?
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
P. 250–254.
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М., Veniamin G. Stakhin, Харитонов И. А.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие ...
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.
Святодух С. С., Селиверстов С. В., Applied Physics Letters 2023 Vol. 124 No. 12
Добавлено: 12 мая 2024 г.
Новиков К. В., В кн.: «Фундаментальные, поисковые, прикладные исследования и инновационные проекты». Сборник трудов Национальной научно-практической конференции.: М.: РТУ МИРЭА, 2022. С. 261–264.
Создание сенсора однофазных замыканий в воздушной линии электропередач с учётом жёстких ограничений по массе, габаритам, потребляемой электроэнергии и взаимному расположению сенсора и фазного провода является нетривиальной задачей. Традиционно для этих целей применяют пояс Роговского, снабжённый либо активным (с высоким энергопотреблением), либо пассивным (уступающим по массогабаритным параметрам) полосовым фильтром. В данной работе предлагается вариант реализации подобного ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Романова Д. С., Непомнящий О. В., А. И. Легалов и др., Программная инженерия 2022 Т. 13 № 6 С. 259–271
Рассмотрены проблемы и решения в области обеспечения архитектурной независимости и организации процесса сквозного проектирования цифровых интегральных схем. Представлены метод и язык параллельного программирования для функционально потокового синтеза проектных решений. При реализации метода функционально-потокового синтеза выделены задачи редукции параллелизма и оценки занимаемых ресурсов. Предложен способ свертки (сокращения) параллелизма, базирующийся на введении дополнительного слоя в процесс синтеза. ...
Добавлено: 13 сентября 2022 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
Тихонов Е. О., Sneps-Sneppe M., International Journal of Open Information Technologies 2019 Vol. 7 No. 7 P. 13–26
В статье представлены теоретические основы современного метода хранения, передачи и обработки сигналов: цифровой обработки. Это способ использовать относительно небольшое количество информации (данных) вместо непрерывного реального сигнала.
Например, при передаче информации в телефонии речь сосредоточена в полосе частот до 4 кГц. Но нужна удвоенная частота дискретизации 8 кГц в цифровом виде. Это фундаментальное требование.
Причина в том, что дискретизированный ...
Добавлено: 9 апреля 2022 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Dergachev S., Романов А. Ю., Solovyev R., , in: 2021 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2021. P. 997–1001.
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 232–235.
На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Елизаров А. А., Назаров И. В., Скуридин А. А., , in: 14th European Conference on Antennas and Propagation (EuCAP 2020), 15 - 20 March 2020 Copenhagen, Denmark. Catalog number: CFP2077B-ART. ISBN:978-88-31299-00-8.: IEEE, 2020. P. 1–4.
Добавлено: 20 августа 2020 г.
Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: IEEE, 2020. P. 1–7.
Добавлено: 7 мая 2020 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
Добавлено: 24 марта 2020 г.