Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires

Sharov V.; Pavlov A.; Eliseyev I.; Moskalev M.; Komarov Sergey; Novikova K.; Alekseev P.; Kapoor A.; Eymery J.; Durand C.; Tchernycheva M.; Davydov V.; Mukhin I.

doi:10.1002/adom.202501821

?

Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires

Advanced Optical Materials. 2025. Vol. 13. No. 30. Article e01821.

Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I., Moskalev M., Komarov Sergey, Novikova K., Alekseev P., Kapoor A., Eymery J., Durand C., Tchernycheva M., Davydov V., Mukhin I.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: atomic force microscopy атомно-силовая микроскопия GaN photoluminescence nanowire фотолюминесценция нитевидный нанокристалл strain engineering GaN инженерия деформационных напряжений

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов (2025)

Microdisk lasers with a bridge contact pad formed by wet chemical etching

Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Injection edge-emitting microlasers with InGaAs/GaAs quantum dot active region

Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Excitation-dependent photoluminescence and room-temperature whispering gallery mode lasing in InGaN/GaN microdisks on sapphire

Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Algorithmic overlaps in the Baxter–Wu model: cluster dynamics under Novotny–Evertz updates

Пиле Я. Э., Щур Л. Н., Nuclear Physics B 2026 No. 0550-3213 Article 117706

Добавлено: 1 ноября 2026 г.

Molecular dynamics and machine learning insights into oil-brine interfacial tension: Uncovering roles of dissolved gases and salinity

Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444

Добавлено: 28 октября 2026 г.

Predicting multi-component oil viscosity using machine learning methods

Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616

Добавлено: 28 октября 2026 г.

PARSE: Physical attribute representativity and stationarity evaluator open-source library for 3D images using scalar and vector metrics

Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860

Добавлено: 28 октября 2026 г.

Low-energy collective excitations in a gold monolayer, Vyacheslav Silkin and Maxim Kagan Working papers by Cornell University Series cond-mat other “arxiv org” 2610. 31805 22 Oct. 2026

Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.

Аннотация Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...

Добавлено: 27 октября 2026 г.

From frozen Coulomb decoherence to thermalization: Classical and quantum density-matrix routes to Balescu–Lenard and Landau kinetics

Будков Ю. А., Annals of Physics 2026 Vol. 495 No. 3 Article 170796

Добавлено: 26 октября 2026 г.

On non-Abelian waves repeatedly changing sign at constant phases

Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168

Добавлено: 26 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 23 октября 2026 г.

Stress tensor in fundamental measure theory of hard-sphere fluids: A thermomechanical approach

Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16 Article 164108

Добавлено: 22 октября 2026 г.

Отсутствие отражения фонон-поляритона от края металлической маски на поверхности SiC

Ивченко В. С., Иевлева В. А., Матиенко Д. А. и др., Журнал технической физики 2026 № 9 С. 1738–1749

Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Исследование движения сферического фронта клеток в вязком матриксе: роль клеточных делений и взаимодействия клеток с матриксом при развитии опухолей

Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75

Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате, состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Phase Transitions in the Ni2.14Mn0.81Fe0.05Ga Heusler Alloy under the Influence of a Magnetic Fild and Hydrostatic Pressure

Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Dissipative quantum mechanics of Andreev bound states

Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 214502

We propose a microscopic scheme that allows to describe ac Josephson effect in superconducting junctions in terms of dissipative quantum dynamics of subgap Andreev bound states. This approach is particularly useful for highly transparent junctions at subgap bias voltages in which case a nontrivial combination of Landau-Zener tunneling between Andreev levels and their instability due to quasiparticle escape ...

Добавлено: 18 октября 2026 г.

Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures

Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Digital InGaAs/InAlAs short-period superlattices intended for 1.3-μm InP-lasers

V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Разработка концепции СВЧ усилителя мощности на GaN HEMT транзисторе для российских 5G систем

Насыров Д. Д., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025.

В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может ...

Добавлено: 15 декабря 2025 г.

Investigation of microdisks lasers with an InGaN/GaN quantum well in the active region at elevated temperatures

D.A. Masyutin, A.A. Rudnev, E.I. Moiseev и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 125–128

В работе представлены результаты исследования высокотемпературных характеристик микродисковых лазеров с активной средой на основе квантовых ям InGaN/GaN. Исследовались спектры фотолюминесценции микродисков диаметром 5 мкм в диапазоне температур от 25 °C до 100 °C. Продемонстрирована высокая температурная стабильность лазерной генерации. ...

Добавлено: 11 декабря 2025 г.

Superconducting bistability in floating Al islands of hybrid Al/InAs nanowires

E. V. Shpagina, E. S. Tikhonov, Ruhstorfer D. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 112 No. 14 Article L140503

Добавлено: 9 ноября 2025 г.

Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate

Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964

We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Correlation and exchange energies of a quantum Hall ferromagnet with 𝜈=1/3 in the strong interaction regime

P. S. Berezhnoy, Koreyev A. S., A. B. Van'kov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 23 Article 235306

Добавлено: 14 января 2025 г.