• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдена 41 публикация
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Tarasova E. A., Obolensky S. V., Galkin O. et al. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 11. P. 1490-1494.

В работе приведены результаты математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик AlGaN/GaN HEMT до и после гамма-нейтронного облучения флюенсом 0.4·1014 см-2. Проведено физикотопологическое моделирование GaN HEMT на SiC подложке. Учтены следующие особенности гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN: образование поляризационных зарядов на границе раздела гетероструктур, формирование двумерного электронного газа в квантовой треугольной яме.

Добавлено: 25 октября 2019
Статья
Davydov V., Jmerik V., Roginskii E. et al. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 11. P. 1479-1488.
Добавлено: 19 февраля 2021
Статья
Kulakovskii V D, Demenev A. A. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 10. P. 1308-1313.

Найдено, что экситон-поляритонные системы в полупроводниковых микрорезонаторах на GaAs, возбужда- емые резонансно когерентными пикосекундными лазерными импульсами, наследуют высокую когерентность лазерного луча и сохраняют ее в течение времени жизни (> 100 пс), при этом время формирования коге- рентности в системах, возбуждаемых резонансно некогерентными импульсами без возбуждения экситонного резервуара, превышает 200 пс.

Добавлено: 19 ноября 2019
Статья
Белова И. М., Белов А. Г., Каневский В. Е. et al. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 15. P. 1942-1946.
Добавлено: 2 апреля 2018
Статья
Lysenko A. P., Белов А. Г., Каневский В. Е. et al. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 13. P. 1732-1736.
Добавлено: 29 марта 2017
Статья
Kalinovskii V., Kontrosh E., Klimko G. et al. Semiconductors. 2020. Vol. 54. P. 355-361.
Добавлено: 19 февраля 2021
Статья
Demenev A., Brichkin A. S., Gavrilov S. et al. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 14. P. 1827-1832.
Добавлено: 12 февраля 2019
Статья
Omelchenko A., Zhukov A., Korenev V. et al. Semiconductors. 2013. Vol. 47. No. 10. P. 1397-1407.
Добавлено: 17 сентября 2018
Статья
Verbus V. A., Novikov A., Yurasov D. et al. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 11. P. 1442-1447.
Добавлено: 26 декабря 2018
Статья
Larionov A. V., Brichkin A. S., Höfling S. et al. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 4. P. 458-461.
Добавлено: 9 января 2019
Статья
Yurasov D., Baidakova N., Verbus V. A. et al. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 10. P. 1324-1328.
Добавлено: 24 октября 2019
Статья
Lysenko A. P., Белов А. Г., Голлубятников В. А. et al. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 13. P. 1716-1719.
Добавлено: 25 февраля 2016
Статья
Bolshakov A. D., Dvoretckaia L. N., Fedorov V. V. et al. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 16. P. 2088-2091.
Добавлено: 18 февраля 2021
Статья
Sorokin S. V., Avdienko P. S., Sedova I. V. et al. Semiconductors. 2019. Vol. 53. P. 1131-1137.
Добавлено: 31 мая 2021
Статья
Baidakova N., Verbus V. A., Morozova E. et al. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 12. P. 1542-1546.
Добавлено: 16 февраля 2018
Статья
Lysenko A. P., Golubiatnikov V. A., Grigoryev F. I. et al. Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 13. P. 1700-1703.

The effect of local illumination providing a high level of freecarrier injection on the conductivity of a sample of semiinsulating cadmium telluride and on the properties of ohmic contacts to the sample is studied. It is found that, irrespective of the illumination region, the contact resistance of ohmic contacts decreases and the concentration of majority carriers in the sample grows in proportion to the illumination intensity. It is shown that inherent heterogeneities in crystals of semiinsulating semiconductors can be stud ied by scanning with a light probe

Добавлено: 10 ноября 2014
Статья
Terent'ev Y. V., Mukhin M., Solov'ev V. A. et al. Semiconductors. 2010. Vol. 44. No. 8. P. 1064-1069.
Добавлено: 19 февраля 2021
Статья
Alpatov A., Vikhrov S., Kazanskii A. et al. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 5. P. 590-595.

The correlation properties of the structure of nc-Si/a-Si:H films with different volume fractions of the crystalline phase are studied using 2D detrended fluctuation analysis. Study of the surface relief of experimental samples showed that with increasing in volume fraction of the crystalline phase in thenc-Si/a-Si:H films, the size and number of nanoclusters on their surface grow. The size of Si nanocrystals in the a-Si:H matrix (6–8 nm) indicates the formation of coarse nanoclusters due to the self-organization of Si nanocrystals in groups under laser radiation. According to 2D detrended fluctuation analysis data, the number of correlation vectors (harmonic components) in the nc-Si/a-Si:H film structure increased with an increase in the nanocrystal fraction in the films.

Добавлено: 6 июля 2016
Статья
Y. S. Berdnikov. Semiconductors. 2020. Vol. 14.
Добавлено: 30 ноября 2020
Статья
V.A. Dudarev, Ivanova L., Nikhezina I. et al. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 8. P. 986-988.
Добавлено: 30 октября 2019
Статья
Verbus V. A., Kozlov V. Semiconductors. 2010. Vol. 44. No. 11. P. 1499-1503.
Добавлено: 24 февраля 2015
1 2