?
Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene
Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. Спиновое триплетное состояние димеров заселяется выше 128 К с расчетной синглет-триплетной энергетической щелью 542 К, тогда как спины, локализованные на мономерах, демонстрируют парамагнитное поведение. Полупроводниковое поведение наблюдается для 1 с энергией активации 91 мэВ (измерено методом четырех зондов для ориентированного монокристалла). Ионы DyIII координируют четыре аниона hfac− в [DyIII(hfac)4]−, обеспечивая симметрию D2d. Медленная магнитная релаксация наблюдается для DyIII при приложенном статическом магнитном поле 1000 Э, и 1 является одноионным магнитом (SIM) с барьером переворота спина Ueff = 40,2 К и магнитным гистерезисом при 2 К. Вклады парамагнитных видов DyIII и TSeT.+ видны в ЭПР. Ион DyIII редко проявляет сигналы ЭПР, но такой сигнал наблюдается в 1. Он появляется из-за сужения ниже 30 К и имеет g4 = 6,1871 и g5 = 2,1778 при 5,4 К.