• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Книги
  • Proceedings of 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) "Advances in Physics of Semiconductors"
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
7 июля 2026 г.
ИИ в повседневной жизни: 6 сценариев для экономии времени
По данным ряда консалтинговых компаний, сотрудники тратят в среднем около четверти рабочего времени на обработку электронной почты и поиск информации. Нейросети закрывают простые, но времязатратные дела: суммируют длинные документы за секунды, генерируют черновики писем, структурируют заметки. Но, чтобы успешно автоматизировать рутину, нужно понимать, как встраивать в нее искусственный интеллект. С помощью экспертов факультета компьютерных наук ВШЭ разбираем шесть сценариев с конкретными промтами и инструментами, которые помогут сохранить вам силы.
7 июля 2026 г.
Ученые ВШЭ показали, как сообщества заражают друг друга хаосом
Ученые МИЭМ ВШЭ предложили математическую модель, которая позволяет понять, как взаимодействие между сообществами влияет на их устойчивость. Работа основана на классической теории эволюционных игр и демонстрирует неожиданный эффект: даже небольшое информационное воздействие одного сообщества на другое может привести к тому, что одно из них сохранит внешнюю стабильность, а в другом начнутся хаотические изменения на уровне отдельных участников. Исследование опубликовано в International Journal of Bifurcation and Chaos.
3 июля 2026 г.
Исследование НИУ ВШЭ: молодые россияне едут в крупные города за высшим образованием
За период с 2011 по 2021 год число переездов 18-летних россиян составило 1,2 млн человек. Из них 78% отправились в 160 крупных городов, что с большой долей вероятности связано с желанием получить высшее образование. Лидеры по формированию вузовских зон притяжения: Москва, Санкт-Петербург, Екатеринбург, Ростов-на-Дону, Краснодар, Новосибирск.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Proceedings of 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) "Advances in Physics of Semiconductors"

Вайнхайм : Wiley-VCH, 2019.
Главы книги
Anisotropic Superfluidity in a Weakly Interacting Condensate of Quasi-2D Photons
Voronova N., Yurii E. Lozovik, , in: Proceedings of 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) "Advances in Physics of Semiconductors".: Weinheim: Wiley-VCH, 2019. P. 1800431-1–1800431-8.
Добавлено: 1 ноября 2019 г.
Язык: английский
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: semiconductorsполупроводники
Proceedings of 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) "Advances in Physics of Semiconductors"
Похожие публикации
Методы детектирования взрывоопасных концентраций водорода: сравнительный анализ и преимущества оптических сенсоров
Кузьминых И. О., Кузин А. Ю., Флоря И. Н. и др., Нано- и микросистемная техника 2025 Т. 27 № 4 С. 184–194
В работе рассмотрены основные варианты детектирования водорода, а также приведены требования, которые предъявляются к сенсорам водорода. Проанализированы преимущества и недостатки существующих решений по детектированию водорода и проведен сравнительный анализ основных метрик коммерчески доступных сенсоров водорода. Было установлено, что оптические сенсоры преодолевают основную проблему существующих сенсоров – использование электрического тока в чувствительной зоне сенсоров. Данная обзорная ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene
Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068
Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Hydrogenation-controlled band engineering of dumbbell graphene
Song Y., Chen M., Xie X. и др., Nano Energy 2024 Vol. 127 Article 109763
Добавлено: 24 мая 2024 г.
XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online
IOP Publishing, 2022.
Добавлено: 19 октября 2022 г.
2022 International Conference Laser Optics (ICLO)
IEEE, 2022.
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Lack of Photon Antibunching Supports Supertrap Model of Photoluminescence Blinking in Perovskite Sub‐Micrometer Crystals
Eremchev I., Li J., Naumov A. и др., Advanced Optical Materials 2020 Vol. 9 No. 3
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Trion Induced photoluminescence of a doped MoS2 monolayer
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Three-particle states and brightening of intervalley excitons in a doped MoS2 monolayer
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Lasers and Zhores Alferov`s heterostructures: past, current, and future
S.V. Ivanov, , in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020.: St. Petersburg: IEEE, 2020. Ch. 1.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Tailored-Potential Semiconductor Quantum Nanostructures Grown in Inverted Pyramids
Лазарев М. В., Infoscience EPFL 2019 P. 1–163
Добавлено: 29 октября 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору