?
Proceedings of 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) "Advances in Physics of Semiconductors"
Вайнхайм :
Wiley-VCH, 2019.
Главы книги
Voronova N., Yurii E. Lozovik, , in: Proceedings of 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) "Advances in Physics of Semiconductors".: Weinheim: Wiley-VCH, 2019. P. 1800431-1–1800431-8.
Добавлено: 1 ноября 2019 г.
Кузьминых И. О., Кузин А. Ю., Флоря И. Н. и др., Нано- и микросистемная техника 2025 Т. 27 № 4 С. 184–194
В работе рассмотрены основные варианты детектирования водорода, а также приведены требования, которые предъявляются к сенсорам водорода. Проанализированы преимущества и недостатки существующих решений по детектированию водорода и проведен сравнительный анализ основных метрик коммерчески доступных сенсоров водорода. Было установлено, что оптические сенсоры преодолевают основную проблему существующих сенсоров – использование электрического тока в чувствительной зоне сенсоров. Данная обзорная ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068
Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Song Y., Chen M., Xie X. и др., Nano Energy 2024 Vol. 127 Article 109763
Добавлено: 24 мая 2024 г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
IOP Publishing, 2022.
Добавлено: 19 октября 2022 г.
Eremchev I., Li J., Naumov A. и др., Advanced Optical Materials 2020 Vol. 9 No. 3
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
S.V. Ivanov, , in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020.: St. Petersburg: IEEE, 2020. Ch. 1.
Добавлено: 31 октября 2021 г.