30 августа 2026 г.
Воронеж: Издательский дом ВГУ, 2026.
В сборник вошли материалы XXXII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» (RLNC*2026), прошедшие ре цензирование членами программного комитета конференции. Основной целью конференции является организация взаимодействия научных и научно технических коллективов для обмена опытом и новыми творческими успехами. Достижение этой цели также способствует внедрению перспективных разрабо ток, имеющих практическое значение для дальнейшего развития промышленно сти, экономики ...
Добавлено: 29 августа 2026 г.
Мельников И. Е., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 No. 114 Article 934
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Добавлено: 20 августа 2026 г.
Gimaev R., Karpenkov A., Shelkovyi F. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1080 Article 190307
Магнитотермические свойства четвертичного сплава Fe49Rh46.1Pd3.1Ir1.8 исследованы с помощью комбинации расчетов из первых принципов, структурной характеристики, магнитометрии, калориметрии и прямых измерений адиабатического изменения температуры. Получен исключительный магнитокалорический отклик: ΔTad достигает −11,9 К в поле 1,85 Т в прерывистом режиме и −8,6 К в непрерывном (циклическом) режиме, причем оба значения превышают значения, зарегистрированные на сегодняшний день для ...
Добавлено: 18 августа 2026 г.
Добавлено: 13 августа 2026 г.
S. S. Seidov, N. G. Pugach, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074504
Добавлено: 13 августа 2026 г.
Ievlev E., Marshakov A., Sumbatian G. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 046006
Добавлено: 13 августа 2026 г.
Afanasiev S., Agakishiev G., Aleksandrov A. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 2026 Article 48
Добавлено: 12 августа 2026 г.
Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 Article 064506
Добавлено: 12 августа 2026 г.
Добавлено: 11 августа 2026 г.
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 No. 31 Article 315205
Добавлено: 6 августа 2026 г.
G. G. Bondarenko, Kristya V. I., Savichkin D. O. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2026 Vol. 20 No. 2 P. 417–423
Добавлено: 1 августа 2026 г.
Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О. и др., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 1 С. 80–86
Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления источника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 ...
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Nevzorov A., Golikov A., Gneushev D. и др., JETP Letters 2026 Vol. 123 No. 3 P. 147–151
Добавлено: 31 июля 2026 г.
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used
during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence
spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the
longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.