High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C

K. O. Petrosyants; Lebedev S.; L. M. Sambursky; Stakhin V.; I. A. Kharitonov; M. R. Ismail-zade; Ignatov P.

doi:10.1109/SEMI-THERM.2017.7896935

АБВ
АБВ
АБВ

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

Новости

15 мая 2026 г.

В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций

Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.

15 мая 2026 г.

Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ

В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.

14 мая 2026 г.

<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026

Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации

?

High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C

P. 229–234.

Петросянц К. О., Lebedev S., Самбурский Л. М., Stakhin V., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р., Ignatov P.

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: high-temperature electronics silicon-on-insulator (SOI)temperature-dependent parameters compact modeling

В книге

33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017

Denver: IEEE, 2017.

SPICE Modeling of GaN HEMTs in the Wide Temperature Range (−269°C…+500°C)

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., , in: 2025 31st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 24-26 Sept. 2025.: IEEE, 2025. P. 1–4.

Добавлено: 5 ноября 2025 г.

Superconducting Electronic–Photonic Platform for HEB-Based Terahertz Spectrometers

Шураков А. С., Беликов И. И., Приходько А. Н. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2023 Vol. 13 No. 10 Article 5892

Добавлено: 11 мая 2023 г.

Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C)

Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 15 декабря 2022 г.

Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology

Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667

Добавлено: 26 сентября 2021 г.

Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology

Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: IEEE, 2020. P. 1–7.

Добавлено: 7 мая 2020 г.

Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology

Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018).: IEEE Computer Society, 2018. P. 609–613.

Добавлено: 30 октября 2018 г.

Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. P. 1–5.

Добавлено: 8 сентября 2018 г.

Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425

Добавлено: 28 февраля 2018 г.

Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C)

Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin и др., , in: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus)* 2.: M.: IEEE, 2017. P. 423–428.

Добавлено: 6 марта 2017 г.

Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)

Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.

Добавлено: 1 ноября 2016 г.