?
Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C)
P. 423–428.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие ...
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Предмет исследования. Метод измерения показателя преломления с помощью автоматизированной автоколлимационной гониометрической системы. Цель работы. Упрощение процедуры прецизионных измерений показателя преломления прозрачных твёрдых и жидких оптических материалов. Метод. Для измерения показателя преломления трёхгранных призм часто используют гониометрические методы, основанные на измерении углов преломления света веществом. Предложен метод, позволяющий определять показатель преломления путём измерения угла отклонения света призмой после отражения от внутренней ...
Добавлено: 17 ноября 2022 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. и др., IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 2021 Vol. 40 No. 4 P. 708–722
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: IEEE, 2020. P. 1–7.
Добавлено: 7 мая 2020 г.
Зотов А. Н., , in: Information Innovative Technologies: Materials of the International scientific – рractical conference.: M.: Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2020. P. 133–137.
Добавлено: 28 апреля 2020 г.
Добавлено: 24 апреля 2020 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42–45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018).: IEEE Computer Society, 2018. P. 609–613.
Добавлено: 30 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521–525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 111–117.
Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Кожевников А. Ю., Юрин А. И., Датчики и системы 2018 № 7 С. 38–40
Рассмотрены методы измерения малых сопротивлений. Предложена методика измерений, позволяющая контролировать сопротивление большого количества низкоомных объектов с учетом сопротивлений подводящих проводов и коммутационных элементов. Приведен пример реализации предложенной методики с помощью системы сбора данных HP34970А. ...
Добавлено: 25 сентября 2018 г.
Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, ...
Добавлено: 9 сентября 2018 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. P. 1–5.
Добавлено: 8 сентября 2018 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Dvornikov O. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. Ch. 380 P. 1–4.
Добавлено: 30 мая 2018 г.