• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology

P. 609–613.
Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade, Alexander S. Boldov, Borislav S. Dubyaga
Язык: английский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: integrated circuitshigh-temperature electronicsSOI CMOStemperature tolerancereference voltage source circuitSPICE-model parameter extractionlow power operation

В книге

Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018)
IEEE Computer Society, 2018.
Похожие публикации
Сравнительный анализ подходов к определению разброса температурно-зависимых параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов
Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.
Terahertz phased array antenna based on integrated taper emitters
Святодух С. С., Селиверстов С. В., Applied Physics Letters 2023 Vol. 124 No. 12
Добавлено: 12 мая 2024 г.
Методы редукции параллелизма в процессе высокоуровнего синтеза цифровых интегральных схем
Романова Д. С., Непомнящий О. В., А. И. Легалов и др., Программная инженерия 2022 Т. 13 № 6 С. 259–271
Рассмотрены проблемы и решения в области обеспечения архитектурной независимости и организации процесса сквозного проектирования цифровых интегральных схем. Представлены метод и язык параллельного программирования для функционально потокового синтеза проектных решений. При реализации метода функционально-потокового синтеза выделены задачи редукции параллелизма и оценки занимаемых ресурсов. Предложен способ свертки (сокращения) параллелизма, базирующийся на введении дополнительного слоя в процесс синтеза. ...
Добавлено: 13 сентября 2022 г.
Generation of Hardware Modules for Comparison in Residue Numeral Systems
Dergachev S., Романов А. Ю., Solovyev R., , in: 2021 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2021. P. 997–1001.
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology
Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina, , in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: IEEE, 2020. P. 1–7.
Добавлено: 7 мая 2020 г.
On the Lightweight McEliece Cryptosystem for Low-Power Devices
Иванов Ф. И., Крук Е. А., Крещук А. А., , in: 2019 XVI International Symposium "Problems of Redundancy in Information and Control Systems" (REDUNDANCY).: IEEE, 2019. P. 133–138.
Добавлено: 17 марта 2020 г.
Аппаратная обфускация в задачах защиты интеллектуальной собственности
Альбатша А. М., В кн.: Информационные технологии в науке, бизнесе и образовании: сборник трудов X Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых.: М.: Московский государственный лингвистический университет, 2018. С. 11–15.
В статье дается краткий обзор современных подходов к защите дизайна (средств технического обеспечения) от различных угроз защите интеллектуальной собственности, таких как обратный инжиниринг, пиратство интеллектуальной собственности, несанкционированное вмешательство. Дается определение понятию «аппаратная (дизайн/хардвер) обфускация», описываются несколько технических решений для аппаратной обфускации на основе анализа опубликованных за последние годы научных изданий и патентов. ...
Добавлено: 6 декабря 2019 г.
Новые средства обеспечения безопасности интеллектуальной собственности
Альбатша А. М., В кн.: Передовые инновационные разработки. Перспективы и опыт использования, проблемы внедрения в производство: сборник научных статей по итогам четвертой международной научной конференцииЧ. 2.: Каз.: [б.и.], 2019. С. 90–92.
В статье приводится обзор современных подходов к защите аппаратных средств компьютерных систем, нацеленных на противодействие угрозам безопасности аппаратной интеллектуальной собственности ...
Добавлено: 6 декабря 2019 г.
Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. P. 1–5.
Добавлено: 8 сентября 2018 г.
Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C
Петросянц К. О., Lebedev S., Самбурский Л. М. и др., , in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017.: Denver: IEEE, 2017. P. 229–234.
Добавлено: 9 июня 2017 г.
Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C)
Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin и др., , in: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus)* 2.: M.: IEEE, 2017. P. 423–428.
Добавлено: 6 марта 2017 г.
Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие
Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И. и др., М.: Солон-Пресс, 2017.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Гладышева Е. И., , in: Proceedings of 24-th Telecommunications Forum.: Beograd: IEEE Region 8, Telekom Srbija a.d., 2016. P. 1–4.
Добавлено: 25 ноября 2016 г.
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.
Добавлено: 1 ноября 2016 г.
IBIS-модели и их применение в задачах ЭМС
Лемешко Н. В., Кечиев Л. Н., Захарова С. С., М.: Грифон, 2016.
Рассматриваются вопросы моделирования электронных средств в задачах обеспечения внутриаппаратурной электромагнитной совместимости, основные программные средства и их возможности при проектировании печатных плат. Впервые в отечественной литературе детально рассмотрены IBIS-модели интегральных микросхем. Описаны ключевые слова и правила составления спецификации IBIS для интегральных компонентов, даны рекомендации по практическому применению IBIS-моделей, в том числе в составе коммерческих пакетов. Значительное ...
Добавлено: 13 мая 2016 г.
Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015)
М.: Техносфера, 2016.
В сборник включены  тезисы докладов конференции, освещающие актуалные вопросы разаработки, производства и применения отечественных интегральных схем и высокоинтегрированных микроэлектронных модулей. ...
Добавлено: 13 апреля 2016 г.
Estimation of Durability Indices of Integrated Microcircuit Communication Network
Иванов И. А., Королев П. С., Полесский С. Н. и др., , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. P. 1–4.
The paper offers methodology for estimation of durability indices of the modern integrated circuit communication network, which has reports about the conducted tests on non-failure operations and conservability, but has no data for the durability. The paper describes two approaches, which apply for generation of basic data and which allow to receive reliable result, typical ...
Добавлено: 8 апреля 2016 г.
Моделирование задержек в межсоединениях ИС с учётом температурных эффектов
Рябов Н. И., Гладышева Е. И., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 244–247.
Разработано программное обеспечение для анализа задержек в межсоединениях ИС в зависимости от температурных эффектов. Методика численого расчета задержек в межсоединениях позволяет учитывать произвольне распределение температуры в кристаллах. ...
Добавлено: 5 февраля 2016 г.
Forecasting Dependability Indicators of Spacecraft Onboard Equipment Under Low-Intensity Ionizing Radiation
Жаднов В. В., Артюхова М. А., Надежность 2015 No. 1 P. 19–24
В статье рассматриваются вопросы прогнозирования показателей надежности современной бортовой аппаратуры космических аппаратов. Показана целесообразность использования результатов испытаний аппаратуры и ее элементов на стойкость к воздействию ионизирующих излучений для прогнозирования показателей надежности. Обоснована возможность применения альфараспределения времени наработки до отказа для прогнозирования показателей безотказности и долговечности КМОП ИС. Приведены расчетные соотношения для оценки вероятности безотказной работы, ...
Добавлено: 20 января 2015 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору