?
Влияние обработки в парах селена на структуру поверхности gap и электрические характеристики диодов Шоттки на его основе
С. 59-62.
Кузубов С. В., Власов Ю. Н., Кортунов А. В.
Реальная поверхность полупроводников AIIIBV, в частности GaP, имеет высокую плотность поверхностных электронных состояний (ПЭС), связанную с образованием собственных оксидов. Обработка поверхности GaP в парах Se2 приводит к формированию пленки Ga2Se3 на GaP. Такая гетероструктура может быть использована в качестве преобразователей солнечной энергии.
Язык:
русский
В книге
Новочеркасск : Южно-Российский государственный технический университет, 2013
Weinheim : Wiley-VCH, 2019
Добавлено: 1 ноября 2019 г.
Строганкова Н. И., М. : РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2012
Описана методика расчета равновесных электрофизических параметров твердых тел и приведены справочные данные, необходимые для выполнения курсовых работ по дисциплине "Физика конденсированного состояния". ...
Добавлено: 17 февраля 2014 г.
Кукушкин И. В., Ваньков А. Б., Kaysin B., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2017 Vol. 96 P. 235401-1-235401-8
Добавлено: 19 декабря 2017 г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Дурнев М. В., Глазов М. М., Успехи физических наук 2018 Т. 188 № 9 С. 913-934
Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований экситонных эффектов в мономолекулярных слоях дихалькогенидов переходных металлов. В этих двумерных полупроводниках прямая запрещённая зона шириной порядка 2 эВ реализуется на границах зоны Бриллюэна, а энергия связи нейтральных и заряженных экситонов составляет сотни и десятки миллиэлектронвольт соответственно. Таким образом, оптические свойства монослоёв дихалькогенидов переходных металлов контролируются электронно-дырочными кулоновскими комплексами. Обсуждаются ...
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741-746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
Belykh V. V., Кунцевич А. Ю., Glazov M. M. и др., Physical Review X 2018 Vol. 8 P. 031021-1-031021-8
Добавлено: 10 сентября 2018 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 3 С. 93-96
Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и ...
Добавлено: 14 января 2014 г.
СПб. : Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, 2012
В книге представлены тезисы работ по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе. Обсуждаются проблемы по кругу вопросов, включающему рост и материаловедение кристаллов и пленок кремния, а также родственных материалов. ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
Исследованы процессы образования нанокластеров, связанные с введением атомов магнитного компонента — хрома и марганца — в гранецентрированную кубическую решетку шпинели CdIn2S4 и тетрагональную решетку халькопирита CuInSe2, соответственно. Рассчитана вероятность существования кластеров различного типа в зависимости от концентрации магнитного компонента. Получены концентрационные зависимости числа кластеров и температурные зависимости обусловленной ими магнитной восприимчивости спиновых стекол CdIn2S4: Cr ...
Добавлено: 4 января 2013 г.
Горбунов А. В., Кулик Л. В., Кузнецов В. А. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 № 10 С. 651-654
В настоящей работе мы показываем, как в GaAs/AlGaAs квантовой яме с помощью простых методик фотовозбуждения и детектирования фотолюминесценции двумерного электронного газа с пространственным разрешением можно создавать плотные ансамбли спиновых экситонов, переносить их на макроскопические расстояния порядка сотен микрон и регистрировать появление этих экситонов в области, пространственно удаленной от точки возбуждения. ...
Добавлено: 11 декабря 2017 г.
Ershov I., Стукач О. В., , in : 2016 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics). : IEEE, 2016. Ch. 1. P. 1-4.
The problem of increase of the suitable things percent exist in any manufacture. It may be solved by different
ways, both technological, and by the general methodology of quality control. In the paper, this problem related to the
semiconductor industry with own features is discussed. In particular, there is a problem of increase of the potential achievable ...
Добавлено: 8 января 2019 г.
Издательство "Перо", 2019
Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.Основные разделы программы:
Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт.
Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные ...
Добавлено: 28 октября 2019 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Глушков В. В., Божко А. Д., Богач А. В. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2016 Vol. 10 No. 4 P. 320-323
Добавлено: 25 февраля 2017 г.
Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., В кн. : Вакуумная наука и техника: Материалы ХХ юбилейной научно-технической конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 220-222.
Исследовалась фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник, создаваемая освещением приконтактной области омических контактов к образцу теллурида кадмия. Выявлено, что засветка приконтактной области влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводимость кристалла за счет повышения концентрации основных носителей заряда. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления контакта и объема образца, пригодная для высокоомных ...
Добавлено: 11 октября 2013 г.
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Приборы и техника эксперимента 2010 Т. 53 № 1 С. 159-164
Описывается установка для измерения температурной зависимости показателя преломления n(T) полупроводников и диэлектриков в диапазоне температур 300-700К на длинах волн He-Ne-лазера λ=0.633, 1.15 и 3.39 мкм. Образцы в виде плоскопараллельных пластинок выполняют роль эталонов Фабри-Перо, оптическая толщина которых изменяется с температурой. При нагревании и последующем остывании образца регистрируются интерференционные осцилляции интенсивности отраженного света, по которым определяется ...
Добавлено: 23 апреля 2012 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.