Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм

Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 9. С. 933–939.

Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г., Андрюшкин В. В., Бабичев А. В., Карачинский Л. Я., Шерняков Ю. М., Денисов Д. В., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Егоров А. Ю.

Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к падению интегральной интенсивности фотолюминесценции, однако лазеры с волноводом In0.53Ga0.31Al0.16As демонстрируют более высокие значения дифференциального усиления по сравнению с лазерами на основе волноводного слоя In0.53Ga0.27Al0.20As

Ключевые слова: квантовая яма, Photoluminescence, quantum well, electroluminescence, электролюминесценция, фотолюминесценция

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники (2022)