High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C

K. O. Petrosyants; Lebedev S.; L. M. Sambursky; Stakhin V.; I. A. Kharitonov; M. R. Ismail-zade; Ignatov P.

doi:10.1109/SEMI-THERM.2017.7896935

АБВ
АБВ
АБВ

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

Новости

21 октября 2026 г.

Ученые НИУ ВШЭ систематизировали методы защиты изображений

Исследователи МИЭМ ВШЭ проанализировали схемы полухрупких цифровых водяных знаков для изображений, опубликованные за последние десять лет. Такие водяные знаки сохраняются при обычном сжатии или изменении яркости, но выдают подделку, если в снимок добавили объект или заменили лицо. Авторы предложили классификацию этих схем и выделили главные нерешенные проблемы. Результаты опубликованы в журнале Computer Science Review.

20 октября 2026 г.

«Наши работы можно назвать исследованиями на переднем крае науки»

Международная лаборатория кластерной геометрии, действующая на факультете математики НИУ ВШЭ, занимается формированием новой научной дисциплины, соединяющей в себе знания из различных областей математики. Выполненные в ней работы вызывают большой интерес, в том числе у зарубежных коллег. Лаборатория изучает семейства кривых и разрабатывает методы, применяемые в исследованиях физического микромира. Новостная служба «Вышка.Главное» побеседовала с заведующим лабораторией профессором Сергеем Ландо.

20 октября 2026 г.

За гранью возможного: в Вышке прошел финал IX сезона «Научных боев»

В конце сентября в Центре культур НИУ ВШЭ прошел финал IX сезона «Научных боев» с заглавной темой «За гранью возможного». Исследователи представили четыре работы. На каждое выступление отводилось по десять минут, после чего участники отвечали на вопросы жюри и зрителей. Спикеры искали границы между человеком и искусственным интеллектом, цифровой платформой и ее пользователями, государством и социальной инфраструктурой, а также между тем, как общество определяет человека, и тем, как он определяет себя сам.

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации

?

High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C

P. 229–234.

Петросянц К. О., Lebedev S., Самбурский Л. М., Stakhin V., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р., Ignatov P.

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: high-temperature electronics silicon-on-insulator (SOI)temperature-dependent parameters compact modeling

В книге

33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017

Denver: IEEE, 2017.

SPICE Modeling of GaN HEMTs in the Wide Temperature Range (−269°C…+500°C)

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., , in: 2025 31st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 24-26 Sept. 2025.: IEEE, 2025. P. 1–4.

Добавлено: 5 ноября 2025 г.

Superconducting Electronic–Photonic Platform for HEB-Based Terahertz Spectrometers

Шураков А. С., Беликов И. И., Приходько А. Н. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2023 Vol. 13 No. 10 Article 5892

Добавлено: 11 мая 2023 г.

Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C)

Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 15 декабря 2022 г.

Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology

Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667

Добавлено: 26 сентября 2021 г.

Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology

Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: IEEE, 2020. P. 1–7.

Добавлено: 7 мая 2020 г.

Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology

Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018).: IEEE Computer Society, 2018. P. 609–613.

Добавлено: 30 октября 2018 г.

Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. P. 1–5.

Добавлено: 8 сентября 2018 г.

Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425

Добавлено: 28 февраля 2018 г.

Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C)

Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin и др., , in: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus)* 2.: M.: IEEE, 2017. P. 423–428.

Добавлено: 6 марта 2017 г.

Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)

Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.

Добавлено: 1 ноября 2016 г.