?
Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires
Advanced Optical Materials. 2025. Vol. 13. No. 30. Article e01821.
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I., Moskalev M., Komarov Sergey, Novikova K., Alekseev P., Kapoor A., Eymery J., Durand C., Tchernycheva M., Davydov V., Mukhin I.
Ключевые слова: atomic force microscopyатомно-силовая микроскопияGaN photoluminescencenanowireфотолюминесценциянитевидный нанокристаллstrain engineeringGaNинженерия деформационных напряжений
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93
Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Осипова А. М., Пилипенко С. В., Novikov D. I. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 063522
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Gribova N. I., Osmanov S. V., Lyashko S. D. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 No. 614 P. 1–8
Добавлено: 4 октября 2026 г.
Seleznev G., Fominov Yakov V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074505
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 04 Article 101
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article L051102
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 136 No. 23 Article 231801
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Пахлова Г. В., Бодров Д. А., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 052009
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 032004
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 052006
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Пахлов П. Н., Пахлова Г. В., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 112010
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 05 Article 175
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Abumusabh М., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 032017
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Пахлов П. Н., Пахлова Г. В., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 112012
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Лубашевский И. А., Lubashevskiy V., Physica D: Nonlinear Phenomena 2026 Vol. 498 Article 135441
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлов П. Н., Пахлова Г. В. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 Article 051805
Добавлено: 1 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Aushev Т., Abumusabh М., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2026 No. 136 Article 241901
Добавлено: 1 октября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Насыров Д. Д., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025.
В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может ...
Добавлено: 15 декабря 2025 г.