?
Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires
Advanced Optical Materials. 2025. Vol. 13. No. 30. Article e01821.
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I., Moskalev M., Komarov Sergey, Novikova K., Alekseev P., Kapoor A., Eymery J., Durand C., Tchernycheva M., Davydov V., Mukhin I.
Ключевые слова: atomic force microscopyатомно-силовая микроскопияGaN photoluminescencenanowireфотолюминесценциянитевидный нанокристаллstrain engineeringGaNинженерия деформационных напряжений
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Metlov K., Andrei B. Bogatyrëv, Annalen der Physik 2026 Vol. 538 No. 6 Article e70234
Добавлено: 28 июля 2026 г.
Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470
Добавлено: 23 июля 2026 г.
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Korogod D., Shapeev A., Ivan S. Novikov, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 2 Article 024104
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Sozykin K., Rybin N., Chertkov A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 22 Article 224111
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Парфеньев В. М., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 114 No. 1 Article 015104
Добавлено: 17 июля 2026 г.
Прокофьев В. В., Забродин А. В., Proceedings of the Steklov Institute of Mathematics 2020 Vol. 309 P. 225–239
Добавлено: 14 июля 2026 г.
Прокофьев В. В., Забродин А. В., Theoretical and Mathematical Physics 2021 Vol. 208 P. 1093–115
Добавлено: 14 июля 2026 г.
Ruderman M. S., N. S. Petrukhin, Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2026 Vol. 549 No. 4 Article stag783
Добавлено: 12 июля 2026 г.
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 1 Article 014101
Добавлено: 6 июля 2026 г.
МФТИ, 2025.
абота редакции научного журнала «Труды Московского физико-технического института» (кратко «Труды МФТИ»), редакционной коллегии и редакционного совета осуществляется в соответствии с Положением, утвержденным ректором института. В состав редакционной коллегии входят руководители института, факультетов, институтских и факультетских кафедр. Главный редактор журнала —президент МФТИ, член-корр. РАН Кудрявцев Н.Н.
Журнал «Труды МФТИ» входит в базу данных РИНЦ (Российский Индекс Научного Цитирования) и доступен в электронной ...
Добавлено: 4 июля 2026 г.
Bobkov G. A., Bobkov G. A., Bobkova I. V. и др., Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2025 Vol. 38 Article 239
Добавлено: 2 июля 2026 г.
Bakurskiy S. V., Skryabina O. V., Ruzhickiy V. I. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 P. 134509-1–134509-10
Добавлено: 2 июля 2026 г.
Polevoy K. B., Bakurskiy S. V., Ruzhickiy V. I. и др., Physical Review Applied 2026 Vol. 25 P. 024030-1–024030-12
Добавлено: 2 июля 2026 г.
Добавлено: 26 июня 2026 г.
Полькин А. В., Skvortsov M., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 17 Article 174516
Добавлено: 25 июня 2026 г.
Skvortsov M., Artem V. Polkin, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 10 Article L100502
Добавлено: 25 июня 2026 г.
Деменев А. А., Терешко С. Н., Гиппиус Н А и др., Известия РАН. Серия физическая 2025 Т. 89 № 2 С. 265–273
В диапазоне длительностей до 1.5 нс исследована временная эволюция поляризованных спектров излучения спинорных экситон-поляритонных конденсатов в двойных туннельно-связанных потенциальных ловушках в высокодобротном GaAs/AlAs микрорезонаторе при T = 2 К, резонансно возбуждаемых пикосекундными лазерными импульсами. Получена оценка для времени спиновой релаксации конденсатов в двойной ловушке τS ≈ 10 нс. Обсуждается влияние туннельного взаимодействия и анизотропии потенциала ловушек ...
Добавлено: 23 июня 2026 г.
Насыров Д. Д., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025.
В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может ...
Добавлено: 15 декабря 2025 г.
D.A. Masyutin, A.A. Rudnev, E.I. Moiseev и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 125–128
В работе представлены результаты исследования высокотемпературных характеристик микродисковых лазеров с активной средой на основе квантовых ям InGaN/GaN. Исследовались спектры фотолюминесценции микродисков диаметром 5 мкм в диапазоне температур от 25 °C до 100 °C. Продемонстрирована высокая температурная стабильность лазерной генерации. ...
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
E. V. Shpagina, E. S. Tikhonov, Ruhstorfer D. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 112 No. 14 Article L140503
Добавлено: 9 ноября 2025 г.