?
Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range
P. 1–5.
В книге
M.: IEEE, 2018.
Добавлено: 10 декабря 2025 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Исмаил-Заде М. Р., Russian Microelectronics 2021 Vol. 50 No. 7 P. 486–490
Добавлено: 14 января 2022 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., Петросянц К. О., Самбурский Л. М. и др., , in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2020. P. 97–103.
Добавлено: 5 июня 2021 г.
K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Russian Microelectronics 2020 Vol. 49 No. 7 P. 501–506
Добавлено: 31 января 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 229–232.
В работе представлены SPICE Low-T модели субмикронных КМОП транзисторов, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне криогенной температуры (до 4 К). Разработана процедура экстракции SPICE-параметров Low-T моделей на основе результатов измерений или TCAD-моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в криогенном диапазоне температуры. ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. и др., IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 2021 Vol. 40 No. 4 P. 708–722
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: IEEE, 2020. P. 1–7.
Добавлено: 7 мая 2020 г.
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42–45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018).: IEEE Computer Society, 2018. P. 609–613.
Добавлено: 30 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 111–117.
Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
Петросянц К. О., Lebedev S., Самбурский Л. М. и др., , in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017.: Denver: IEEE, 2017. P. 229–234.
Добавлено: 9 июня 2017 г.
Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin и др., , in: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus)* 2.: M.: IEEE, 2017. P. 423–428.
Добавлено: 6 марта 2017 г.
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.
Добавлено: 1 ноября 2016 г.