Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

Оптика и спектроскопия. 2021. Т. 129. № 2. С. 218–222.

Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д., Надточий А. М., Гладышев А. Г., Бабичев А. В., Уваров А. В., Андрюшкин В. В., Денисов Д. В., Колодезный Е. С., Новиков И. И., Карачинский Л. Я., Егоров А. Ю.

Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива островков, наличии центров безызлучательной рекомбинации и транспорте носителей между островками. На спектрах возбуждения люминесценции наблюдается линия, связанная с поглощением в остаточном двумерном слое InGaPAs. Применение отжига структур позволило увеличить интенсивность ФЛ при комнатной температуре до 300% при незначительном коротковолновом сдвиге линии излучения островков, а также улучшить однородность внутри массива островков.  

Ключевые слова: квантовые точки, quantum dots, gallium arsenide, photoluminescence, фотолюминесценция, арсенид галлия, phosphorus replacement, замещение фосфора