?
Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires
Advanced Optical Materials. 2025. Vol. 13. No. 30. Article e01821.
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I., Moskalev M., Komarov Sergey, Novikova K., Alekseev P., Kapoor A., Eymery J., Durand C., Tchernycheva M., Davydov V., Mukhin I.
Ключевые слова: atomic force microscopyатомно-силовая микроскопияGaN photoluminescencenanowireфотолюминесценциянитевидный нанокристаллstrain engineeringGaNинженерия деформационных напряжений
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Chertenkov V. I., Щур Л. Н., Lobachevskii Journal of Mathematics 2026 Vol. 47 No. 2 P. 720–727
Добавлено: 16 июня 2026 г.
Батурин А. С., Гаврилов В. Р., Иванов А. В. и др., Измерительная техника 2026 Т. 75 № 2 С. 14–28
28 декабря 2025 года Всероссийскому научно-исследовательскому институту оптико-физических измерений (ВНИИОФИ) исполнилось 60 лет. За прошедшие десятилетия институт выполнил значительное количество научных исследований, разработал и поставил потребителям тысячи высокоточных средств оптико-физических измерений (включая эталонное оборудование). В статье представлены наиболее значимые для метрологического обеспечения оптико-физических измерений результаты научно-исследовательских работ, выполненных ВНИИОФИ за период 2016–2025 гг. ...
Добавлено: 15 июня 2026 г.
Минаев В. Л., Измерительная техника 2025 Т. 74 № 2 С. 20–27
Качество формируемого оптической системой изображения определяется её частотно-контрастной характеристикой или коэффициентами передачи модуляции на различных пространственных частотах. Для обеспечения единства измерений коэффициентов передачи модуляции и создания эталонной базы по воспроизведению, хранению и передаче единицы коэффициента передачи модуляции усовершенствован Государственный первичный эталон единиц оптической силы очковой оптики ГЭТ 205-2013 в части воспроизведения единицы коэффициентов передачи модуляции ...
Добавлено: 15 июня 2026 г.
Filippova A. V., Yurchenko N. Y., Smirnov S. A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1074 Article 189162
Добавлено: 12 июня 2026 г.
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Добавлено: 8 июня 2026 г.
N.S. Artekha, D.R. Shklyar, Physics of Plasmas 2026 Vol. 33 No. 6 Article 062105
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Dikhtievskaya K., Argunov E., Alexey I. Kartsev и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Насыров Д. Д., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025.
В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может ...
Добавлено: 15 декабря 2025 г.
D.A. Masyutin, A.A. Rudnev, E.I. Moiseev и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 125–128
В работе представлены результаты исследования высокотемпературных характеристик микродисковых лазеров с активной средой на основе квантовых ям InGaN/GaN. Исследовались спектры фотолюминесценции микродисков диаметром 5 мкм в диапазоне температур от 25 °C до 100 °C. Продемонстрирована высокая температурная стабильность лазерной генерации. ...
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
E. V. Shpagina, E. S. Tikhonov, Ruhstorfer D. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 112 No. 14 Article L140503
Добавлено: 9 ноября 2025 г.
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used
during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence
spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the
longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
P. S. Berezhnoy, Koreyev A. S., A. B. Van'kov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 23 Article 235306
Добавлено: 14 января 2025 г.
Koreyev A. S., P.S. Berezhnoy, Gorbunov A. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 16 Article 165417
The phase diagram of the “gas-magnetoexciton condensate” transition of an excited two-dimensional electron
system placed in a quantizing magnetic field has been constructed in the “temperature-laser excitation power
density” coordinates. Based on the experimental data, we can conclude that the condensate is a collective,
incompressible in real space, excited state of a quantum Hall insulator. ...
Добавлено: 10 января 2025 г.
Никитина Е. В., Соболев М. С., Пирогов Е. В. и др., Конденсированные среды и межфазные границы 2024 Т. 26 № 3 С. 490–495
Добавление нескольких процентов азота в GaP или GaPAs позволяют получить твердые растворы GaPNAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с кремниевой подложкой в большом диапазоне значений ширины запрещенной зоны, что дает возможность получения оптоэлектронных кремниевых интегральных схем. Однако материалы с небольшой долей азота являются мало изученными из-за сложности в эпитаксиальном выращивании четверных твердых растворов с тремя ...
Добавлено: 24 ноября 2024 г.
Shalygin V. A., Махов И. С., Adamov R. B. и др., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 No. 19 Article 195703
Добавлено: 23 ноября 2024 г.
Dubrovskii V., Cirlin G., Kirilenko D. и др., Nanoscale Horizons 2024 Vol. 9 No. 12 P. 2360–2367
Добавлено: 23 ноября 2024 г.